據韓國媒體報道，三星半導體正推進一項針對高帶寬內存（HBM）的全新 2 納米工藝項目，計劃為不同客戶需求開發定制化 HBM 邏輯芯片。 報道引述業內人士稱，盡管具體客戶名單尚未披露，但三星 HBM 開發團隊已經著手為下一代產品預研使用“先進至 2 納米”的晶圓代工制程，為未來數代 HBM 解決方案奠定基礎。

目前尚不清楚該計劃最終將采用三星自家代工體系中的 SF2 還是 SF2P 等 2 納米節點。

現有信息顯示，三星的第六代 HBM 產品線（HBM4）預計將基于 4 納米制程，外界普遍推測來自 SF4 家族節點。 一位不愿具名的公司內部人士透露，三星電子正在系統 LSI 事業部下去年新成立的定制 SoC 團隊主導下，為 HBM 設計定制邏輯芯片，并構建覆蓋 4 納米到 2 納米的工藝組合，以響應不同客戶的多元化需求。

業界分析認為，面向未來的超高性能 AI 加速器將高度依賴性能與帶寬更為前沿的 HBM 模組。 隨著 2 納米邏輯芯片真正落地，企業級 AI 市場被寄望會出現“強勁”需求增長，這一時間點很可能要等到第七代產品 HBM4E 之后，即 2027 年以后。