臺灣磁性技術協會邀請產學人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術概況。產業界與學術界人士交流該項技術的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，并認為臺灣產官學研有迫切攜手推動的必要性。
在市場發展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及
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MRAM
針對嵌入式系統的低功耗要求，采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設計。
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SRAM DBL 64 kb
由于SDRAM本身就是一個比較復雜的東西，之前小墨在學這方面東西的時候感覺很是吃力，于是那時候便暫時放下了，知道年后這段時間，小墨又重新拾起這個知識點，想要一口氣把它調通了，再往下看其他的東西。學SDRAM，理
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fpga sram
磁性隨機存取存儲器(MRAM)是一種非易失性存儲器技術，正在作為一種主流的數據存儲技術被業界所廣泛接受。它集成了一個磁阻器件和一個硅基選擇矩陣。MRAM的關鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無限次讀寫的耐用性、快速
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隨機存取 邏輯單元 MRAM
存儲器是當今每一個計算機系統、存儲方案和移動設備都使用的關鍵部件之一。存儲器的性能、可擴展性，可靠性和成本是決定推向市場的每個系統產品經濟上成功或失敗的主要標準。目前，幾乎所有產品都使用一種或組合使用
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MRAM 存儲器
MRAM市場可能會在明年開始變得越來越“擁擠”──開發OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術的美國業者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產品正式上市。
STT執行長Barry Hobe
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STT MRAM
具有片上錯誤校正代碼的低功耗MoBL器件橫空出世。與沒有ECC功能的SRAM相比，16 Mb SRAM的數據可靠性提高了幾千倍，同時可延長手持式設備的電池工作時
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賽普拉斯 SRAM MoBL
上世紀90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨立式SRAM供應商帶來“滅頂之災”。最大的SRAM市場(PC 高速緩存)一
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可穿戴設備 物聯網 SRAM
RAMRAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器，一般訪問時間基本固定，而與存儲單元地址無關。RAM的速度比較快，但其保
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SRAM DRAM SDRAM 比較
使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
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Flash SRAM 觸發中斷
三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預計在3年內展開MRAM量產，也引起了業界高度的注目。
韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統DRAM、SRAM的新世代存儲器技術。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅動的非揮發性存儲器，不使用時也完全不需要電力。
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三星 MRAM
SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
三星晶圓代工業務(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
SamsungFoundry行銷暨業務開發負責人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28
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存儲器 MRAM
據海外媒體報道，DRAM 發展快到盡頭，磁性存儲器(MRAM)和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲器(STT-MRAM)”的研究出現突破，有望加速走上商用之途。
韓媒 BusinessKorea 11 日報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會(IEEE)發布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發的 STT-MRAM 的生產技術，成功實現 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越 DRAM。
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IBM MRAM
在28nm晶片制程節點的嵌入式非揮發性記憶體競賽上，自旋力矩轉移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領先的位置。
比利時研究機構IMEC記憶體部門總監Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應28nm CMOS制程的要求。
28nm平面CMOS節點可望具有更長的壽命，以因應更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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MRAM CMOS
日本東北大學2016年3月21日宣布，開發成功了可超高速動作的新型磁存儲器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎元件，并實際驗證了動作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實現的小電流動作和高速動作。
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三種自旋軌道力矩磁化反轉元件構造。(a)與(b)為以前的構造，(c)為此次開發的構造(該圖摘自東北大學的發布資料) (點擊放大)
PC及智能手機使用的SRAM及DRAM等半導體存儲器，因構成元件的微細化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM
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