電動機、開關轉換器、大電流驅動級和振蕩器屬于噪聲注入器類型，可以在電源線上引入紋波。導航和互聯網子系統等通信模塊以及外部干擾也會增加噪聲，這些噪聲可以傳導或耦合到敏感的電子設備上，并有可能破壞它們的行為。在此背景下，CAN收發器仍有望成功交換數據；為此，它們必須具有很強的抗噪能力。三十多年來，控制器區域網絡 (CAN) 收發器作為通信主干一直存在于汽車中。在此期間，電子芯片的數量以及收發器的整體復雜性穩步增加。因此，多個電子子系統必須近距離共存，并在惡劣條件下完美運行。這對組件可以產生的噪聲量（發射）以及
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CAN
車載網絡 (IVN) 能夠讓微控制器和發動機控制單元 (ECU) 處理器與傳感器、執行器、指示器、顯示器之間實現相互通信。控制器區域網絡 (CAN) 總線便是經典的 IVN 之一。CAN 問世至已有近三十年，并且仍在繼續發展。車載網絡 (IVN) 能夠讓微控制器和發動機控制單元 (ECU) 處理器與傳感器、執行器、指示器、顯示器之間實現相互通信?？刂破鲄^域網絡 (CAN) 總線便是經典的 IVN 之一。CAN 問世至已有近三十年，并且仍在繼續發展。正如 ISO11898 標準中描述的那
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CAN
據報道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發了采
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SiC MOSFET
在許多工業和汽車應用中，保護接口收發器免受各種電過應力事件的影響是一個主要問題。瞬態電壓抑制器 (TVS) 二極管常用于上述用途，因為它們可以通過生成低阻抗電流路徑來鉗制電壓尖峰。TVS 二極管的電氣特性由幾個工藝因素決定。這些參數與 TVS 電壓、電流和額定功率相關，具有多種多樣的數值，以適應各種應用。但通過查看元件數據表，就會發現選型并不簡單。在本文中，我將討論電壓參數并展示哪種 TVS 二極管適用于 RS-232、RS-485 和控制器局域網 (CAN) 應用。當然，峰值脈沖功率耗散和峰值脈沖電流也
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TI CAN 二極管
根據市調統計，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業者合作案明朗化，將推動2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場產值達22.8億美元、年成長41.4％。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動車與再生能源設備系統效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應用為電動車與再生能源領域，分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場產值約67.4％和13.1％。車用方面，安森美與大眾汽車簽屬戰略協議，另外該系列產品亦被起亞
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SiC
以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發展著，而“圍墻”之外的企業亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產重組重新恢復審核，其對第三代半導體業務的開拓有了新的進展。3月6日，中瓷電子發布了《發行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發行股份的方式，購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業務資產及負債、國聯萬眾94.6029%股權。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業務。2023年3月2
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第三代半導體 收購 SiC GaN
前 言 1824年，一種全新的材料被瑞典科學家，貝采里烏斯合成出來，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無奇的樣子，仿佛是隨處可見的灰燼，也許誰也沒能想到，就是這一小撮雜質般的黑色顆粒，將會在近200年后，在其之上長出絢爛的花朵，幫助人類突破半導體的瓶頸。在人類半導體產業的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術發展速度卓越，無論是成本還是性能都達到了完美的平衡，自然對于碳化硅（SiC）沒有過多的注意。直到20世紀90年代，Si基電力電子裝置出現了性能瓶頸，再次激發
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SiC 新能源汽車 汽車電子
隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發生變化，GaN 被認為會產生后續替代效應。據業內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯華電子受益，它們已經進行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發電場和大型三相電網
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GaN SiC
一直以來，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題，是車企和車主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術的不斷進步和快充時代的到來，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發三年后，800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V，800V帶來了更高的功效，大幅提升功率，實現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領著這一輪高壓技術的革命。小鵬發布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
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碳化硅 SiC
當您設計新電力電子產品時，您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創建基于 SiC 半導體的開關電源，其應用領域包括光伏系統、儲能系統、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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安森美 SiC
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示，英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
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英飛凌 Resonac 碳化硅 SiC
與硅技術相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統，將會非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節省了能源，而且使設備更小、更輕，相關的資本、安裝和維護成本更低。關鍵的應用要求及其挑戰。在光伏和儲能系統中，1500V的高系統電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時要求功率器件具有更高的系統效率
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英飛凌 SiC 逆變器
碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優勢，在高壓應用領域需求廣泛，具有巨大的研究價值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發展歷程和前沿技術進展，總結了進一步提高器件品質因數的元胞優化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發展現狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進行了討論。1 引言電力電子變換已經逐步進入高壓、特高壓領域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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SiC MOSFET
去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開售，其產品設計和功能變化都引起了外界關注。在特斯拉 Model 3 車型中，SiC 得到量產應用，這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車，可提高續航里程，對突破現有電池能耗與控制系統上瓶頸，乃至整個新能源汽車行業都有重要意義。目前，業內普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料，那么寬禁帶半導體當前發展狀況如何？國內外發展寬禁帶半導體有哪些區別？未來發展面臨著哪些挑戰？01、特斯拉 Model 3 首批
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特斯拉 Model 3 SiC
CAN總線是可以掛載多個控制單元，每個單元均可以發送和接收數據，為了避免發生沖突，協議規定只有等信道空閑時刻優先級高的單元才能占有總線并發送數據，那么CAN單元是如何判斷優先級的呢？CAN仲裁的實現方式1. CANID在CAN報文中的位置每一個CAN報文的CANID有唯一標識的11bit/29bit構成，以標準CAN幀為例，11bitCANID在CAN幀中的位置如圖1所示。SOF之后是Identifier，各個節點要外發的CANID通過CANID仲裁，優先級高的報文被優先發送。同時，對應節點優先獲得CAN
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ZLG CAN
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