據韓媒報道，被韓媒譽為“HBM之父”的韓國科學技術院（KAIST）電氣工程系教授金仲浩表示，高帶寬閃存（HBF）有望成為下一代AI時代的關鍵存儲技術，并將與HBM并行發展，共同推動各大芯片廠商的性能增長。HBF的設計理念與HBM類似，都利用硅通孔（TSV）連接多層堆疊芯片。不同的是，HBM以DRAM為核心，而HBF則利用NAND閃存進行堆疊，具有“更高容量、更劃算”的優勢。Kim Joung-ho指出，雖然NAND比DRAM慢，但其容量通常大10倍以上。有效地堆疊數百層甚至數千層，可以滿足AI模型的海量存
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根據 The Elec 的報道，KAIST 教授金正浩指出，HBF（高帶寬閃存）——像 HBM 一樣堆疊的 NAND 閃存——可能成為 AI 未來的決定性因素。正如報道解釋的那樣，HBF 在結構上與 HBM 相似，芯片堆疊并通過硅通孔（TSV）連接。關鍵的區別在于 HBF 使用 NAND 閃存代替了 DRAM。AI 瓶頸主要受限于內存帶寬報告指出，金（Kim）強調當前 AI 受限于內存帶寬和容量。他解釋說，今天的基于 Transformer 的模型可以處理高達 100 萬個 token
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SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的開發，并最終準備好大規模生產——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據其新聞稿，該公司現在已準備好按照客戶的時間表交付頂級 HBM4。在其新聞稿中，SK hynix 強調，其現已成為大規模生產準備的 HBM4 提供了業內領先的數據處理速度和能效。通過采用 2,048 個 I/O 端，帶寬已翻倍——是上一代的兩倍，而能效提高了 40%以上。該公司還預計 HBM4 將使 AI 服務性能提高高達 69%，有助于克服數據瓶頸，并顯著降低數據中心電力成本，據
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隨著下一代 HBM 的競爭加劇，內存巨頭正在為 NVIDIA 的 Rubin 的需求激增做準備。根據 ZDNet 的報道，NVIDIA 計劃在 2026 年第一季度完成 HBM4 最終資格測試。然而，EE Times 指出，隨著美國芯片制造商在 GPU 開發方面迅速前進，標準難以跟上步伐，定制 HBM 解決方案對于與 GPU 和加速器推出保持一致至關重要。EE Times 援引 Advantest 高級總監、內存產品營銷經理 Jin Yokoyama 的話指出，與過去需要四到
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在AI需求爆發與高價值產品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現量價齊升。根據CFMS最新數據，二季度市場規模環比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發優勢，二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續第二個季度穩居全球第一，并進一步拉開與三星的差距。· 三星以107.58億美元收入位列第二，環比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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在發布用于減少中國 HBM 依賴的 AI 推理加速工具 UCM（統一計算內存）后不久，華為再次在內存領域引起轟動，據中國媒體guancha.cn 和 國家商業日報 稱，華為計劃于 8 月 27 日推出一款新的 AI SSD如國家商業日報的報道所述，這一舉措表明華為正憑借其最新的 AI SSD 步入全球 AI 內存競賽，加入了鎧俠和美光等內存巨頭。報道補充說，鎧俠已制定了一個以 AI 驅動存儲創新、SSD 擴展和資本效率為中心的中長期計劃，以加強其在 NAND 市場的地位，而美
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根據韓國媒體韓聯社援引消息人士的話，英偉達計劃從 2027 年下半年開始承擔 HBM 價值鏈中“邏輯芯片”的設計工作，這是一個核心組件，同時計劃多樣化其來源。報道指出，行業消息人士認為英偉達的策略是為了重新平衡其與關鍵合作伙伴如臺積電和 SK 海力的關系，削弱他們的談判能力，并控制供應成本。報道強調，SK 海力和其他內存制造商迄今為止都是內部生產邏輯芯片。然而，下一代 HBM4——將于今年下半年開始大規模生產——正推動向代工生產轉型。SK 海力已選擇臺積電承擔這一角色，報道指出，行業消息人士認為美光也將這
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雖然當地媒體關注華為減少中國 HBM 對人工智能推理的依賴，但這家科技巨頭在 8 月 12 日發布了 UCM（統一計算內存）——據我的駕駛和證券時報報道，這是一種人工智能推理突破，可大幅降低延遲和成本，同時提高效率。值得注意的是，報道表明華為將在 2025 年 9 月開源 UCM，首先在 MagicEngine 社區推出，然后貢獻給主流推理引擎，并與 Share Everything 存儲供應商和生態系統合作伙伴分享。UCM 的變革性功能《證券時報》援引華為數字金融 CEO 曹健的話指出，高延遲和高成本仍
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全球領先的自動測試設備和機器人供應商泰瑞達近日宣布推出新一代內存測試平臺Magnum 7H，旨在滿足高性能生成式AI服務器中GPU和加速器所集成的高帶寬內存（HBM）芯片測試的嚴苛要求。Magnum 7H專為大規模HBM堆疊裸片測試而設計，具備高同測數、高速和高精度三大特性。行業領先的HBM制造商已開始使用泰瑞達Magnum 7H平臺進行HBM芯片的量產測試并出貨，產能得到大幅提升。泰瑞達內存測試事業部總裁Young Kim表示：“我們隆重推出Magnum 7H，這是一款革新性的內存測試平臺，它重新定義了
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在漫威電影宇宙中，鋼鐵俠的 AI 管家賈維斯，能理解復雜指令、實時提供各類信息、輔助戰甲高效運行，為觀眾描繪出強大的 AI 應用場景。如今，隨著移動 HBM 技術的發展，我們的手機也在邁向具備類似強大 AI 能力的設備。那么，從移動 HBM 到「賈維斯」般的智能體驗，我們還有多少距離？移動HBM，到底是什么？在深入探討移動 HBM 之前，先來了解一下傳統內存技術在移動設備中的局限性。以智能手機為例，隨著 AI 攝影、AI 語音助手等功能的普及，手機需要在短時間內處理大量的數據。在拍攝一張 AI
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據全球咨詢公司麥肯錫7月20日發布的報告顯示，包括英偉達、臺積電、博通等在內的半導體行業前5%（按年銷售額計算）的公司，包攬了2024年該行業創造的全部利潤。前5%的半導體公司獲得的經濟利潤高達1590億美元，而中間90%的公司利潤僅為50億美元，排名后5%的公司實際虧損370億美元。實際上，前5%的半導體公司獲得的成績單超過整個半導體市場創造的經濟利潤（1470億美元）。這一市場轉變僅用了2~3年時間。在新冠疫情期間（2021-2022年），中間90%的企業每年獲得的經濟利潤超過300億美元。換算成每家
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根據 ZDNet 在 25 日的報道，引用行業消息人士稱，全球領先的半導體后端設備制造商預計將在 2025 年下半年擴大其 HBM 混合鍵合業務。BESI 預計 2025 年下半年混合鍵合訂單將增長7 月 24 日，荷蘭設備制造商 BESI 在其 2025 年第二季度財報中表示，預計第三季度將表現強勁，先進封裝設備訂單（包括混合鍵合系統）將增加。該公司指出，混合鍵合工具的需求預計在 2025 年下半年將顯著增長——與上半年相比，也與 2024 年同期相比——因為客戶
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隨著英偉達以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據高盛稱，經濟日報報道，競爭加劇和供過于求可能導致 2026 年首次出現 HBM 價格下跌——這對市場領導者 SK hynix 構成挑戰。值得注意的是，據高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數。此外，競爭加劇以及定價權向主要客戶轉移（SK hynix 受影響嚴重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據高盛的預測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應的顯著增加
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隨著主要內存制造商將產能轉向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據商業時報的報道，三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調查也顯示，三大 DRAM 供應商正在將產能轉向高端產品，并已開始宣布 PC 和服務器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產計劃。因此，預計 2025 年第三季度的傳統 DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內，整體 DRAM 價格預計將上漲 15%至 2
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Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導體業務表現不佳，該業務占整體利潤的 50-60%。由于持續的技術問題，高帶寬內存（HBM）和其他高容量、高附加值內存產品未能從蓬勃發展的人工智能（AI）領域獲益。代工（合同芯片制造）和系統 LSI 業務也因未能爭取到主要客戶而繼續虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規模生產批準的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內存庫存得到清理，人們對業績反彈的預期正在增長。根據行業消息，7 月 8 日三星電子的設備解決方案（DS）部
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