- 分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結構，通過CPLD來設計并實現大容量FIFO的方法。
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SRAM DRAM FIFO 大容量
- 如今，電子技術發展迅猛，尤其是單片機已廣泛地應用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機器人制作等領域，產品功能、精度和質量均有大幅度提高，且電路簡單，故障率低，可靠性高，價格低廉。在單片機的某些應用中，如果不對系統的外部SRAM進行擴展，就不能滿足系統設計的要求。因此如何擴展、擴展什么類型的芯片、擴展的容量多大就成為值得考慮的問題。這個問題解決的好與壞直接關系到項目的成敗。本文介紹在AVR ATmegal28中如何實現擴展掉電數據不丟失的512 KB SRAM的方案。
1 系統硬件結構
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ATmegal28 SRAM
- 基于SRAM結構的FPGA容量大，可重復操作，應用相當廣泛;但其結構類似于SRAM，掉電后數據丟失，因此每次上電時都需重新加載。
目前實現加載的方法通常有兩種：一種是用專用Cable通過JTAG口進行數據加載，另一種是外掛與該FPGA廠商配套的PROM芯片。前者需要在PC機上運行專用的加載軟件，直接下載到FPGA片內，所以掉電數據仍然會丟失，只適用于FPGA調試階段而不能應用于工業現場的數據加載。
后者雖然可以解決數據丟失問題，但這種專用芯片成本較高，供貨周期也較長(一般大于2個月)，使F
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SRAM TMS320C61416 FPGA
- 鐵電存儲器同時具備可存儲大量資料的動態隨機存儲器DRAM)與高速運作的靜態隨機存儲器(SRAM)的優點，且在斷電后，資料不會消失，亦具備快閃存儲器的優點。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實現多值存儲，在相同規模下可以達到更高的存儲容量，因而在提高性價比方面具有極大的優勢。
為了系統地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數學模型[2]。后人也有用實驗數據、依據實驗數據得到的
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存儲器 SRAM NVM 存儲器
- 針對嵌入式系統的低功耗要求，采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設計。 與一般布局的存儲器相比，采用這兩種技術使存儲器的功耗降低了43% ，而面積僅增加了18%。
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DBL 嵌入式系統 SRAM 低功耗 嵌入式
- 如果你認為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯了，因為沒有過去就不會有現在，沒有現在當然就不會有未來。然而過去、現在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現在卻可以一步步去計劃、設想與實踐
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NVM SRAM DRAM
- 本文針對 CPLD的核心可編程結構：P-Term和可編程互連線，采用2.5V、0.25μmCMOS工藝設計了功能相近的基于SRAM編程技術的可重構電路結構。
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SRAM PLD 編程技術 核心
- 摘要：首先對采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進行原理分析，然后提出一種實用的采用單片機產生長偽隨機碼實現加密的方法，并詳細介紹具體的電路和程序。
關鍵詞：靜態隨機存儲器（SRAM） 現場可編程門陣列（FPGA） 加密
在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監視配置的位數據流，進行克隆
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靜態隨機存儲器（SRAM） 現場可編程門陣列（FPGA） 加密 MCU和嵌入式微處理器
- 相變內存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內存業界熱門研發主題之一，針對此一新式內存技術發展趨勢與廠商專利現況，工研院IEK-ITIS計劃發表最新研究報告指出，臺灣地區已有不少廠商投入該技術的研發，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領域發展機會較大。 工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當時半導體工藝技術，相變化材料在2000年以前的商業應用還是以光盤片為主
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消費電子 內存 研發 MRAM 存儲器 消費電子
- 在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監視配置的位數據流，進行克隆設計。因此，在關鍵、核心設備中，必須采用加密技術保護設計者的知識產權。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題 通常，采用SRAM工藝的
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嵌入式系統 單片機 SRAM FPGA 加密 嵌入式
- 2007年6月12日，瑞薩開發出一種可在32 nm(納米)及以上工藝有效實現SRAM的技術，以用于集成在微處理器或SoC(系統級芯片)中的片上SRAM。
- 關鍵字：
瑞薩 SRAM Renesas
- 存儲器在半導體行業就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領域也因這一特性而是涇渭分明。
易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術，包
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DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器
- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產業有限公司宣布，共同開發出一種新技術，可以使45nm工藝傳統CMOS的SRAM（靜態隨機存取存儲器）穩定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當中。經測試證實，采用該技術的512Kb SRAM的實驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩定工作，而且在工藝發生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產，集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元
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SRAM 瑞薩科技 松下 存儲器
- Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結構，由兩個反向對準的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結構產生磁致電阻效應的能力并不會因為它的混合式結構而受到影響。對準和反對準只取決于MTJ結構兩側相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
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0702_A MR2A16A MRAM 消費電子 雜志_技術長廊 存儲器 消費電子
- 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應用的最新非易失性存儲器NVSRAM。可以根據應用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構。關鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM
概述眾所周知，在非易失性存儲器領域，市場熱度節節攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點和優勢， NVSRAM 的應用以及工作方式。 非易失性存儲器應用
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0701_A NVSRAM SRAM 消費電子 雜志_技術長廊 存儲器 消費電子
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