記憶體產業中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態隨機存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優勢的非揮發性記憶體。如今，透過磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，可望解決開發這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題
遺憾的是，實際讓非揮發性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(Eindhoven University of Technolo
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MRAM 存儲器
不同存儲器都有其各自的優勢和缺點，由消費類產品驅動的存儲器市場在呼喚性能更優存儲器技術，當然也要價格便宜。
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MRAM SRAM
嵌入式系統的性能取決于其軟硬件能力。一個編寫合理的軟件可以利用硬件的所有能力發揮后者的最大性能。與此類似，無論軟件設計多么合理，低效的硬件都可能影響系統性能。 數十年來，傳統嵌入式系統的結構一直沒有改變。圖1顯示了一個典型嵌入式系統的框圖。一個微控制器和一個微處理器位于系統的核心。按照具體應用，系統設計人員可根據需要刪減接口和外設。如果控制器的內置存儲器不足，就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲器。通常而言，閃存用于存儲控制器執行的代碼，而SRAM用于存儲運行時臨時變量和保存重要的應用數據塊
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SRAM 存儲器
Zeno Semiconductor日前開發出將最小靜態隨機存取存儲器(SRAM)納入單一MOS電晶體技術，不僅其采用記憶單元(bit-cell)數量變多，存取時間也可大幅縮短4成。 據EE Times網站報導，Zeno在國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting)上展示這項新技術。Zeno執行董事長Zvi Or-Bach表示，該技術之所以讓N型MOS電晶體做為穩定SRAM，主要是透過采
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Zeno SRAM
一年一度的“國際固態電路會議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發成果都將首度在此公開發布，讓業界得以一窺即將面世的最新技術及其發展趨勢。三星(Samsung)將在ISSCC 2016發表最新的10nm制程技術、聯發科(MediaTek)將展示采用三叢集(Tri-Cluster)架構搭載十核心的創新行動SoC。此外，指紋辨識、視覺處理器與3D晶片堆疊以及更高密度記憶體等技術也將在此展示最新開發成果。
三星將提供更多DRAM與快
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SRAM ISSCC
在英特爾(Intel)、臺積電的SRAM仍停留在14納米、16納米制程時，三星電子(Samsung Electronics)已搶先研發出10納米FinFET制程SRAM，這也意味著距離10納米邏輯芯片量產更近一步。 速度較DRAM快的SRAM，可運用為中央處理器(CPU)緩存存儲器。完成研發10納米SRAM，也意味著三星在同制程系統芯片生產準備作業正順利進行。照此趨勢，2017年初將可正式量產采10納米制程的移動應用處理器(AP)。10納米AP將與GB級數據機芯片整合，移動裝置速度將更快。 據南韓
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三星 SRAM
外置SRAM通常配有一個并行接口。考慮到大多數基于SRAM的應用的存儲器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。對于已經(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是緩存)應用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優勢。但這種情況似乎即將改變。
盡管能夠提供高于串行接口的性能，但并行接口也有劣勢。其中最明顯的是，無論是從電路板空間還是從引腳數要求的角度而言，并行接口的尺寸都遠遠大于串行接口。例如，一個簡單的4Mb SRAM最多可能需要43個引腳才能與一個控制器相連。在使用一個4Mb SRAM時，我們的要求可能如
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賽普拉斯 SRAM
PROM、EEPROM、FLASH的總結性區別
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結構。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結構，所以可以單元讀/寫。技術上，FLASH是結合EPROM和EEPRO
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SRAM DRAM
經過幾十年的發展，電子產業幾乎已成為一個線性系統，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著摩爾定律逐漸出現松動，越來越多新技術開始浮上臺面。這些技術不僅僅是既有技術的改進，而是全面的變革。電子產業可望借由這些新技術轉型成為非線性系統，推翻多年來電子產業所定立的主張。
存儲器技術近年的發展，可能就此改變存儲器與處理技術在1940年代便已確立的關系。連續存儲器配置的效率盡管不斷受到挑戰，但系統的惰性使得這種配置幾十年來維持不變。
即使在對稱多處理系統中，存儲器的配置仍多是
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存儲器 SRAM
并購有助于填補中國集成電路產業空白、完成初級階段的布局、帶來規模效應，但并購不能帶來產業先進，還是要靠自己持續不斷的研發投入，做出真正意義上的世界級原創技術，才能讓中國集成電路站到超越先進的層面。
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集成電路 SRAM
DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業界認為次世代記憶體“磁電阻式隨機存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。
韓媒BusinessKorea 16日報導，南韓半導體業者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合采用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
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DRAM MRAM
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。
ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數據，典型的RAM就是計算
機的內存。
RAM
有兩大類，一種稱為靜態RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但
是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態RA
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ROM RAM SRAM
靜態隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，推出業界最高容量的其具有片上錯誤校正碼(ECC)的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能，使之可以提供最高水平的數據可靠性，簡化多種軍用、通訊和數據處理應用的設計。賽普拉斯今年計劃擴充具備ECC功能的同步SRAM產品線，增加其他容量的產品。
由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內容，造成重要數據的遺失。賽普拉斯新型同步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預，能達到業界最佳的軟
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賽普拉斯 SRAM
靜態隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數據可靠性，而無需額外的錯誤校正芯片，從而簡化了設計，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業、軍事、通訊、數據處理、醫療、消費及汽車等應用中確保數據的可靠性。
由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內容，造成重要數據的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預，能達到業界最
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賽普拉斯 SRAM
靜態隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數據可靠性，而無需額外的錯誤校正芯片，從而簡化了設計，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業、軍事、通訊、數據處理、醫療、消費及汽車等應用中確保數據的可靠性。
由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內容，造成重要數據的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預，能達到業界最
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