- 挹注次世代存儲器半導體技術研發投資的三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)為打破存儲器業界最大議題頻寬(bandwith)的上限，正各自尋找解決方法。三星專注于研發高頻寬存儲器(HBM)和次世代SRAM技術，英特爾則正在研發嵌入式DRAM(eDRAM)。
據Digital Times報導，英特爾預計2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，將采用14納米FinFET制程，搭載較Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，
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三星 HBM
- 藍色的戶外頂棚像鼓足的風帆，帆下高朋滿座，來自政府、科學院和企業的領導與學者濟濟一堂，參加7月16日在福建省晉江市舉行的晉華集成電路公司的開工儀式。
晉華素描
據悉，作為國家發展集成電路產業的重大戰略部署，該項目已成為國家首批重點支持的DRAM存儲器生產項目，并獲得國家第一筆專項建設扶持基金30億元。項目總規劃面積594畝，一期投資370億元，建設內容包括晶圓制造、產業鏈配套等，預計2018年9月形成月產6萬片內存晶圓的生產規模。二期形成12萬片產能。并最終期待上市。
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內存 集成電路
- 內存相信大家都聽說過，電腦速度慢了也許身邊的高手會建議我們升級更大容量的內存。那么電腦內存究竟是干什么用的呢?內存容量高低為什么會影響電腦的運行速度呢?這里面有不少的奧秘，不過董師傅相信大家讀完下面這篇文章，一切都會明白了。
帶你先認識一下內存
內存，也叫內存儲器，是一種快速存儲設備，在計算機角色扮演里占據著核心的位置。現在的內存條是一塊長方形薄片狀的電路板，上面焊接有很多黑色“方塊”的存儲芯片，讓人在主板上可以一眼發現它。
內存條
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內存 存儲器
- 聽說繼處理器跑分之后，廠商要拼內存了，明后年手機內存可能會到6-8GB容量，嚇得我趕緊看看我的電腦內存，好像也才4G，理論上說內存容量越大越好，但真的能在體驗上勝過iPhone嗎？好好做軟件優化吧，等把配置堆完了，我看你們怎么辦。
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內存 DARM
- 11 月 27 日訊，你可能覺得現在的手機能有 4GB 的運行內存已經很牛逼了，但三星已經開始量產 128GB 容量的內存芯片。
事實上，三星去年 8 月就宣布推出全球第一款采用 3D TSV 立體硅穿孔封裝技術打造的內存芯片，單條 DDR4 內存條容量高達 64GB。但三星這次要量產的是近期推出的 128GB 內存芯片，容量比去年翻了一倍。
據悉，在這個小小的內存芯片中，三星內置了 144 個芯片，形成了 36×4GB DRAM 封裝，每個封裝中有 4×8Gb 芯
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三星 內存
- 除了在存儲市場上作為老牌廠商的SK海力士之后，韓系的另外一個存儲巨頭的三星也進入了HBM存儲芯片市場，并且開始在2016年第一季度開始大規模生產。而有消息稱SK海力士以及三星將為NVIDIA的帕斯卡系列GPU生產第二代HBM芯片。
業內人士指出，無論是三星電子還是SK海力士都正在計劃為NVIDIA下一代圖形顯卡帕斯卡生產第二代高帶寬顯存芯片，而實現大規模生產的時間預計在2016年的第一季度，但在這之前的試產以及生產的可靠性測試已經由SK海力
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NV HBM
- 作為最老資歷的PC組成部件，內存及內存存儲體系已經擁有了幾十年的歷史，其漫長的發展過程曾伴隨數次重要的變革，但縱觀這些變革，無論是從FP到EDO還是從SD到DDR，在意義上均無法與即將發生的這場革命相提并論，這場革命的名字，叫堆疊內存。
目前，按照堆疊方式及位置的不同，堆疊內存體系可以被分為2.5D和3D兩種存在形式。而又因為內存還依標準不同還劃分成了兩大陣營，分別是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、鎂光/三星
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HBM 美光
- 目前，AMD是唯一一家使用HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲產品)的公司，這要得益于他們和SK Hynix等合作伙伴的長期開發，據說長達8年半之久。
HBM如其名，最大的特點就是高帶寬(確切地說是高位寬)，目前已經可以做到單個顆粒1024-bit，GDDR5的足足32倍。同時，HBM每個堆棧的帶寬可以突破100GB/s，GDDR5的四五倍。
更關鍵的是，HBM的電壓要求僅僅1.3V，低于GDDR5 1.5V，更加的節能。
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AMD HBM
- 全球內存條市場十大廠商，中國竟排名二名。
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內存 DRAM
- 剛剛我們報道了大唐電信旗下的聯芯計劃收購美國Marvell(美滿)，從而加強自己在4G芯片制造領域的話語權，而在前不久清華紫光更是提出要在5年內投入300億元，目標拿下全球手機芯片份額第一，進入全球半導體設計公司前三。雖然在西方投資者眼中，半導體產業已是糟糕的生意，但中國芯片企業因為發展較慢，資本市場仍舊努力推動著前進的步伐，包括在背后做支撐的“國家集成電路產業投資基金”。
據EETimes報道，曾任大唐電信總裁現任中國半導體產業協會副主席的魏少軍在接受專訪時表示，中國的
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自主處理器 內存
- 軟件開發者都知道內存存取要比磁盤存取快得多，所以他們會盡可能的在內存中執行大部分任務。但加拿大兩所大學的研究人員在預印本網站上發表了一篇受爭議的論文(PDF)，宣稱內存存取未必比磁盤存取快。他們創建了1MB大小的字符串，然后寫入磁盤。他們發現，在內存中完成大部分工作比反復的寫入磁盤要慢得多。開發者認為研究人員缺乏編程的經驗。
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內存 磁盤
- TrendForce最新研究報告顯示，隨著中國市場近幾年的蓬勃發展與政策開放，GDP成長率呈現高度的成長，所伴隨而來的就是驚人的消費潛力，無論是PC、智能型手機與平板市場都把中國市場列入第一戰區。TrendForce旗下權威內存研究機構DRAMeXchange最新數據顯示，以2Gb顆粒來換算，2014年中國市場在DRAM與NAND的消化量已經高達47.89億與70.36億，分別占全球產能19.2%與20.6%。
從DRAM市場來觀察，PC-DRAM在中國市場的消化量已經來到15%，內需市場的強勁
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內存 DRAM Flash
- 按照蘋果封閉式NAND控制IC策略，蘋果NAND Flash控制IC可能由韓國SK Hynix海力士NAND芯片廠提供，或由蘋果自行設計。由于此次可能因NAND控制IC出錯導致128GB容量的iPhone 6 Plus系統崩潰，蘋果可能會轉變NAND控制IC策略，改為外購，為臺灣群聯等業者增添新一輪的轉單可能。
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蘋果 內存 控制IC
- 摘要：本文通過采用合適的過電流和過電壓保護元件，生產商可保證其產品成為用戶生活不可或缺的一部分。選擇正確的保護元件也保證了各應用產品符合安全和功能因素相關的規章條例的要求。
許多用戶都沒有意識到他們自己每天在使用的電子設備存在著最大的風險。電路保護是所有電子設備必有的特性——不論是車載、家用或是工用電子設備——因為只要人體接觸含敏感電子半導體的器件，就會出現ESD(靜電放電)現象。
如果周圍的空氣特別干燥，比如天氣正好非常炎熱或非常寒冷，剛把
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電路保護 ESD TVS 集成電路 HBM 201411
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