在存儲行業深陷人工智能（AI）驅動的繁榮浪潮之際，各大存儲廠商正一致將戰略重心轉向具備高帶寬、大容量、低功耗特性的 AI 導向型存儲解決方案。隨著高帶寬內存（HBM）的需求持續激增，部分廠商 2026 年的 HBM 產能已被完全預訂一空，這一趨勢將使 HBM 相關設備供應商直接受益。

由于 HBM 采用多層堆疊式 DRAM 架構，其堆疊層數會隨性能需求不斷增加。這一特點導致芯片間互連工藝更趨復雜，同時顯著增加了所需的加工步驟。

除國際設備巨頭外，中國設備供應商也在積極布局 HBM 設備領域，產品覆蓋刻蝕、沉積、鍵合、檢測等多個細分環節。

北方華創（NAURA）可提供 HBM 芯片制造所需的一系列核心設備，包括深硅刻蝕、薄膜沉積、熱加工、濕法清洗及電鍍設備。

中微公司（Maxwell）表示，其高選擇性刻蝕工具和混合鍵合設備可應用于 DRAM（HBM）工藝。該公司的刻蝕與薄膜沉積設備已在存儲芯片和邏輯芯片制造中獲得廣泛應用。

至純科技（U-Precision）提供的化學機械拋光（CMP）設備、減薄設備、劃片設備及邊緣拋光設備，是 HBM、晶圓級系統集成（CoWoS）等芯片堆疊與先進封裝工藝的關鍵核心設備，已獲得多家頭部客戶的廣泛采用。