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安森美攜手格羅方德開發(fā)下一代氮化鎵功率器件

作者: 時間:2025-12-19 來源:EEPW 收藏
編者按:安森美(onsemi)與格羅方德(GlobalFoundries, GF)達(dá)成全新合作協(xié)議,進(jìn)一步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,雙方將共同研發(fā)并制造下一代氮化鎵(GaN)功率器件,合作將從650V器件開始。安森美該系列產(chǎn)品將結(jié)合格羅方德200毫米增強(qiáng)型硅基氮化鎵(eMode GaN-on-silicon)工藝,以及自身行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動器、控制器和強(qiáng)化散熱封裝技術(shù),為AI數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)、航空航天等應(yīng)用場景,提供更小、更高能效的優(yōu)化系統(tǒng)解決方案。

此次合作拓展了功率產(chǎn)品組合,涵蓋面向AI數(shù)據(jù)中心、汽車、航空航天及其他關(guān)鍵市場的高性能650V橫向氮化鎵(GaN)解決方案。

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新聞要點:

●   展開合作,針對關(guān)鍵市場研發(fā)先進(jìn)的200毫米增強(qiáng)型橫向硅基GaN工藝技術(shù),合作將從650V器件開始。

●   的GaN產(chǎn)品組合非常適用于高功率密度系統(tǒng)——這類場景下功率需求持續(xù)攀升,但物理尺寸卻受嚴(yán)格限制,例如AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、可再生能源以及航空航天等應(yīng)用。

●   產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋多個高增長市場,包括電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機(jī)、微型光伏逆變器、儲能系統(tǒng)以及電機(jī)驅(qū)動器等。

安森美(onsemi)近日宣布,已與(GlobalFoundries,簡稱GF)簽署合作協(xié)議。雙方將基于最先進(jìn)的200毫米增強(qiáng)型硅基GaN工藝,共同研發(fā)并制造先進(jìn)GaN功率產(chǎn)品,合作將從650V器件開始。此次合作將加速安森美高性能GaN器件及集成功率級的技術(shù)路線圖,通過擴(kuò)充高壓產(chǎn)品組合,滿足AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、可再生能源、工業(yè)系統(tǒng)以及航空航天等領(lǐng)域日益增長的功率需求。

“此次合作將安森美的系統(tǒng)及產(chǎn)品專業(yè)積淀,與格羅方德先進(jìn)的GaN工藝相結(jié)合,為高增長市場打造全新650V功率器件。這些GaN產(chǎn)品搭配我們的硅基驅(qū)動器和控制器,將助力客戶實現(xiàn)創(chuàng)新,為AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、航天應(yīng)用等場景構(gòu)建更小、更高能效的功率系統(tǒng)。我們計劃于2026年上半年開始向客戶提供樣品,并快速擴(kuò)大至量產(chǎn)規(guī)模。”安森美企業(yè)戰(zhàn)略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示。

“我們將200毫米硅基GaN平臺與安森美深厚的系統(tǒng)和產(chǎn)品專業(yè)積淀相結(jié)合,不僅加速了高效解決方案的落地,更為數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)、航空航天等關(guān)鍵市場構(gòu)建了更具韌性的供應(yīng)鏈。以安森美為關(guān)鍵合作伙伴,我們將持續(xù)推動GaN半導(dǎo)體技術(shù)升級,滿足人工智能、電氣化和可持續(xù)能源領(lǐng)域不斷演變的需求。”格羅方德首席商務(wù)官M(fèi)ike Hogan說。

安森美將其行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動器、控制器和強(qiáng)化散熱封裝技術(shù),與格羅方德的650V GaN技術(shù)平臺相結(jié)合,打造出更高功率密度和能效的GaN器件。產(chǎn)品應(yīng)用場景具體包括:AI數(shù)據(jù)中心電源及其DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車車載充電機(jī)及其DC-DC轉(zhuǎn)換器、微型光伏逆變器和儲能系統(tǒng),以及工業(yè)與航空航天領(lǐng)域的電機(jī)驅(qū)動器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

此次合作進(jìn)一步擴(kuò)充了安森美領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,如今已涵蓋了全譜系GaN技術(shù)——從低壓、中壓、高壓橫向GaN,到超高壓垂直GaN。這一全面布局讓系統(tǒng)設(shè)計人員能夠構(gòu)建下一代電源架構(gòu),在更小的尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的功率輸出。GaN技術(shù)的核心優(yōu)勢包括:

更高開關(guān)頻率——通過更高的開關(guān)頻率運(yùn)行,GaN技術(shù)能幫助設(shè)計人員減少元器件數(shù)量、縮小系統(tǒng)尺寸并降低成本,同時提升能效和散熱性能。

雙向?qū)芰?/strong>——GaN的雙向?qū)ㄌ匦灾С秩峦負(fù)浣Y(jié)構(gòu),可替代多達(dá)四個傳統(tǒng)單向晶體管,從而降低成本并簡化設(shè)計。

集成化功能——在單個封裝內(nèi)集成GaN FET與驅(qū)動器、控制器、隔離和保護(hù)功能,可縮短設(shè)計周期并降低電磁干擾。強(qiáng)化散熱封裝和優(yōu)化的柵極驅(qū)動器,即使在高開關(guān)速度下也能保障性能和可靠性。

供貨情況

安森美計劃于2026年上半年開始提供樣品。


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