隨著集成電路的密度和工作頻率按照摩爾定律所描述的那樣持續增長，使得高性能和低功耗設計已成為芯片設計的主流。在微處理器和SoC中，存儲器占據了大部分的芯片面積，而且還有持續增加的趨勢。這使存儲器中的字線長度和位線長度不斷增加，增加了延時和功耗。因此，研究高速低功耗存儲器的設計技術對集成電路的發展具有重要意義。對SRAM存儲器的低功耗設計技術進行研究，在多級位線位SRAM結構及工作原理基礎上，以改善SRAM速度和功耗特性為目的，設計了基于位線循環充電結構的雙模式自定時SRAM，其容量為8K×32 b。 關鍵字：
定時 電路設計 模式 SRAM 循環 充電 基于
SRAM市場的領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，全球領先的通訊設備和網絡解決方案供應商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網交換機中選用了賽普拉斯的QDR?II+ (四倍速?) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上最快的550MHz的時鐘頻率下工作，且擁有市場上最寬泛的產品選擇范圍，并能提供業界最多的參考設計。
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賽普拉斯 交換機 SRAM
普拉斯半導體公司日前宣布通訊設備和網絡解決方案供應商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網交換機中選用了賽普拉斯的QDRtrade;II+ (四倍速trade;) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上
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普拉 72-Mbit SRAM 賽普 選用 新型 以太網 交換機 中興
基于FPGA與SRAM的大容量數據存儲的設計, 1 前言 針對FPGA中內部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法，并給出了部分VHDL程序。 2 硬件設計 這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61
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存儲 設計 數據 大容量 FPGA SRAM 基于
同步SRAM的傳統應用領域是搜索引擎，用于實現算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網絡中發揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術的出現，系統設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網流)、計數器、統
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應用 網絡 SRAM
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據. 基本簡介 SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
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SRAM 工作原理
在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監視配置
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保密性 問題 FPGA 工藝 SRAM 基于
賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創業界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統和軍事系統。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48-B
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賽普拉斯 SRAM
編者點評：存儲器是半導體業的風向標。它的特點起伏大，幾乎每十年有一次大的變動及盈利一年要虧損2-3年。另一個是反映半導體制造工藝能力水平，通常新建生產線會采用SRAM工藝來通線及會盡可能的采用最先進工藝技術。另外存儲器的產值約占半導體的23%，但其投資會占到半導體的40-60%。盡管看似供求市場決定它的周期變化, 非常簡單,然而實際上操作很難。所以韓，美包括臺灣地區都不會輕易退出此領域。中國是全球最大的半導體市場, 從長遠戰略看不該缺席存儲器。
美光公司報道它的季度業績由虧損3億美元轉變到盈利9
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美光 存儲器 SRAM
東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑制SRAM的最
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SRAM SoC 低電壓
瑞薩電子開發出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現合適的工作裕度。以上內容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產品，該公司試制出了bit密度達到業界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞薩電子 SRAM CMOS
東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國夏威夷州檀香山)上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑制SRAM的最小驅動電壓上升。東芝此次證實，單元面積僅為0.24μm2的32Mbit SRAM的驅動電壓可在確保95%以上成品率的情況下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驅動電壓可從65n
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東芝 40nm SoC SRAM
賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創業界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統和軍事系統。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48
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Cypress SRAM
由于架構方面的需要，Intel處理器通常都配備有大容量緩存，比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二級緩存、雙核心Itanium曾有24MB三級緩存。現在，Intel又準備繼續提高緩存密度了，而且有意使用新的緩存類 型。2010年度超大規模集成電路技術研討會即將于下月5-7日舉行，Intel將會通過兩個主題演講，介紹他們在處理器緩存技術上的最新研究成果，特 別是有望取代現有SRAM的“浮體單元”(Floating Body Cell/FBC)。
SRAM和eSRAM
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Intel SRAM
Maxim推出帶有1024字節無痕跡存儲器的安全管理器DS3644，可安全存儲敏感數據。器件內部的篡改監測器能夠有效抵御時鐘、電信號和溫度篡改事件，還可將篡改檢測輸入連接至外部傳感器，實現靈活的定制特性。片內無痕跡存儲器允許終端用戶在發生特定篡改事件時有選擇地清除存儲器數據。這種具有專利保護的存儲器架構*能夠確保在發生篡改事件時立即擦除數據，從而提高了基于SRAM存儲器的系統安全等級。DS3644能夠滿足政府設施、軍事系統等高安全等級應用的要求，適用于需要監測多種篡改操作的系統。
DS3644能
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