據(jù)羅姆官方消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的開發(fā)。新產(chǎn)品通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)和優(yōu)化制造工藝，在175℃結(jié)溫（Tj）條件下，導(dǎo)通電阻較上一代產(chǎn)品降低了約30%。羅姆指出，這款SiC MOSFET在電動汽車（xEV）牽引逆變器等高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色，能夠有效縮小單元體積并提升輸出功率。同時，該芯片還非常適合用于AI服務(wù)器電源和數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備的電源系統(tǒng)，展現(xiàn)了其在高性能應(yīng)用場景中的潛力。