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sic fets 文章 最新資訊

英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅動IC，加速SiC方案設計

  • 英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現(xiàn)有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業(yè)與能源系統(tǒng)設計的工程師而言，這一產品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設計控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當前柵極驅動器性能正不斷演
  • 關鍵字： 英飛凌  IC  SiC  

SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

  • 汽車零部件供應商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應晶體管裸片，是雙方戰(zhàn)略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能是通過邏輯信號控制驅動電機，并生成驅動電機運轉所需的高頻電流。牽引逆變器作為電動汽車高壓電池與驅動電機之間的橋梁，核心作用是將電池輸出的直流電轉換為交流電，進而精準調控電機的轉速、扭矩等關鍵運行參數(shù)。目前，市面上的電動汽車大多搭載 400V 電壓平臺的電池包。為實現(xiàn)更快的充電速度與更高的系
  • 關鍵字： SiC  電動汽車  高壓  逆變器  功率模塊  

功率電路進階教程：SiC JFET 如何實現(xiàn)熱插拔控制

  • 本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過
  • 關鍵字： 安森美  功率電路  SiC JFET  熱插拔控制  

功率電路進階教程：固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個理由

  • 本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過浪涌電流、應對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態(tài)斷路器。本文為系列教程的第二部分，將介紹SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由。斷路器制造商首要關注的是發(fā)熱問題。 所有半導體在電流流過其中時都會產生熱量。 這種熱量可以用導通電阻來衡量， 其表示符號為 RDS(on) 。當然，
  • 關鍵字： 安森美  功率電路  固態(tài)斷路器  SiC JFET  

聚焦固態(tài)斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

  • 輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級持續(xù)提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現(xiàn)的最大故障電流已達到前所未有的水平，對保護裝置的響應速度與耐受能力提出了更嚴苛的要求，超快速交流/直流斷路器由此成為關鍵需求。在過去很長一段時間里，機械斷路器（EMB）始終是這類保護場景的主流選擇。但隨著用電場景對可靠性、響應速度的要求不斷升級，傳統(tǒng)機械斷路器的局限性逐漸凸顯，而固態(tài)斷路器（SSCB
  • 關鍵字： 安森美  固態(tài)斷路器  SiC  JFET  

Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業(yè)能源管理技術新征程

  • 全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創(chuàng)新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術創(chuàng)新與系統(tǒng)優(yōu)化上的深度融合，共同致力于推動汽車與工業(yè)能源管理領域的發(fā)展。利普思的功率模塊憑借卓越的性能和可靠性，廣泛應用于電動汽車、充電基礎設施、可再生能源系統(tǒng)及工業(yè)功率轉換等高要求場景。隨著市場對高效率、功率密度及可靠性需求的不斷提升，利普思正積極探索能在更高開關頻率與電壓下穩(wěn)定運行的碳化硅（SiC）功率器件。
  • 關鍵字： Melexis  邁來芯  RC緩沖器  利普思  SiC  

SiC市場發(fā)展周期修正

  • Power SiC市場持續(xù)轉型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業(yè)現(xiàn)正進入調整周期。汽車市場放緩導致硅碳需求下降，硅碳供應鏈發(fā)生了轉變。 利用率下降、產能過剩和投資減少的循環(huán)引發(fā)了行業(yè)參與者的擔憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預計到2030年設備收入將接近100億美元。行業(yè)首個重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產能過剩。設備資本支出在2023年達到約30億美元的峰值，導致上游硅碳價值鏈出現(xiàn)顯著產能過剩。20
  • 關鍵字： SiC  yole  

硅質原材料價格上漲，而6英寸基材則引發(fā)價格戰(zhàn)

  • 截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結構分歧的關鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應過剩下持續(xù)暴跌。然而，在應用方面，SiC卓越的導熱率使其成為英偉達Rubin平臺和臺積電先進封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略材料，預示著由高性能計算應用驅動的高價值增長第二波浪潮。硅基價格趨勢：原材料上漲壓力，高端基材價格大幅降幅SiC市場在定價動態(tài)上展現(xiàn)出明顯的差異。一方面，散裝SiC材料的價格——如黑色和綠色SiC粉末及顆粒——一直在上漲。根據包括CIP
  • 關鍵字： 硅質原材料  6英寸  SiC  

安森美已完成獲得奧拉半導體Vcore電源技術授權

  • 安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術及相關知識產權（IP）的授權交易。此項戰(zhàn)略交易增強了安森美的電源管理產品組合與路線圖，加速實現(xiàn)公司在人工智能（AI）數(shù)據中心應用中覆蓋從電網到核心的完整電源樹的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技術領域擁有數(shù)十年的創(chuàng)新積累，為固態(tài)變壓器、電源、800 V直流配電以及核心供電等應用提供行業(yè)領先的解決方案。通過整合這些技術，安森美將成為少數(shù)幾家能夠以可擴展、實用的設計，滿足現(xiàn)代AI基礎設施嚴苛電力需求的公司
  • 關鍵字： 安森美  奧拉  Vcore  碳化硅  SiC  

體積更小且支持大功率！ROHM開始量產TOLL封裝的SiC MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電源、ESS（儲能系統(tǒng)）以及要求扁平化設計的薄型電源等工業(yè)設備。與以往封裝產品相比，新產品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產品的
  • 關鍵字： ROHM  SiC MOSFET  

英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度

  • ●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產品的客戶提供第二供應商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性●? ?此類產品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數(shù)據中心等應用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
  • 關鍵字： 英飛凌  羅姆  ROHM  SiC功率器件  SiC  

羅姆與英飛凌攜手推進SiC功率器件封裝兼容性

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產品，既能靈活滿足客戶的各類應用需求，亦可輕松實現(xiàn)產品切換。此次合作將顯著提升用戶在設計與采購環(huán)節(jié)的便利性。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁　Peter
  • 關鍵字： 羅姆  英飛凌  SiC  

175℃極限突破！SiC JFET 讓固態(tài)斷路器（SSCB）無懼高溫工況

  • 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD） 或接地故障斷路器（GFCI） 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代，如今仍被廣泛應用。與早期的熔斷器設計相比，斷路器具有顯著優(yōu)勢 ——可重復使用，而早期的熔斷器使用一次后就必須更換。如今，隨著寬禁帶半導體技術的發(fā)展，固態(tài)斷路器正占據更大的市場份額。與硅基半導體相比，寬禁帶半導體開關在正常運行期間具有更低的通態(tài)損耗和更高的效率
  • 關鍵字： 安森美  SiC  JFET  固態(tài)斷路器  

SiC推動電動汽車向800V架構轉型，細數(shù)安森美的核心SiC方案

  • 隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流，人們對電動汽車的性能、充電時間和續(xù)航里程的期望持續(xù)攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進行創(chuàng)新，更要深入動力系統(tǒng)架構展開革新。而推動這一演進的關鍵趨勢之一，便是電池系統(tǒng)從400V向800V（乃至1200V）的升級。這種轉變能實現(xiàn)充電提速、功率提升與能源高效利用，但同時也帶來了新的設計挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案，包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車功率模塊(APM)
  • 關鍵字： 安森美  SiC  電動汽車  800V  

SiC和GaN技術重塑電力電子行業(yè)前景

  • 電力電子行業(yè)將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術的需求穩(wěn)步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關聯(lián)的現(xiàn)象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實現(xiàn)碳中和，包括太陽能光伏和風電場在內的可再生能源系統(tǒng)將成為主流。因此，電力電子設備被用于這些系統(tǒng)，以實現(xiàn)高效的能源轉換、電網集成和實時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現(xiàn)在對高性能
  • 關鍵字： SiC  GaN  電力電子  
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