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1d DRAM技術(shù)社區(qū)

1d DRAM

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全部資訊專欄資料論壇

1d DRAM資訊

三星1d DRAM良率問題或拖慢HBM5E量產(chǎn)計劃

據(jù)韓國媒體報道，三星電子的新一代1d DRAM（第七代10nm工藝）因良率未達標，短期內(nèi)可能無法實現(xiàn)量產(chǎn)，進而影響其下一代HBM內(nèi)存的推進節(jié)奏。這一技術(shù)問題直接波及三星計劃中的HBM5E產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)。一位接近三星內(nèi)部的...

三星 1d DRAM 2026-04-23

1864億！SK海力士達營業(yè)利潤率高達72%，碾壓臺積電

2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務報告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長...

SK海力士 DRAM 2026-04-23

NAND報價狂漲：LTA將成為存儲器行業(yè)主流模式

本輪半導體行業(yè)復蘇的核心引擎，當屬NAND閃存的價格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預測，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達40%，缺口持續(xù)擴大助推價格飆升。DRAM漲幅...

NAND LTA 2026-04-14

DRAM的 “打地鼠” 式安全危機

核心要點Rowhammer（行錘）仍是 DRAM 的主要安全威脅，Rowpress（行壓）正成為新的相關(guān)威脅。內(nèi)存控制器發(fā)出的新型刷新指令可緩解問題，但并非完美解決方案。更小的垂直結(jié)構(gòu) DRAM 單元有望從根本上消除...

DRAM 安全危機 2026-04-10

三星無懼DRAM崩盤恐慌：一季度漲價翻倍后，二季度再提價 30%

如今的內(nèi)存市場，簡直像維多利亞時代那位被焦慮裹挾的貴婦一樣歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 領(lǐng)域：現(xiàn)貨價格小幅回調(diào)，就引發(fā)了 “行業(yè)末日” 的唱衰論調(diào)，甚至連帶股價大跌。但三星這類真正的行業(yè)巨頭卻始終淡定，并且鐵...

三星 DRAM 2026-04-09

內(nèi)存漲不停 Q2上看5成

TrendForce最新存儲器產(chǎn)業(yè)研究指出，大廠逐步退出成熟DDR4以下產(chǎn)品制造的策略不變，在市場供給結(jié)構(gòu)持續(xù)收斂下，過去幾個月，整體價格已累積驚人漲幅。由于目前市場供需仍未平衡，市場普遍看好，內(nèi)存報價漲勢，至少將延伸...

內(nèi)存 TrendForce 2026-04-08

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1d DRAM專欄

臺灣地震后DRAM價格溫和可控！

上周，臺灣遭遇了一場嚴重的地震，而隨后兩天有關(guān)內(nèi)存制造商拒絕公布DRAM合約價格的報道引發(fā)了人們對DRAM市場的擔憂。然而，根據(jù)行業(yè)研究機構(gòu)TrendForce的一份報告顯示，地震對DRAM市場的影響已經(jīng)在短短一周內(nèi)得到...

DRAM 2024-05-15

三星CXL全球首創(chuàng)，3D DRAM路線圖公布

據(jù)報道，三星推出了一款名為 CXL 分層內(nèi)存混合內(nèi)存模塊 (CMM-H TM：CXL Memory Module-Hybrid for Tiered Memory) 的新型 Compute ...

3D DRAM 2024-04-07

美光將于2025年量產(chǎn)1-gamma制程DRAM

9月4日消息，據(jù)中國臺灣媒體報道，中國臺灣美光董事長盧東暉近日接受采訪時表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn)，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程，是美光第 1 代采用極紫外光（EUV...

DRAM 2023-09-04

瑞薩推出用戶端時脈驅(qū)動器和第3代RCD

瑞薩電子推出第三代DDR5暫存時脈驅(qū)動器（RCD）和第一代用戶端時脈驅(qū)動器（CKD）用于新興的服務器及用戶端DDR5 DRAM。藉由這些新的驅(qū)動器IC，瑞薩成為一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應用...

DRAM DIMM 2023-08-03

三星電子將開發(fā)4F2 DRAM存儲單元，加速3D DRAM商業(yè)化

隨著摩爾定律推進速度放緩，DRAM工藝也步入了技術(shù)瓶頸期，DRAM的擴展速度明顯放緩。因此，3D DRAM成為存儲廠商迫切想突破DRAM工藝更高極限的新路徑。近日，據(jù)韓媒The Elec報道，三星電子...

三星 DRAM 2023-05-29

CXL 2.0 DRAM，全球首款！

來源：內(nèi)容來自三星，謝謝。先進半導體技術(shù)的全球領(lǐng)導者三星電子今天宣布，開發(fā)出業(yè)界首款支持 Compute Express Link (CXL) 2.0 的 128 GB DRAM。三星與英特爾密切合作，在英特爾至強平臺上...

DRAM 2023-05-14

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1d DRAM資料

EEPW2014年8月刊(汽車電子)

汽車電子 DRAM 2014-08-13 立即下載

【白皮書】基于SoC FPGA的存儲器系統(tǒng)中的糾錯碼V1.2(Error Correction Code in SoC FPGA-Based Memory Systems V1.2)

Altera FPGA 2012-05-26 立即下載

一種使用FPGA設(shè)計的DRAM控制器

FPGA DRAM 2010-01-16 立即下載

DIMM DRAM 168pin內(nèi)存以及其接口定義

DIMM DRAM 168pin內(nèi)存接口定義 2009-12-01 立即下載

半導體存儲器.

半導體存儲體 RAM 2009-06-14 立即下載

一種使用fpga設(shè)計的DRAM控制器

FPGA DRAM 2009-05-13 立即下載

內(nèi)存技術(shù)與發(fā)展

內(nèi)存技術(shù) RISC 2009-04-12 立即下載

ARM7在嵌入式應用中啟動程序的實現(xiàn)

Cirrus Logic Ateml 2009-04-12 立即下載

xilinx Synthesizable High Performance

Xilinx SDRAM 2009-03-07 立即下載

SDRAM控制器參考設(shè)計,Lattice提供Verilog代碼

Lattice SDRAM 2009-03-07 立即下載

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07-16 使用1D-1DEPE的光波導布局設(shè)計工具

Rosaaa|瀏覽：402|回復：0| Rosaaa 2024-07-16 10:14:58

04-17 為什么RK3399uboot編譯后會反復重啟呢

abgh668|瀏覽：930|回復：1| 2220193197 2024-04-17 18:38:38

05-11 全球DRAM和NAND市場前景堪憂,價格或迎來下跌

wdble19|瀏覽：1384|回復：3| springvirus 2023-05-12 12:36:56

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01-23 了解SRAM跟DRAM的區(qū)別在哪里

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10-29 行業(yè)首創(chuàng)！美光發(fā)布汽車行業(yè)首份DRAM硬件評估報告

美光宣傳員|瀏覽：3069|回復：0| 美光宣傳員 2021-10-29 14:31:27

02-24 ARM里的ram和SDRAM之間有何區(qū)別

英尚微電子|瀏覽：2351|回復：1| 大華K 2021-02-24 17:04:00

01-08 SRAM VS DRAM

宇芯電子|瀏覽：1520|回復：1| 船長demons 2021-01-10 17:20:51

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