- 聯華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發和生產取代嵌入式內存的磁阻式隨機存取內存(MRAM)。同時聯華電子也將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司。 聯華電子根據此合作協議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發性MRAM區塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內存模塊整合至應用產品，并鎖定在物聯網、穿戴裝置、消費型產品，以及工業、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統單芯片(So
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聯華電子 MRAM 28納米
- 近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中，首次揭露臺積電研發多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年
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嵌入式存儲器 MRAM eRRAM 物聯網
- 作者：王鑫，王烈洋，占連樣，陳像，張水蘋，湯凡，黃小琥，李光摘要VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發的一種高速、大容量的靜態隨機器(SRAM)用其對大
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SRAM 測試
- 網絡路由器帶有用于性能監控、流量管理、網絡追蹤和網絡安全的統計計數器。計數器用來記錄數據包到達和離開的次數以及特定事件的次數，比如當網絡出現
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SRAM 網絡
- 半導體產業正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實現 STT MRAM 商業可行性的進展。 應用材料公司為實現 STT MRAM 的制造提供了多項重要創新，包括基于Endura? 平臺上的PVD創新以及特別的蝕刻技術。利用這些新技術并借助梅丹技術中心的設施來加工并測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴展性。 如今，除了邏
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STT MRAM
- MRAM新創公司STT開發出一種存儲器專有技術，據稱可在增加數據保持的同時降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結構將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發出MRAM專用技術，據稱能以同步提高數據保持(retention)與降低電流
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MRAM SRAM
- 汽車系統的設計變得越來越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統。為了確保可靠、安全的操作，每個子系統均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執行代碼或常量數據、校準數據、安全性能和防護安全相關信息等重要數據，以作將來檢索用途。 目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器)，MRAM
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MRAM FRAM
- RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。
按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態隨機存
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SRAM DRAM
- 隨著超大規模集成電路工藝的發展，人類已經進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規模的芯片上，形成所謂的SoC(片上系統)。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關內容吧。 近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中，首次揭露臺積電研發多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進行風險性試產。預計試產主要采用2
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存儲器 SRAM
- 包括抗輻射存儲器在內的先進嵌入式系統解決方案市場領導者賽普拉斯半導體公司和全球領先的半導體代工廠聯華電子股份有限公司(以下簡稱“UMC”)今日聯合宣布，賽普拉斯 65nm 和 40nm 技術平臺成為業界首批榮獲合格制造商名單 (QML) 認證的平臺，為其未來產品鋪平了道路。UMC的 Fab 12A(位于臺灣臺南)生產的新一代 144 Mb 四倍數據速率 (QDR) II+、
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賽普拉斯 SRAM
- 聯華電子與抗輻射記憶體 (Radiation hardened memories) 領導廠商Cypress今 ( 15日) 共同宣布，Cypress的65和40奈米的技術平臺率先業界，完成其先進產品流程合格製造商清單 (QML) 的認證。 聯華電子位于臺灣臺南的Fab 12A所製造的下一代144-Mbit四倍資料速率 (QDR) II +，144-Mbit&nbs
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Cypress SRAM
- 摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發的一種高速、大容量的TTL同步靜態存儲器(MRAM)，可利用其對大容量數據進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結構和原理，其次詳細闡述了基于magnum II測試系統的測試技術研究，提出了采用magnum II測試系統的APG及其他模塊實現對MRAM VDMR8M32進行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數據0測試，全空間讀寫數據1，以棋盤格方式進行全空間讀寫測試。另外，針對MRAM的關鍵時序參數，如T
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VDMR8M32 MRAM
- 全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術的游戲規則。
據SemiEngineering網站報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此舉代表市場的巨大轉變，因為到目前為止，只有Everspin已經為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(WriteCa
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MRAM 晶圓
- 全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術的游戲規則。
據Semi Engineering網站報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場的巨大轉變，因為到目前為止，只有Everspin已經為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
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存儲器 MRAM
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