久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> hbm

hbm 文章 最新資訊

三星率先交付全球首款商用HBM4，速率從11.7 Gbps提升至13 Gbps

  • 就在美光（Micron）剛剛駁斥“HBM4被擱置”的傳聞后，另一家存儲(chǔ)巨頭三星（Samsung）隨即宣布已啟動(dòng)HBM4的量產(chǎn)，并開(kāi)始出貨首批商用產(chǎn)品，在這一關(guān)鍵市場(chǎng)中取得先發(fā)優(yōu)勢(shì)。根據(jù)其新聞稿，三星利用先進(jìn)的第六代10納米級(jí)（1c）DRAM工藝和4納米邏輯芯片制程，從一開(kāi)始就實(shí)現(xiàn)了高良率與峰值性能，無(wú)需任何重新設(shè)計(jì)。值得注意的是，三星強(qiáng)調(diào)其HBM4可穩(wěn)定提供11.7 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，比目前行業(yè)主流的8 Gbps標(biāo)準(zhǔn)快約46%。這也比上一代HBM3E（最高9.6 Gbps）提升了1.22倍。此外，公
  • 關(guān)鍵字： 三星  HBM  

三星HBM4將于農(nóng)歷新年后率先出貨，初期市占率預(yù)計(jì)約25%

  • 隨著英偉達(dá)（NVIDIA）計(jì)劃于2026年3月中旬在GTC大會(huì)上推出下一代AI加速器“Vera Rubin”，三星與SK海力士在HBM4（第四代高帶寬內(nèi)存）領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)正引發(fā)市場(chǎng)高度關(guān)注。據(jù)韓聯(lián)社（Yonhap News）和《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞》（Hankyung）報(bào)道，三星有望成為全球首家在農(nóng)歷新年后實(shí)現(xiàn)HBM4量產(chǎn)并出貨的廠商，但其初期市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)僅在25%左右。《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞》援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，英偉達(dá)已于2025年底初步分配了HBM4的采購(gòu)份額：SK海力士獲得最大份額，約為55%；三星位居第二，占比約25
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)  HBM  三星  

三星可能在下個(gè)月開(kāi)始為英偉達(dá)量產(chǎn)HBM4芯片

  • 三星用于人工智能加速器的 HBM3 與 HBM3E 芯片此前均存在性能問(wèn)題。為獲得英偉達(dá)的認(rèn)證許可，三星去年不得不對(duì)其 HBM3E 芯片進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。即便如此，這些經(jīng)過(guò)改版的 HBM3E 芯片也僅用于英偉達(dá)在中國(guó)市場(chǎng)銷(xiāo)售的部分特定人工智能加速器產(chǎn)品中。而如今三星的市場(chǎng)地位得到顯著鞏固，其研發(fā)的 HBM4 芯片據(jù)悉已接近通過(guò)英偉達(dá)的認(rèn)證。三星 HBM4 芯片即將完成英偉達(dá)的認(rèn)證流程，預(yù)計(jì)于 2026 年 2 月啟動(dòng)量產(chǎn)。該款芯片已于 2025 年 9 月送交英偉達(dá)，目前已進(jìn)入最終的質(zhì)量驗(yàn)證階段。一旦量產(chǎn)啟動(dòng)
  • 關(guān)鍵字： ?三星  人工智能  HBM  英偉達(dá)  

據(jù)稱三星正推進(jìn) 2 納米定制 HBM 邏輯芯片的開(kāi)發(fā)

  • 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星半導(dǎo)體正推進(jìn)一項(xiàng)針對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的全新 2 納米工藝項(xiàng)目，計(jì)劃為不同客戶需求開(kāi)發(fā)定制化 HBM 邏輯芯片。 報(bào)道引述業(yè)內(nèi)人士稱，盡管具體客戶名單尚未披露，但三星 HBM 開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)著手為下一代產(chǎn)品預(yù)研使用“先進(jìn)至 2 納米”的晶圓代工制程，為未來(lái)數(shù)代 HBM 解決方案奠定基礎(chǔ)。目前尚不清楚該計(jì)劃最終將采用三星自家代工體系中的 SF2 還是 SF2P 等 2 納米節(jié)點(diǎn)。現(xiàn)有信息顯示，三星的第六代 HBM 產(chǎn)品線（HBM4）預(yù)計(jì)將基于 4 納米制程，外界普遍推測(cè)來(lái)自
  • 關(guān)鍵字： 三星  2 納米  HBM 邏輯芯片  

據(jù)報(bào)道，三星首次將定制HBM邏輯芯片引入2nm代工工藝

  • 三星正在加大對(duì)定制HBM邏輯芯片的開(kāi)發(fā)力度。據(jù)ZDNet報(bào)道，消息人士稱公司正在設(shè)計(jì)用于定制HBM的邏輯芯片，采用先進(jìn)的代工工藝節(jié)點(diǎn)如2nm。報(bào)道補(bǔ)充說(shuō)，三星電子此前已將4nm工藝應(yīng)用于HBM4（第六代HBM）所用的邏輯芯片，該芯片將于今年進(jìn)入商業(yè)生產(chǎn)。報(bào)告解釋說(shuō)，隨著 HBM 技術(shù)的進(jìn)步，邏輯芯片的設(shè)計(jì)和制造方法也相應(yīng)演進(jìn)。自計(jì)劃于2026年量產(chǎn)的HBM4起，邏輯芯片采用代工工藝制造，而非傳統(tǒng)的DRAM工藝，體現(xiàn)了代工制造的性能和能效優(yōu)勢(shì)。關(guān)于三星電子，報(bào)告稱該公司采用了4納米工藝制造HBM4邏輯芯片。
  • 關(guān)鍵字： 三星  HBM  

終極3D集成，將顛覆未來(lái)的GPU

  • 當(dāng)HBM疊上GPU，散熱難題如何成為算力突破的 “攔路虎”？
  • 關(guān)鍵字： HBM  

終極的3D集成將造就未來(lái)的顯卡

  • 深入了解AMD或英偉達(dá)最先進(jìn)的AI產(chǎn)品包裝，你會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)熟悉的布局：GPU兩側(cè)被高帶寬內(nèi)存（HBM）覆蓋，這是市面上最先進(jìn)的內(nèi)存芯片。這些內(nèi)存芯片盡可能靠近它們所服務(wù)的計(jì)算芯片，以減少人工智能計(jì)算中最大的瓶頸——將數(shù)十億比特每秒從內(nèi)存轉(zhuǎn)化為邏輯時(shí)的能量和延遲。但如果你能通過(guò)將 HBM 疊加在 GPU 上，讓計(jì)算和內(nèi)存更加緊密結(jié)合呢？Imec最近利用先進(jìn)的熱仿真探討了這一情景，答案在2025年12月的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上給出，頗為嚴(yán)峻。3D疊加會(huì)使GPU內(nèi)部的工作溫度翻倍，使其無(wú)法使用。但
  • 關(guān)鍵字： Imec  GPU  HBM  封裝  

HBM刻蝕設(shè)備據(jù)稱將進(jìn)入超級(jí)周期

  • 在存儲(chǔ)行業(yè)深陷人工智能（AI）驅(qū)動(dòng)的繁榮浪潮之際，各大存儲(chǔ)廠商正一致將戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)向具備高帶寬、大容量、低功耗特性的 AI 導(dǎo)向型存儲(chǔ)解決方案。隨著高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求持續(xù)激增，部分廠商 2026 年的 HBM 產(chǎn)能已被完全預(yù)訂一空，這一趨勢(shì)將使 HBM 相關(guān)設(shè)備供應(yīng)商直接受益。由于 HBM 采用多層堆疊式 DRAM 架構(gòu)，其堆疊層數(shù)會(huì)隨性能需求不斷增加。這一特點(diǎn)導(dǎo)致芯片間互連工藝更趨復(fù)雜，同時(shí)顯著增加了所需的加工步驟。除國(guó)際設(shè)備巨頭外，中國(guó)設(shè)備供應(yīng)商也在積極布局 HBM 設(shè)備領(lǐng)域，產(chǎn)品覆蓋刻蝕、沉積
  • 關(guān)鍵字： HBM  刻蝕設(shè)備  

HBF、HMC等四大存儲(chǔ)，誰(shuí)能力敵HBM

  • HBM（高帶寬內(nèi)存）作為當(dāng)前 AI 加速器 GPU 的核心配置，憑借垂直堆疊的薄 DRAM 芯片結(jié)構(gòu)，以超高數(shù)據(jù)帶寬為 AI 訓(xùn)練與推理提供了關(guān)鍵支撐，成為 AI 算力爆發(fā)的重要基石。然而，HBM 存在兩大顯著短板：一是成本居高不下，其價(jià)格較普通 DDR 內(nèi)存高出一個(gè)數(shù)量級(jí)；二是容量增長(zhǎng)受限，受限于 DRAM 內(nèi)存密度縮放的技術(shù)瓶頸，即便如英偉達(dá) Blackwell GPU 搭載 8 個(gè) 24GB HBM3e 芯片堆棧（總?cè)萘?192GB），也難以滿足模型規(guī)模爆炸式增長(zhǎng)、上下文長(zhǎng)度拓展及 AI
  • 關(guān)鍵字： HBF  HMC  HBM  

據(jù)報(bào)道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領(lǐng)需求

  • 隨著人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的逐步擴(kuò)充，內(nèi)存供應(yīng)緊張，價(jià)格飆升。《商業(yè)時(shí)報(bào)》援引行業(yè)專家的話，預(yù)測(cè)云高速內(nèi)存消耗到2026年可能達(dá)到3艾字節(jié)（EB）。值得注意的是，考慮到高速內(nèi)存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報(bào)告警告稱人工智能實(shí)際上可能占全球DRAM供應(yīng)近20%。報(bào)告指出，3EB預(yù)計(jì)將由三個(gè)關(guān)鍵組成部分驅(qū)動(dòng)。首先，跨主要平臺(tái)——谷歌（Gemini）、AWS（Bedrock）和OpenAI（ChatGPT）——的核心推理工作負(fù)載預(yù)計(jì)實(shí)時(shí)內(nèi)存需求將達(dá)到約750PB。考慮到實(shí)際部署所需的冗余和安全裕度，這一
  • 關(guān)鍵字： AI  DRAM  HBM  存儲(chǔ)  

富士通加入軟銀-英特爾Saimemory項(xiàng)目，打造HBM替代方案

  • 這項(xiàng)耗資5200萬(wàn)美元的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目目標(biāo)是在本世紀(jì)末前完成批量生產(chǎn)。 軟銀將向Saimemory出資2000萬(wàn)美元。富士通和日本理研國(guó)立研究院將出資700萬(wàn)美元。日本政府預(yù)計(jì)還將補(bǔ)貼部分費(fèi)用。Saimemory旨在開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)容量為HBM的2到3倍，且功耗減半且價(jià)格相當(dāng)或更低的內(nèi)存。它將使用英特爾和東京大學(xué)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和專利。新興電氣工業(yè)和Powerchip半導(dǎo)體負(fù)責(zé)制造和原型制作。英特爾將提供由DARPA資助開(kāi)發(fā)的堆疊技術(shù)。Saimemory的方法是利用新穎的互聯(lián)技術(shù)堆疊標(biāo)準(zhǔn)DRAM芯片。另一家采用相同
  • 關(guān)鍵字： 富士通  軟銀  英特爾  Saimemory  HBM  替代方案  

華為發(fā)力存儲(chǔ)單元：自研HMC獨(dú)辟蹊徑，從統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)走向系統(tǒng)定制

  • 近期，關(guān)于華為自研存儲(chǔ)單元HMC（Hybrid Memory Cube，混合內(nèi)存立方體）的討論也在升溫，但需要明確的是HMC并非傳統(tǒng)意義上的HBM替代方案。華為在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域已推出多款自研產(chǎn)品，覆蓋高帶寬內(nèi)存、固態(tài)存儲(chǔ)及AI存儲(chǔ)等方向，旨在提升算力效率并降低對(duì)外依賴。?HBM和HMC兩類方案的區(qū)別從技術(shù)實(shí)現(xiàn)上看，HBM依賴中介層實(shí)現(xiàn)超寬位寬和極高帶寬密度，帶寬可達(dá)1024-bit甚至更高，但封裝復(fù)雜、成本高。相較之下，HMC則通過(guò)ABF載板實(shí)現(xiàn)直接互聯(lián)，取消中介層，結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)潔、延遲更低，但帶寬能力通常弱于
  • 關(guān)鍵字： 華為  存儲(chǔ)  HMC  HBM  AI  

三星HBM4據(jù)報(bào)道在博通測(cè)試中超預(yù)期，預(yù)計(jì)領(lǐng)跑2026年谷歌TPU供應(yīng)

  • 谷歌的TPU作為NVIDIA的有力替代方案正逐漸獲得關(guān)注，三星也成為ASIC趨勢(shì)的受益者。據(jù)《朝鮮商務(wù)》報(bào)道，三星電子正在向全球最大的ASIC設(shè)計(jì)公司博通供應(yīng)HBM，其第六代HBM（HBM4）據(jù)報(bào)道已在測(cè)試中超過(guò)博通的初始性能目標(biāo)。報(bào)告中引用的消息人士指出，三星的HBM4預(yù)計(jì)將在2026年全面供應(yīng)，在博通的評(píng)估中表現(xiàn)優(yōu)于其早期的性能目標(biāo)。繼此前幾年落后于SK海力士后，三星試圖通過(guò)增強(qiáng)DRAM和邏輯芯片技術(shù)來(lái)區(qū)分其HBM4產(chǎn)品。報(bào)告補(bǔ)充稱，迄今為止，半導(dǎo)體行業(yè)總體上給予了積極評(píng)價(jià)。報(bào)告指出，三星目前通過(guò)博通
  • 關(guān)鍵字： HBM  谷歌  三星  

面對(duì)中國(guó)AI對(duì)手，英偉達(dá)卡緊“產(chǎn)能”和“存儲(chǔ)”的脖子

  • 最可怕的不是中國(guó)廠商在硬件上迫近英偉達(dá)最先進(jìn)的AI芯片，而是中國(guó)對(duì)手們借由自己的芯片發(fā)展自己的專有軟件和技術(shù)棧
  • 關(guān)鍵字： OpenAI  英偉達(dá)  AI  存儲(chǔ)  HBM  臺(tái)積電  

三大存儲(chǔ)器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場(chǎng)

  • 各大存儲(chǔ)器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對(duì) 1c（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開(kāi)始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃。美光本月還獲得了日本政府的補(bǔ)貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動(dòng)采用 6c DRAM。SK海力士和美光計(jì)劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  1c DRAM  AI  HBM  三星  SK海力士  美光  
共140條 1/10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473