MEMS即微機電系統，是利用微米級立體結構實現感應和執行功能的一項關鍵技術。其中，微米級立體結構是利用被稱為“微加工”的特殊工藝實現的微米大小的立體機械結構。 因為技術和經濟的原因，MEMS傳感器曾經被局
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消費類 產品設計 創新 各種 傳感器 用于 MEMS
MEMS傳感器的種類繁多，包括單軸、雙軸和振動傳感器等High-g(重力加速度)加速計，以及單軸、雙軸和三軸的low-g加速計，另外有角速度陀螺儀和多重傳感器方案等。
在采購MEMS傳感器，尤其是應用于消費性電子產品中時，MEMS傳感器的價格、體積和功耗可說是最重要的三個關鍵。在價格方面，過去MEMS傳感器多用于汽車領域，然而近幾年，由于技術的進步，MEMS使用于消費性電子產品已越來越常見，且由于消費性電子產品，例如手機的價格敏感度極高，因此MEMS組件的價格呈現快速下降趨勢。以MEMS傳感器的
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MEMS 傳感器
本文根據微流體陀螺的不同原理介紹了幾種常見的MEMS微流體陀螺，并對它們的基本原理、優缺點和應用前景進行了簡單的介紹
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研究進展 陀螺 流體 MEMS
MEMS(微機電系統)是指集微型傳感器、執行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統。
MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路(IC)設計技術和制造工藝，進行高精度、低成本的大批量生產，從而為消費電子和工業過程控制產品用低廉的成本大量使用MEMS傳感器打開方便之門，使壓力控制變得簡單易用和智能化。傳統的機械量壓力傳感器是基于金屬彈性體受力變形，由機械量彈性變形到電量轉換輸出，因此它不可能如MEMS壓力傳感器那樣做得像IC那么微小，成本也遠遠高于MEMS壓力傳感器。相對于傳
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華潤矽威 MEMS
微機電系統 (MEMS) 將很快成為智能系統設計和構造不可或缺的部分。這些器件縮短了物理世界和電子世界之間的差距，它們用于眾多應用，涉及各種細分市場。在眾多細分市場中，價格降低、準確度要求提高和快速面市需求將對設計和制造性能提出新的約束條件。企業要獲得成功必須找到新的方法來應對這些挑戰。
這種產品的日益增加的復雜性需要設計流程允許工程師在構造實際硅片之前模擬整個制造分布、所有環境和操作條件的整個多模系統。這使工程師能夠快速、積極地優化設計，以便最大限度地提高系統準確性和可靠性，同時最大限度地減少
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MEMS 傳感器
針對電腦逐漸普及，電腦病對人類的影響越來越嚴重的情況，本文設計了以MEMS三軸加速度傳感器作為主要的坐姿檢測傳感器，以8位MCU MXT8051作為控制芯片，以XBee作為無線傳輸介質的坐姿糾正系統。本文重點介紹了坐姿糾正系統的軟硬件設計，該系統具有較高的創新性和實用型強等特點。
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時代民芯 MEMS 加速度傳感器 Zigbee
本文設計并實施了一款基于最新MEMS(微電子機械系統)技術的可以空中使用的鼠標產品，以滿足當前計算機快速家電化、娛樂化的需求。本設計集成了先進的微電子機械系統技術(MEMS)、2.4G低功耗無線射頻通信技術(2.4G/RF)、USB接口技術以及實時多任務操作系統uC/OS技術。本產品可以讓鼠標脫離桌面環境，方便易用，讓用戶獲得家電化的計算機操作體驗，是一款真正“可以飛的鼠標”。同時，其所用的技術還可以滲透到其他傳統的遙控器中，以大幅提升用戶體驗。
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時代民芯 MEMS 空中鼠標 2.4G RF
預計2010年全球汽車MEMS傳感器出貨量將達到5.912億個，比2009年的5.020億勁增17.8%。2009年MEMS傳感器市場劇烈波動，年初的時候由于經濟衰退的影響，傳感器公司的訂單幾乎枯竭，但第四季度出貨量迅速上升，甚至超過了2007年創下的高點。iSuppli公司的數據顯示，2010年該市場剛剛恢復元氣，將開始一段繁榮時期，至少會持續到2014年的預測期終點。
汽車MEMS市場重現活力，從MEMS壓力傳感器的強勁表現中可見一斑。MEMS壓力傳感器用于關鍵應用之中，測量壓力和發動機狀況
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汽車傳感器 MEMS
據iSuppli公司的最新調研，在經歷了近年來最糟糕的一年之后，微機電(MEMS)汽車傳感器將在2010年強勁反彈，但銷售持續紅火可能在今年稍晚的時候導致市場過熱，進而把該產業拖回到衰退之中。
預計2010年全球汽車MEMS傳感器出貨量將達到5.912億個，比2009年的5.020億勁增17.8%。2009年MEMS傳感器市場劇烈波動，年初的時候由于經濟衰退的影響，傳感器公司的訂單幾乎枯竭，但第四季度出貨量迅速上升，甚至超過了2007年創下的高點。iSuppli公司的數據顯示，2010年該市場剛
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MEMS 傳感器
瑞薩電子開發出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現合適的工作裕度。以上內容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產品，該公司試制出了bit密度達到業界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞薩電子 SRAM CMOS
全球領先的芯片制造協會SEMATECH和先進無線芯片供應商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協議，共同推進CMOS技術進一步發展。Qualcomm是第一家進入SEMATECH的芯片設計公司，Qualcomm將深入參與和SEMATECH的研發項目，共同探索延續摩爾定律的新技術。
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Qualcomm CMOS 芯片設計
本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環增益，62°的相位裕度，高達138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
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CMOS 0.5 um 電流反饋
用來計算TTL集電極開路輸出電路靜態功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
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CMOS TTL 集電極開路 功耗
X-FAB Silicon Foundries，業界領先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術的專家，今天宣布其將擴大自身的晶圓廠服務，囊括8英寸(200毫米)MEMS晶片工藝。移至更大的晶片直徑及單片電路的MEMS/CMOS集成可以大大降低生產成本。X-FAB相信其擴展到8英寸MEMS生產使其能夠在領先的MEMS晶圓廠中占據有利地位，并能使為汽車與消費電子市場開發應用設備的客戶受益。公司早已開展與主要客戶合作,結合0.35微米CMOS技術,開發200毫米晶片的MEMS設
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X-FAB MEMS 晶圓
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