據electronicsweekly網站報道，臺積電公司近日宣稱已經開發出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內含6個CMOS微晶體管)，據稱這種制程生產的芯片產品在0.45V工作 電壓條件下的信號噪聲僅為0.09V。

　　這種Finfet制程技術采用了雙外延(dual-epitaxy)和多重硅應變(multiple stressors，指應用多種應力源增強溝道載流子遷移率的技術)技術，臺積電宣稱該制程生產出來的產品，不論是采用n型還是p型溝道的型號，其性能均“十分卓越”，其導通電流可分別達1200/1100uA/um，管子關閉時的漏電流則均僅100nA/um。

　　除了采用FinFET技術之外，這種新制程還采用了較先進的193nm沉浸式光刻技術，漏源級嵌入SiGe層溝道硅應變技術(從SiGe的名稱上看，應該是僅針對P型溝道Fin)，并采用了HKMG(高K絕緣層+金屬柵極)工藝。

　　今年12月份，臺積電將在屆時召開的IEDM大會上公布這種制程技術的細節。

　　有關Finfet，以及立體型晶體管與常規平面型晶體管區別的詳細介紹，讀者可閱讀本站的這篇文章進行了解。