記憶體價格漲勢持續升溫，第四季DRAM市場可望迎來全面上修。 TrendForce最新調查指出，全球云端服務供應商（CSP）積極擴建數據中心，帶動服務器用DRAM合約價走強，供應商同步調高報價意愿，使一般型DRAM價格預估漲幅由原先的8%~13%，上修至18%~23%。 惟目前合約價尚未完全開出，后續仍可能再次調升，反映出供需持續偏緊，市場氣氛轉趨樂觀。觀察近期CSP采購節奏，從原本保守轉為積極，加單需求擴及多家原廠，尤其高容量、高頻率規格的服務器DRAM需求上升，已出現排擠效應，推升主流產品報價穩步墊高
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DRAM TrendForce
在流行媒體中，“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數據中心中運行的大型語言模型。但是，對于許多應用程序，在本地硬件上運行的較小模型更適合。自動駕駛汽車需要實時響應，沒有數據傳輸延遲。醫療和工業應用通常依賴于無法與第三方共享的敏感數據。但是，盡管邊緣 AI 應用程序可以更快、更安全，但它們的計算資源要有限得多。它們沒有 TB 內存占用或有效無限的功率。對于數據中心來說，可能有些抽象的約束對邊緣人工智能施加了硬性限制。在 2025 年 IEEE 國際內存研討會的一篇特邀論文和隨后的預印本中，ETH 計算機科學教授
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存內計算 邊緣AI DRAM
2025年 10 月 23 日，愛達荷州博伊西市 — 在當今時代，人工智能（AI）實現了前所未有的創新和發展，整個數據中心生態系統正在向更節能的基礎設施轉型，以支持可持續增長。隨著內存在 AI 系統中逐漸發揮越來越重要的作用，低功耗內存解決方案已成為這一轉型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內存在
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美光 SOCAMM2 DRAM
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）旗下品牌?Crucial??英睿達? 推出DDR5 Pro?超頻 （OC）?6400 CL32?游戲?DRAM，進一步兌現對游戲玩家的承諾。這款新內存專為技術發燒友設計，提供?32GB?套件或?16GB?單條模塊[2]，速度更快、延遲更低，且采用大膽的新設計，使外觀和性能一樣優越。此次發布鞏固了?Cruci
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Crucial 英睿達 DDR5 Pro 美光
在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強勁的復蘇，第四季DRAM報價漲幅可望擴大至三成以上。 財信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價狂飆近500%，且海力士專注于高階制程，不僅拉高產品附加價值，也導致DDR4與DDR5大缺貨，同時帶旺整個存儲器產業。謝金河在臉書發文指出，韓國是今年全亞洲表現最亮眼的股市，尤其自總統李在明上任后，韓股從2284.71點一路漲到3617.86點，漲幅高達58.35%。 這波
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DRAM SK海力士
DRAM缺貨潮加速顯現，在中國十一長假期間，存儲器市場詢單備貨的動能不增反減，短期內現貨價格持續飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調漲約8%。 盡管終端消費市場需求平淡，但各家存儲器模組廠觀察到市場價格漲勢兇猛，包括臺系業者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報價，等待長假結束后更明確的漲價行情。 據悉，此波暫停報價儼然已形成了連鎖效應，威剛率先從上周實施暫停報價，以缺貨最為嚴重的DDR4、DDR5為主，而NAND Flash、固態硬盤（SSD）等產品仍維持繼
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內存模組 DRAM
據悉，三星電子和海力士半導體（現SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護工業技術法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權準予保釋。此外，據報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
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DRAM 三星 海力士
各大存儲器企業正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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存儲器 1c DRAM AI HBM 三星 SK海力士 美光
AI帶動存儲器市況快速回溫，內存大廠美光（Micron）日前曾暫停報價，隨著財報公布后，已恢復對外報價，DRAM及NAND Flash雙雙應聲上漲，除了即將停產的DDR4供應稀缺下，漲幅最高超過2成，DDR5也呈現強勁漲勢。 供應鏈指出，近期云端服務（CSP）客戶搶貨積極，帶動服務器相關產品價格明顯反彈，若終端報價調漲一舉成功，上游內存顆粒第4季價格也將順應接受調漲。美光執行副總裁暨業務執行長Sumit Sadana在財報會議后指出，對于2025年會計年度的營運成果感到非常振奮，不僅營收成長了將近50%，
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美光 調漲 DDR5
存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協商根據市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據 EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業消息來源還表
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DRAM NAND 三星 AI 海力士
全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務商（CSP）急單帶動下，正式進入新一輪長線上行。 隨著業界開始惜售，業者預期，10月DDR4與DDR5合約價及現貨價，皆將出現雙位數漲幅。產業界大老指出，這一波內存行情漲得又快又急，可望一路延續到2026年底。根據業界對10月漲幅最新預估，DDR5合約價將上漲10~15%，現貨價漲15~25%; DDR4合約價將上漲逾10%，現貨價漲幅則超過15%，隨著市場供貨趨緊，現貨價漲幅還有進一步拉升的可能。業者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應用與儲存需求強勁，推升NAN
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存儲器 DRAM
隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發式增長，全球對算力的需求正以指數級態勢攀升。然而，人工智能的發展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協同配合。傳統內存已難以滿足 AI 芯片對數據傳輸速度的要求，而高帶寬內存（HBM）憑借創新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統 HBM 已經受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優化功耗表現，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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3D DRAM
據TrendForce集邦咨詢數據顯示，2025年第二季度，全球DRAM產業營收達到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規模的擴大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數產品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續穩居前三。三星在第二季度的表現相對平穩，其售價和位元出貨量均
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DRAM SK海力士
根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
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內存 NAND DRAM
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