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can sic 文章 最新資訊

更小體積！SMD封裝CAN/RS485/RS232工業總線隔離收發模塊

  • 一、產品簡介? ? ? 金升陽近期推出高性價比、SMD封裝、小體積CAN/RS485/RS232隔離總線收發器——TDx31SCANH(FD)、TDx31S485(H/H-E/H-A)、TDx31S232H系列，協助電力、工控、交通（軌道、汽車）、儀器儀表等行業的客戶實現信號精準地橋接。該系列進行了產品性能的升級，并提升了工藝制程及可靠性。? ? ? 該系列產品的加工采用全貼片工藝，客戶可輕松實現自動化加工，大大降低加工成本。產品的體積L*W*H
  • 關鍵字： SMD封裝  金升陽  CAN/RS485/RS232  

基于UDS的CAN節點軟件升級設計

  • Design of CAN node software ypdate based on UDS馬建輝 123 ，慕永云 123 ，侯冬冬 123 ，胡代榮 123 ，朱亮 1（1.齊魯工業大學（山東省科學院），山東 濟南，250353；2．山東省科學院自動化研究所，山東 濟南，250014；3．山東省汽車電子技術重點實驗室，山東 濟南，250014）?????? 摘要：汽車CAN節點軟件升級過程中大量頻繁的CAN通信造成網絡負載率升高，可能導致大
  • 關鍵字： 201904  CAN節點  軟件升級  UDS on CAN  Bootloader  多幀通信  

CAN一致性測試最重要的幾個測試項是什么？

  • 　　CAN一致性測試在于縮小CAN網絡中節點差異，保證CAN網絡的環境穩定，有效提高CAN網絡的抗干擾能力。因此CAN節點的一致性測試就顯得尤為重要。　　　　隨著新能源、智能網聯等概念發展，車身CAN總線環境變得復雜及紊亂，CAN節點質量不穩定給主機廠安全性帶來極大威脅。所以，CAN一致性測試已成為保證CAN網絡安全運行的重要手段，CAN一致性測試內容覆蓋了物理層、鏈路層、應用層等測試需求，如表1 CAN一致性測試內容(節選)所示;其中包括了輸入閾值、輸出電壓、采樣點、位寬容忍度重點測試項目。　　表1
  • 關鍵字： CAN，CANDT  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型， 產品陣容豐富且支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產品陣容豐富，擁有13個機型。　　ROHM于2010年在全球率先成功實現SiC MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
  • 關鍵字： ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半導體將在APEC 2019演示 用先進云聯接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

  • 　　2019年3月14日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心。　　Strata Developer S
  • 關鍵字： 安森美  SiC   

采樣點測試的原理和設計

  • 　　采樣點是接收節點判斷信號邏輯的位置，采樣點對CAN總線來說極其重要，尤其是在組網的時候，多個節點盡量保持同一個采樣點，若網絡中節點采樣點不一致會導致同樣的采樣頻率出現采樣錯誤，進而會使整個網絡出現故障。　　01 采樣點的規則及原理　　CAN 協議里將一個位時間分為同步段、傳播段、相位緩沖段 1 和相位緩沖段 2。這些段又由稱之為Time Quantum(以下稱為Tq)的最小時間單位構成。1位由多少個Tq構成、每個段由多少個Tq構成等是可以設定的。通過設置bit時序，使得可以設定一個采樣點以使總線上
  • 關鍵字： CAN  采樣點  

集邦咨詢：需求持續擴張，2019年中國功率半導體市場規模逾2,900億元

  • 　　Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%。　　集邦咨詢分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產業，2019年
  • 關鍵字： IGBT  SiC   

CAN一致性測試隔離和非隔離供電的電路區別

  • 　　汽車電子中有隔離和非隔離DUT，常用于在與發動機、BMS等容易產生瞬時高壓的設備部分會采用隔離的通訊連接，隔離DUT的目的是為防止電磁干擾影響DUT通信信號以及瞬時高壓脈沖損壞DUT;而非隔離DUT，則常用于與低壓車載電子設備的通信。根據DUT類型，CANDT設計兩種供電模式，隔離供電與非隔離供電，本文與讀者淺談隔離與非隔離電路原理和接線方式的區別，以及其對測試的影響。常見的CAN設備分為隔離和非隔離兩類。　　一、隔離供電DUT設備　　隔離ECU內部的收發器和控制器之間有隔離模塊(包括數字隔離芯片和隔
  • 關鍵字： CAN  DUT  

碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
  • 關鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動器，可最大程度提高效率及安全性

  • 　　深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動器、電焊機和電源。　　SIC1182K可在125°C結溫下提供8
  • 關鍵字： Power Integrations  SiC-MOSFET  

SiC市場趨勢及應用動向

  • 介紹了SiC的市場動向，SiC市場不斷擴大的原因，SiC技術及解決方案的突破，以及羅姆公司在SiC方面的特點。
  • 關鍵字： SiC  市場  應用  汽車  201903  

如何測量CAN總線網絡阻抗

  • 　　在CAN應用中，有時會出現我們料想不到的問題，此時，為了準確的排查問題，我們需要通過測量CAN總線網絡阻抗來確定是否滿足CAN規范。本文將闡述測量CAN總線網絡阻抗的原理以及具體方法。　　一、什么是阻抗?　　阻抗是指電路中的電子器件對通過它的特定頻率的交流電流的阻礙作用。在數學上用矢量平面上的復數表示，即Z=R+jX，如圖1所示，Z表示阻抗，實部R稱為電阻，虛部X稱為電抗。而電抗為容抗和感抗的總稱，電容在電路中對交流電所起的阻礙作用稱為容抗，電感在電路中對交流電所起的阻礙作用稱為感抗。阻抗就是電阻、電
  • 關鍵字： CAN  網絡阻抗  

ST將收購Norstel 55％股權，擴大SiC器件供應鏈

  • 意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協議，收購后者55%股權。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來，開發和生產150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈，并為自己帶來一個重要的增長機會。
  • 關鍵字： ST  Norstel  SiC  

詳解串口轉換CAN模塊“透明帶標識轉換”

  • 　　UART轉CAN的應用已廣泛應用于各行各業，因此對于數據幀轉換的形式要求也逐漸增多，目前主流的轉換形式包括透明轉換、透明帶標識轉換以及自定義轉換。具體是如何實現?本文將為大家介紹其中的透明帶標識轉換。　　1 . 適用場景　　串口轉CAN模塊在什么時候需要用到呢?一是老產品面臨升級，需要用到CAN總線通信，但硬件平臺中的MCU沒有集成CAN總線的控制器。二是選用的MCU已經包含CAN總線接口，但數量上不能滿足項目需求。若出現類似以上兩種情況且MCU有閑置串口，則可以選用串口轉CAN模塊解決。　　　　圖1
  • 關鍵字： 串口  CAN  

第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優點？

  • 　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。　　然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。　　實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
  • 關鍵字： 半導體  SiC  GaN  
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