1956 年，IBM 推出世界上第一個硬盤驅動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數據，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。此后，隨著科技的進步，內存技術逐漸發展。動態隨機存取存儲器（DRAM），具有較快的讀寫速度，能夠滿足計算機系統在運行過程中對數據的快速存取需求。固態硬盤（SSD）以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動等優點，逐漸取代傳統磁盤成為主流存儲設備之一。存儲技術仍舊在持續發展，近年來新型存儲技術如雨后春筍般涌現，諸如相
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磁變存儲器 MRAM
臺積電利用其自身先進的制程優勢，正在積極推動新型存儲產業的發展。
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MRAM
01 問題的描述某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數據在退出 standby模式后得以保持。根據手冊的描述，配置了相應的比特位，但是發現數據仍然保持不了。02 問題的復現根據客戶的描述，以及 STM32G071 的最新版參考手冊 RM0444 發現，在 standby 模式下，可以通過設置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力，相應的 API 接口函數為HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
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STM32G071 standby SRAM
M 是一種非易失性存儲技術，通過磁致電阻的變化來表示二進制中的 0 和 1，從而實現數據的存儲。由于產品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數據信息，并擁有不遜色于 DRAM 內存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于 DRAM。被大廠看好的未來之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球專利第一，2002 年三星宣布研發 MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對 MRAM 的研發一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發逐漸走向低調。20
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MRAM
多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進制程。現代社會已經進入大數據、物聯網時代——一方面，數據呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據傳統摩爾定律微縮的半導體技術所面臨的挑戰越來越大、需要的成本越來越高、實現的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產品事業部全球產品經理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統的存儲器，已經有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發展，不斷更新換代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強。」但是已經開始出現無法超越的
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MRAM ReRAM PCRAM
據外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領域的最新研究進展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現了磁性隧道結堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造，據稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進行報告。論文中提到，該團隊生產了一個獨立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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功耗 三星 MRAM
近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數據。內存是所有微控制器嵌入式系統的主要組件，閃存（Flash）儲存技術早已成為工控設備的主流配備。近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數據。新一代嵌入式內存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運算需求，
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工業儲存 MRAM
SRAM正在通過與芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk軟件，開始制造真正可用的3D打印原型曲柄。基于這種人工智能設計流程，我們可能會看到完全重新構想的SRAM曲柄投放市場。不容置疑的是，SRAM在這種新的設計方法中投入了大量精力，并且他們已經在真實的道路上，用這款電腦設計的山地車曲柄進行了的多次迭代測試……使用Autodesk，SRAM能夠從空白開始，讓人工智能根據曲柄組中的作用力和各種自動化制造過程，為原型曲柄組篩選出最佳的設計形式。到目前為止，似乎SRAM已經
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SRAM 3D打印
在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅使半導體產業轉向發展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁進的新興記憶體。
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存儲技術 MRAM RRAM PCRAM
像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負擔得起7nm技術，但初創公司和其他規模較小的公司卻因為復雜的設計規則和高昂的流片成本而掙扎不已——所有這些都是為了在晶體管速度和成本方面取得適度的改善。格芯的新型12LP+技術提供了一條替代途徑，通過減小電壓而不是晶體管尺寸來降低功耗。格芯還開發了專門針對AI加速而優化的新型SRAM和乘法累加(MAC)電路。其結果是，典型AI運算的功耗最多可減少75%。Groq和Tenstorrent等客戶已經利用初代12LP技術獲得了業界領先的結果，首批采用12LP+工藝制造的產品將于
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AI CNN SRAM CPU 芯片
引言自從幾十年前首次推出FPGA以來，每種新架構都繼續在采用按位（bit-wise）的布線結構。雖然這種方法一直是成功的，但是隨著高速通信標準的興起，總是要求不斷增加片上總線位寬，以支持這些新的數據速率。這種限制的一個后果是，設計人員經常花費大量的開發時間來嘗試實現時序收斂，犧牲性能來為他們的設計布局布線。傳統的FPGA布線基于整個FPGA中水平和垂直方向上運行的多個獨立分段互連線（segment），在水平和垂直布線的交叉點處帶有開關盒（switch box）以實現通路的連接。通過這些獨立段和開
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ATT FCU SRAM FMAX
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布擴大其備受歡迎的IP的授權范圍，幫助設計師能夠在瞬息萬變的行業中滿足廣泛的客戶需求。自即日起，客戶將可訪問諸如尖端的7nm（納米）SRAM和TCAM，以及領先的標準以太網時間敏感網絡（TSN）等IP。此外，瑞薩電子正致力于打造包括PIM（內存處理）的系統IP，該技術首次在2019年6月的會議論文中提出，作為AI（人工智能）加速器引起廣泛關注。利用這些IP，客戶可迅速啟動其先進的半導體器件開發項目，例如為領先的5G網絡開發下一代AI芯
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IP SRAM
全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM為非揮發性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數據不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數據，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數據，兩層中則有氧化層隔開。 其
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MRAM DRAM
據報道，三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優點。 三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標志著新內存產品的首次發貨。 這種解決方案無需在數據記錄期間擦除數據，并實現了比傳統閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數據，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
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MRAM 三星
在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。 MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲)，是一種非易失性存儲技術，從 1990
年代開始發展。此技術速度接近靜態隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠低于
DRAM，而且基本上可以無限次地重復寫入。 英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術可在200℃下實
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英特爾 MRAM
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