- 嵌入式MIPS32 M4K處理器內核SRAM接口應用, 在微控制器尺寸和成本的限制下，M4K內核內部不支持指令高速緩存(I-cache)或數據高速緩存(D-cache)的標準功能。本文重點討論的一個內容--SRAM接口，這是MIPS32 M4K內核的一個標準功能。 M4K內核SRAM接口基本描述
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SRAM 接口 應用 內核 處理器 MIPS32 M4K 嵌入式
- 本文介紹了一種基于微控制器的PLD ICR控制電路，該控制電路結構簡單、占用空間小、性價比較高，適用于需要ICR功能的電子裝置中，該ICR控制電路是為配置ALTERR系列PLD器件來設計的，稍加屐也適用于XILINX公司的FPGA器件。這個配置電路的主要弱點在于配置速率較慢，只能適應用于配置速率要求不高的應用。
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SRAM PLD 可重配置 電路
- 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業界領先的 SRAM 產品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統性能，從而充分滿足電信、計算機、外設、消費類產品、醫療、軍事等領域的應用需求。
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賽普拉斯 SRAM
- 賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL （更長電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業界領先的 SRAM 產品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統性能，從而充分滿足電信、計算機、外設、消費類產品、醫療、軍事等領域的應用需求。
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賽普拉斯 SRAM
- Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究,引言
目前，對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運用在生產過程中，但是生產過程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過程中，如果SRAM硬件出錯，將導致程序出錯而且很難被發現
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軟件 檢測 研究 故障 單元 M3 SRAM Cortex
- 韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉移矩磁阻RAM)技術,兩家公司均認為這項技術是非常重要的下一代非易失性存儲技術之一。一旦有關的技術研發完成之后，兩家公司計劃成立一 家專門生產STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰略的其它部分，兩家公司還將擴大專利交叉授權的范圍。
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Hynix STT-MRAM
- 互聯網的飛速發展極大地促進了高速數據通信系統的需求量增加，同時也促進了更快速的處理器的發展，推動了存儲器...
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SRAM Spartan3
- QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設計,為了滿足當前系統和處理器的生產量需求，更新的靜態存儲器應運而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網絡系統應用而共同開發的一種具有創新體系結構的同步靜態存儲器。 1 QDR SRAM的
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接口 設計 FPGA Spartan3 SRAM QDR
- 北京訊，包括賽普拉斯半導體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內的QDR聯盟日前宣布推出業界最快的四倍數據率(QDR) SRAM(靜態隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許。這些器件將與現有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容，從而使網絡交換機、路由器及聚合平臺制造商不必修改電路板設計，只需提高系統內時鐘速度即可大幅改善產品性能。
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QDR SRAM
- 摘要：詳細描述了一種內置于AM-OLED顯示驅動芯片中的單端口SRAM電路的設計方法，提出了一種解決SRAM訪問時序沖突問題的仲裁算法。同時給出了基于0．18mu;m標準CMOS工藝設計的一款大小為320x240x18位的SRAM電路。通過
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SRAM 設計 內置 芯片 顯示 驅動 AM-OLED
- 據消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術細節，據稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結構，而邏輯電路部分則仍采用傳統的平面型晶體管結構。消息來源還稱Intel“很快就會”對外公開展示一款基于這種22nm制程的處理器實 物。不過記者詢問Intel發言人后得到的答復則是:"我們不會對流言或猜測進行評論。"
盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開過其22nm制程SRA
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Intel 22nm SRAM
- 摘 要：文章中提出了一種應用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態下，可對所有存儲單元進行清零，且編程后為兩端口獨
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FPGA SRAM 嵌入式
- 摘 要：文章中提出了一種應用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態下，可對所有存儲單元進行清零，且編程后為兩端口獨立
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FPGA SRAM 嵌入式
- 瑞薩電子開發出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當設定針對RTN的設計余度。該公司已在ldquo
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SRAM RTN 模擬 方法
- RAM業界的領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速? (QDR?) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產品是其65-nm SRAM 系列產品中的最新成員。這些新的存儲器件完善了業界最寬的65-nm同步SRAM產品線，最高容量可達144Mbit，速度最快可達550MHz。賽普拉斯擁有專利的工藝技術最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%，引領了“綠色”網絡架構應用的新潮流。
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賽普拉斯 SRAM
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