- 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區域也有明顯的標識。
- 關鍵字：
SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
- 功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
- 關鍵字：
SiC 碳化硅 MOSFET
- 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。
- 關鍵字：
SiC 碳化硅 SBD
- 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
- 關鍵字：
SiC 碳化硅 SBD
- SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
- 關鍵字：
SiC 碳化硅
- 碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
- 關鍵字：
SiC 碳化硅
- 意法半導體（ST）作為全球領先的汽車半導體供應商之一，多年前就開始布局新能源汽車領域，在2019年正式成立新能源車技術創新中心，推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發，滿足ASIL D等級。基于AutoSAR的軟件架構和模型化的軟件算法，為客戶前期方案評估和后續開發提供了便利，大大縮短了整個研發周期。
- 關鍵字：
SiC 碳化硅 牽引逆變器
- 電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現各種節能目標的具體數據，圖中是對全球電力消耗狀況的統計。僅就工業領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
- 關鍵字：
ST 碳化硅 汽車 工業 SiC
- 1. 提前預定五年產能，全球半導體硅片進入黃金期！根據SEMI發布的數據顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長了13%，達到126.2億美元。 目前，包括長江存儲和武漢新芯等客戶，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長期供貨協議。其中，2022年1-6月預計交易金額分別為1.55億元、8000萬元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國集成電路銷售額首
- 關鍵字：
半導體 GaN 芯片 產能
- 電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI僅就工業領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節省95.
- 關鍵字：
ST GaN SiC
- 安森美（onsemi）正在執行其fab-liter制造戰略，最終目標是透過擴大毛利率實現可持續的財務業績。安森美於上周簽署一份最終協議，將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產轉移到其全球制造網絡內更高效的晶圓廠，安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結構。安森美總裁兼首席執行官Hassane
El-Khoury表示：「該擬議的資產剝離表明我們正在實現優化的制造網路，同時為我們的客戶提供長期的供應保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續的就業和發展機
- 關鍵字：
安森美 晶圓制造廠 GaN
- 1? ?看好哪類GaN功率器件的市場？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關器件的商用化進程和5 年前（編者注：指2016 年）市場的普遍看法已經發生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發展的，技術只是眾多因素當中的1 個。我個人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應用，包括：快充、服務器/ 通信電源、電機驅動、工業電源、音響、無線充電、激光雷達等，其中快充會繼續引領氮化鎵開關器件的市場成長。相對于硅
- 關鍵字：
202201 GaN 英飛凌
- GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但長期以來，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場前景將如何？GaN技術和應用有何新突破？為此，本媒體邀請了部分GaN資深企業，介紹一下GaN功率器件的新動向。
- 關鍵字：
202201 GaN
gan+sic介紹
您好，目前還沒有人創建詞條gan+sic!
歡迎您創建該詞條，闡述對gan+sic的理解，并與今后在此搜索gan+sic的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
