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應(yīng)用材料攜手美光 加速HBM、閃存及DRAM技術(shù)研發(fā)

作者: 時間:2026-03-11 來源: 收藏

公司今日宣布,正與科技展開合作,研發(fā)新一代動態(tài)隨機存取存儲器、高帶寬內(nèi)存及解決方案,以提升人工智能系統(tǒng)的高能效表現(xiàn)。雙方整合了位于硅谷的 EPIC 創(chuàng)新中心的先進研發(fā)能力,以及位于愛達荷州博伊西的頂尖創(chuàng)新中心資源,助力鞏固美國半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)體系。

總裁兼首席執(zhí)行官加里?迪克森表示:“應(yīng)用材料與長期保持合作關(guān)系,始終致力于通過突破材料工程與制造創(chuàng)新的邊界,打造性能更優(yōu)、能效更高的先進存儲芯片。下一代存儲技術(shù)在人工智能系統(tǒng)的未來發(fā)展中愈發(fā)關(guān)鍵,我們十分欣喜能以 EPIC 創(chuàng)新中心創(chuàng)始合作伙伴的身份,深化與美光的合作。”

美光科技董事長、總裁兼首席執(zhí)行官桑杰?梅赫羅特拉稱:“存儲與內(nèi)存產(chǎn)品是推動人工智能發(fā)展的核心支撐,這類技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新對于充分釋放人工智能的潛力至關(guān)重要。數(shù)十年來,美光始終與應(yīng)用材料攜手,為新型存儲和內(nèi)存器件打造材料工程創(chuàng)新成果。如今我們很高興將這一合作拓展至應(yīng)用材料位于硅谷的全新 EPIC 創(chuàng)新中心。結(jié)合美光在美國本土的研發(fā)與制造中心,此次合作構(gòu)建起了獨一無二的‘實驗室到工廠’研發(fā)轉(zhuǎn)化體系,推動美國存儲技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展。”

應(yīng)用材料與美光的研發(fā)團隊正聯(lián)合攻關(guān),為適配人工智能應(yīng)用的先進動態(tài)隨機存取存儲器、高帶寬內(nèi)存和產(chǎn)品,研發(fā)新一代材料、制程技術(shù)及架構(gòu)。此次合作還涵蓋先進封裝技術(shù)的研發(fā),旨在為算力密集型的人工智能工作負載,打造高帶寬、低功耗的存儲解決方案。

應(yīng)用材料半導(dǎo)體產(chǎn)品集團總裁普拉布?拉賈博士表示:“隨著存儲芯片制程微縮的難度不斷加大,芯片制造設(shè)備的技術(shù)升級,成為打造高能效、高性能器件的關(guān)鍵。我們與美光在 EPIC 創(chuàng)新中心的合作,將匯聚雙方深厚的專業(yè)技術(shù)積淀,加速材料創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化為可量產(chǎn)的下一代存儲技術(shù)解決方案。”

美光科技執(zhí)行副總裁、首席技術(shù)官兼產(chǎn)品官斯科特?德波爾指出:“產(chǎn)業(yè)生態(tài)的合作進一步鞏固了我們的技術(shù)領(lǐng)先地位,助力創(chuàng)新理念更快落地量產(chǎn)。我們與應(yīng)用材料在 EPIC 創(chuàng)新中心的合作,不僅著眼于下一代制程節(jié)點,更致力于推動顛覆性設(shè)備、材料和制程技術(shù)的升級,為未來的存儲架構(gòu)、技術(shù)奠定基礎(chǔ),實現(xiàn)極致的制程微縮,為客戶提供性能更優(yōu)、能效更高的產(chǎn)品。”

應(yīng)用材料在硅谷全新打造的 EPIC(設(shè)備與制程創(chuàng)新及商業(yè)化)中心總投資達 50 億美元,是美國迄今為止對先進半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域規(guī)模最大的一筆投資。該中心于今年正式啟用,從設(shè)計之初就致力于大幅縮短突破性技術(shù)從早期研發(fā)到規(guī)模化量產(chǎn)的商業(yè)化周期。對于芯片制造商而言,EPIC 創(chuàng)新中心讓他們能更早接觸到應(yīng)用材料的研發(fā)成果,實現(xiàn)更快的技術(shù)驗證迭代,加速下一代技術(shù)向大規(guī)模量產(chǎn)的轉(zhuǎn)化。此外,該中心的聯(lián)合創(chuàng)新項目,還能讓應(yīng)用材料更全面地洞察多代制程節(jié)點的技術(shù)需求,為研發(fā)投資提供精準(zhǔn)指引,同時提升研發(fā)效率,實現(xiàn)價值共享。


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