- 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑
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SRAM SoC 低電壓
- Linux下ColdFire片內SRAM的應用程序優化設計,本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統下配置使用處理器片內SRAM的應用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。1 硬件平臺和軟件架構硬件平臺采
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優化 設計 應用程序 SRAM ColdFire 片內 Linux
- 使用新SRAM工藝實現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計,基于傳統六晶體管(6T)存儲單元的靜態RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現的開發人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
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SoC 存儲器 設計 ASIC 嵌入式 SRAM 工藝 實現 使用
- 1引言我們將針對FPGA中內部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法，并給出...
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FPGA SRAM
- 專門授權自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內存(MRAM)技術的自旋電子組件開發商NVR公司表示，該公司已于美國聯邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權訴訟，以捍衛其自旋電子 MRAM 專利技術。
NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專利。根據NVE公司表示，該侵權訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續使用該技術，并針對其侵權行為造成的NVE財務損失進行
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NVE 內存 MRAM
- 富士通半導體有限公司和SuVolta公司宣布，通過將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現的終極“生態”產品鋪平道路。技術細節和結果會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發表。
從移動電子產品到因特網共享服務器，以及網絡設備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電
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富士通 SRAM
- 富士通半導體和SuVolta宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現的終極“生態”產品鋪平道路。技術細節和結果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發表。
從移動電子產品到因特網共享服務器，以及網絡設備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電壓又是決定功耗的重要因素
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富士通 SRAM
- 富士通半導體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現的終極“生態”產品鋪平道路。技術細節和結果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發表。
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富士通 SuVolta SRAM
- 摘要：提出一種新型的6管SRAM單元結構，該結構采用讀／寫分開技術，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且該結構在數據保持狀態下，采用漏電流以及正反饋保持數據，從而不需要數據的刷新來維持數據。仿真顯示了正
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單元 設計 SRAM 功耗 可靠性 新型
- 法國研究機構SPINTEC與開發MRAM技術的Crocus Technology共同開發出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開幕的磁技術國際會議“56th MMM”的首日進行了發布。
TAS技術是一項邊用加熱器對MTJ元件存儲層進行加熱，邊寫入數據的技術。對存儲層進行加熱后，矯頑力會
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MRAM 20nm
- DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的 ...
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SRAM DS1747
- 2011年10月24日，北京訊，加州圣何塞訊——SRAM領域的業界領先者賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日...
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SRAM 賽普拉斯 FPGA
- 據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備——鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發表在美國化學學會的《納米快報》雜志上。
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FeTRAM SRAM
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