FIFO在FPGA設計中除了上篇所介紹的功能之外， 還有以下作為以下功能使用：
(1) 內存申請
在軟件設計中，使用malloc()和free()等函數可以用于內存的申請和釋放。特別是在有操作系統的環境下，可以保證系統的內存空間被動態的分配和使用，非常的方便。如果在FPGA內部實現此動態的內存分配和申請，相對來說較為復雜，例如某些需要外部數據存儲且需動態改變的應用需求下，需要對FPGA外部DDR(或SRAM等)的存儲空間，進行動態的分配和釋放。通過使用FIFO作為內存分配器，雖然比不上軟件
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FPGA FIFO SRAM
近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。
MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優點。
TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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閃存 MRAM
MRAM以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經推出這種存儲技術的原型。
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閃存 MRAM
賽普拉斯半導體公司日前宣布，其鐵電隨機存取存儲器(F-RAM™)產品系列中的1Mb并行異步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封裝方式，其2 Mb串行外設接口(SPI)F-RAM的溫度范圍擴展為-40?C 至 +105?C。
新封裝方式可在替代標準的電池供電的SRAM時實現管腳兼容，應用于工業自動化、計算、網絡和汽車電子應用中的關鍵任務系統中。F-RAM與生俱來的非易失性可以實現瞬間數據捕獲，無需電池即可實現長達百年的保存時間。棄用電池可以降低系統成本和復雜性。2 Mb SP
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賽普拉斯 F-RAM SRAM
靜態隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼(ECC)的16Mb低功耗異步SRAM 已開始出樣。全新MoBL® (More Battery Life™，更久電池續航) SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水準的數據可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設計并節省電路板空間。該MoBL器件可延長工業、軍事、通訊、數據處理、醫療和消費電子等應用領域里手持設備的電池續航時間。
背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內容，丟失重要數據。賽普拉斯
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賽普拉斯 SRAM ECC
說玩轉驅動這話，其實有點過頭，玩驅動是個長期積累的過程，寫出來是一回事，調試起來也是一種磨練。為了讓大家明白玩驅動的樂趣和掌握編寫驅動的捷徑，我分享一些經驗，算是拋磚引玉。不過正所謂一口吃不了個胖子，只有寫夠了足夠多的代碼，調試了足夠多的模塊，玩轉驅動也不再話下。希望今天的嘮叨對想踏入或者即將踏入驅動行業的你有些幫助。
我們很明白Linux 設備驅動的學習是一項浩大的工程，正是由于這個原因，一些人不免望而生畏，其實，只要我們有足夠的積累和全面的知識，玩轉驅動，也是早晚的事。閑話少說，開始來干貨。
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Linux 驅動 SRAM
在如今這工程師漫山遍野的年代，工程師已經變得隨處可見、遍地都是，但我相信每個工程師心目中都有屬于自己的“王牌”器件。如電腦的記憶芯片 - 存儲器，SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可讀寫類、只可讀類等等。同時存儲器在我們日常生活中也隨處可見，每人必備的U盤、硬盤、光盤等等，所以作為工程師的我們必須關注下這十款經典的存儲器。下面就為大家帶來工程師們心目中那永遠的十款“王牌”存儲器。
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一款非常
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存儲器 SRAM DRAM
前不久，全球高性能、混合信號、可編程解決方案的領先供應商賽普拉斯(Cypress)簽下中國本土最具實力的分銷商世強(Sekorm)，由后者負責其全線產品包括PSoC®可編程片上系統器件、觸摸感應解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等在中國區的分銷業務。
賽普拉斯全球分銷高級總監Kamal Haddad表示很高興找到了值得信賴的分銷伙伴一起開拓市場，中國市場對賽普拉斯非常重要，世強將在開拓新市場的同時，直接支持新的設計，擴展客戶基礎并建立持續的合作關系。
賽普拉斯198
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Cypress Sekorm PSoC SRAM
1 引言
FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數字系統當中通常用作數據緩存。在高速數據采集、傳輸和實時顯示控制領域中.往往需要對大量數據進行快速存儲和讀取，而這種先進先出的結構特點很好地適應了這些要求，是傳統RAM無法達到的。
許多系統都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個FIFO芯片級聯擴展，這往往導致系統結構復雜，成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制，來
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FIFO SRAM DRAM CPLD
賽普拉斯半導體公司日前宣布，已經與中國及韓國的五家新代理商達成協議。即日起，中國的大豆科技、世強和利爾達，韓國的HB公司和STC公司將加入賽普拉斯的銷售隊伍。這些分銷合作伙伴將銷售賽普拉斯的全線產品，包括PSoC?可編程片上系統器件、觸摸感應解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等。 賽普拉斯全球分銷高級總監Kamal Haddad說：“我們很高興和這些值得信賴的合作伙伴一起拓展我們的分銷渠道。中國和韓國市場對于賽普拉斯來說非常重要，這五個合作伙伴將協助我們將各類產品滲透到新增的65個分
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賽普拉斯 PSoC SRAM
靜態隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼(ECC)的16Mb快速異步SRAM 已開始出樣。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水準的數據可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設計并節省電路板空間。該器件可確保工業、軍事、通訊、數據處理、醫療、消費電子和汽車等應用領域里的數據安全。
背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內容，丟失重要數據。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執行所有錯誤校正動作，無需用戶干預，因而具有業界最佳的軟錯誤(S
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賽普拉斯 SRAM ECC
市場研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發展。
CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發特性，MRAM/STTMRAM市場營收規?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
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MRAM CMOS
大多數可編程陣列使用易失性存儲器SRAM作為配置數據存儲元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲器(NVM)替代SRAM?；贜VM的FPGA是嵌入式IP應用的理想選擇，其架構和許多增強功能可改善芯片集成度、IP使用率和測試時間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測方案。
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可編程 閃存 SRAM SST SCE
靜態隨機存取存儲器市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，量產業界首款四倍速(QDR?-IV?)SRAM。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM有144和72-Megabit?(Mbit)兩種容量，可滿足下一代交換機和路由器的100-400?Gigabit線卡對隨機傳輸速率的要求。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM是市場上性能最高的標準網絡存儲器解決方案。 對于不斷提升的線卡和交換速率來說，RTR(每秒完整隨機存取次數)是存儲器性能的重要指標。提升線卡速率的瓶
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賽普拉斯 SRAM QDR-IV
靜態隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設備中，常見的存儲器有SRAM(靜態隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數據不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數據總線的立體封裝SRAM模
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SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
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