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第5代碳化硅

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羅姆發(fā)布第5代碳化硅MOSFET，導(dǎo)通電阻降低30%

據(jù)羅姆官方消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的開發(fā)。新產(chǎn)品通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)和優(yōu)化制造工藝，在175℃結(jié)溫（Tj）條件下，導(dǎo)通電阻較上一代產(chǎn)品降低了約30%。羅姆指出，這款SiC ...

羅姆第5代碳化硅 2026-04-23

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第5代碳化硅

羅姆發(fā)布第5代碳化硅MOSFET，導(dǎo)通電阻降低30%

借助組合式電量計提升精度并縮減系統(tǒng)占用空間

實施可靠電源的途徑

ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場

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