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ddr5 dram 文章 最新資訊

英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

  • 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產可行性，目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
  • 關鍵字： 英特爾  軟銀  HBM  DRAM  三星  SK海力士  

三星考慮進行大規(guī)模內部重組

  • 據(jù)韓媒SEDaily報道，三星半導體部門（即DS設備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務的組織運作方式的調整計劃進行最終審議，相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務主要負責芯片設計，在三星半導體體系中承擔著為移動業(yè)務（MX）部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務。然而，近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
  • 關鍵字： 三星  HBM  LSI  DRAM  半導體  晶圓代工  

DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象，預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與 DDR4 產品相比，DDR5 產品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而，DDR5 產品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
  • 關鍵字： DDR5  DRAM  

用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器

  • Bourns 開發(fā)了兩款具有納米晶內核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內存技術規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結構制造，可實現(xiàn)低磁場輻射和納米晶磁芯，以支持高電
  • 關鍵字： DDR5  PMIC  屏蔽式功率電感器  

內存現(xiàn)貨價格更新：DDR4供應緊張大幅漲價 DDR5 逐步啟動

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，現(xiàn)貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格相比 DDR5 產品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與合約市場的情況類似，現(xiàn)貨市場顯示，由于預期未來供應趨緊，DDR4 產品的價格與 DDR5 產品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產品的價格也繼續(xù)逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價格在整個 2Q25
  • 關鍵字： 內存  DDR4  DDR5  

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中

  • 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
  • 關鍵字： Neo Semiconductor  IGZO  3D DRAM  

三星因關稅前囤積而提高DRAM價格，DDR4上漲20%

  • 在特朗普加征關稅之前囤積數(shù)據(jù)推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據(jù)韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎進行談判的，因此最近的上漲預計將在一段時間內支持盈利能力，從而為三星第二
  • 關鍵字： 三星  DRAM  DDR4  

Cadence推出突破性DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內存IP系統(tǒng)解決方案，助力云端AI技術升級

  • 楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業(yè)內對于更大內存帶寬的需求，能適應企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經(jīng)過驗證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產品線，擁有全新的可擴展、可調整的高性能架構。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計算和數(shù)據(jù)中心領域的多家領先客戶建立合作
  • 關鍵字： Cadence  DDR5  MRDIMM   Gen2  內存IP  云端AI  

撐不住, SK海力士DRAM漲12%

  • 全球存儲器市場近期出現(xiàn)顯著價格上漲，消費級存儲器產品價格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動態(tài)，SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%，落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價格上調通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產品實施價格調整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術的快速發(fā)展，持續(xù)推動了對高性能內存的強勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

三星電子將引入VCT技術，未來2到3年推出新型DRAM產品

  • 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產品預計將在未來2到3年內問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術。經(jīng)過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm，VCT技術在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發(fā)團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術是一種新型存儲
  • 關鍵字： 三星電子  VCT  DRAM  

DDR4加速退場，DDR5成為主流

  • 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
  • 關鍵字： DDR4  DDR5  三星  SK海力士  內存  HBM  

瀾起科技Q1利潤翻倍！DDR5市占全球第一

  • 4月23日晚間，瀾起科技披露一季報，2025年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入12.22億元，同比增長65.78%；凈利潤5.25億元，同比增幅達135.14%；扣非后凈利潤為5.03億元，同比增長128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務器平臺兩大產品線。該季度，瀾起科技互連類芯片產品線銷售收入為11.39億元，同比增長63.92%；津逮?服務器平臺產品線銷售收入為0.8億元，同比增長107.38%。對于業(yè)績大幅增長原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場成長強勁，高效運算（H
  • 關鍵字： 瀾起科技  DDR5  存儲  

SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗證， 引領數(shù)據(jù)中心存儲技術創(chuàng)新

  • 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產品。SK海力士表示：“將此產品應用于服務器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產品有望顯著降低客戶在構建并運營數(shù)據(jù)中心時所需的總體擁有成本*。”繼96GB產品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產品的驗證流程。該產品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
  • 關鍵字： SK海力士  CXL 2.0  DDR5  數(shù)據(jù)中心存儲  

高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內存接口功不可沒

  • 高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導體設計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎設施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關。沒錯，“吸金”，各種資金正從各種投資計劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個人工智能資本支出空前高漲的時代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準確估量。但不可否認的是，就在英偉達（Nvidia）、AMD等公司的高性能計算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點的同時，用于存儲訓練和推理模型的高帶寬內存同樣迎來了屬于
  • 關鍵字： 數(shù)據(jù)中心  DRAM  

SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達70%

  • 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據(jù)剩余的5%。SK海力士預期，營收與市占率的增長至少會持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
  • 關鍵字： SK海力士  三星  DRAM  
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