《科創板日報》17日訊，SK海力士計劃于2026年在其HBM生產中采用混合鍵合，目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠，用于測試混合鍵合工藝。混合鍵合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊，并增加帶寬。
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SK 海力士 HBM 混合鍵合技術
在半導體存儲領域，參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競爭已經延續到HBM3e。而近日，行業標準制定組織固態技術協會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發了業界關注，這似乎也預示著HBM領域新的戰場已經開啟...?堆棧通道數較HBM3翻倍?據悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標準的下一個版本：HBM4標準即將完成定稿。圖片來源：JEDEC官網截圖HBM4是目前發布的HBM3標準的進化版，旨在進一步提高數據處理速率，同時保持更高的帶寬、
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HBM 半導體 存儲
IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學 6 月 12 日宣布開發出新型半導體后端制造設備，可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案。▲ 蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產成本的同時也縮短了先進封裝流程。▲ 2.5D 集成結構對比信越表示，該新型后端設備采用準分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復雜電路圖案，達到了傳統制造路線無法企及的精細度。結合信越化學開發的光
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AI應用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內存廠，積極投入高帶寬內存（HBM）產能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產封裝。HBM經歷多次迭代發展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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財聯社7月4日電，韓國媒體NewDaily報道稱，三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達的產品測試，三星將很快就大規模生產HBM并供應給英偉達一事展開談判。
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隨著人工智能技術快速發展，AI芯片需求正急劇上升，推動先進封裝以及HBM技術不斷提升，硅晶圓產業有望從中受益。近期，環球晶董事長徐秀蘭對外透露，AI所需的HBM內存芯片，比如HBM3以及未來的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆疊，層數從12層到16層增加，同時結構下面還需要有一層基底的晶圓，這增加了硅晶圓的使用量。此前，媒體報道，AI浪潮之下全球HBM嚴重供不應求，原廠今明兩年HBM產能售罄，正持續增加資本投資，擴產HBM。據業界透露，相較于同容量、同制程的DDR5等內存技術，HBM高帶寬存儲芯片晶圓
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AI人工智能應用持續推動存儲器市場前行，其中HBM（高帶寬內存）是當之無愧的“寵兒”，不斷吸引存儲器廠商加大資本支出與擴產。與此同時，存儲器市場新的力量已經悄然形成，GDDR7有望接過HBM大棒，在AI浪潮下繼續推動存儲器市場穩步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數據傳輸能力，可為AI計算提供強大支持，不過GDDR7與HBM在技術、應用場景與性能表現方面略有不同。GDDR7主要用于增強GPU的可用帶寬和內存容量，是GDDR家族的最新一代技術。今年3月
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內存大廠美光預計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預期，美光經營層將大談需求改善、行業供應緊張、價格進一步上揚，以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發展，提出對后市正向的看法。由于AI應用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現象，意思是「害怕錯失機會」，在美光
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在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動市場對于高帶寬內存（HBM）需求大幅增長，造成產能緊張。知情者透露，美國內存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產量，正在美國打造多條測試生產線以求擴大產能，并首度考慮在馬來西亞生產HBM，同時擴大在臺中的產能。 日本經濟新聞20日報導，美光今年6月初曾經表示目標在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領域追上韓國SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴大其愛達荷州博伊
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IT之家 6 月 18 日消息，據韓媒《韓國經濟日報》報道，三星電子將于年內推出可將 HBM 內存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。報道同時指出，在今年發布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內存中正式應用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內存裸片。報道
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有報導稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應測試，強調將繼續合作，確保品質和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應，努力提高所有產品品質和可靠性，也嚴格測試HBM產品的品質和性能，以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開始量產第五代HBM產品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
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三星 內存 HBM
5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道，三星電子發布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業伙伴持續合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
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三星 HBM 內存芯片 英偉達
5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道，三星電子發布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業伙伴持續合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
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IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內存供應談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規模和價格。美光預計 HBM 內存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創造數億美元量級的營收，而在 25 財年相關業務的銷售額將增加到數十億美元。美光預測，未來數年其 HBM 內存位元產能的復合年增長率將達到 50%。為了應對 HBM 領域的強勁需求，美光調升了本財年資本支出的預計規模，從 75~80 億美
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