在 AI 與邊緣計(jì)算需求激增的背景下，內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正快速演進(jìn)。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)近期公布，正為JESD209?6 LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)下一版規(guī)劃新增特性，并確認(rèn)基于 LPDDR6 的SOCAMM2（片上系統(tǒng)先進(jìn)內(nèi)存模塊）規(guī)范正在開發(fā)中。 

一、LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)重點(diǎn)升級(jí)

JEDEC 表示，新版 LPDDR6 將引入更窄的單裸片接口，在非二進(jìn)制架構(gòu)下新增x12、x6 子通道模式（位寬從 x16 擴(kuò)展至 x24），可提升單封裝裸片數(shù)量、顯著增加單通道容量，以滿足 AI 級(jí)內(nèi)存需求。

標(biāo)準(zhǔn)還將加入靈活元數(shù)據(jù)劃分機(jī)制，在保持峰值帶寬的同時(shí)，讓數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商在可用容量與可靠性之間取得平衡。

同時(shí)，LPDDR6 有望將內(nèi)存密度提升至512GB，超越現(xiàn)有 LPDDR5/5X 上限，更好匹配 AI 訓(xùn)練與推理負(fù)載的增長(zhǎng)需求。 

二、面向 AI 的 SOCAMM2 標(biāo)準(zhǔn)同步推進(jìn)

隨著英偉達(dá)在 Vera Rubin 平臺(tái)加快采用 SOCAMM2，JEDEC 正開發(fā)基于 LPDDR6 的 SOCAMM2 模塊標(biāo)準(zhǔn)，延續(xù)緊湊、易維護(hù)的形態(tài)，并為現(xiàn)有 LPDDR5X SOCAMM2 模塊提供清晰升級(jí)路徑。

此外，JEDEC 即將完成 LPDDR6 內(nèi)存內(nèi)計(jì)算（PIM） 標(biāo)準(zhǔn)制定，將計(jì)算功能直接集成到內(nèi)存中，減少內(nèi)存與處理器間的數(shù)據(jù)搬運(yùn)，提升邊緣與數(shù)據(jù)中心推理性能及能效。 

三、三星、SK 海力士 LPDDR6 進(jìn)展

三星

• 已完成 LPDDR6 開發(fā)，計(jì)劃2026 年下半年量產(chǎn)上市

• 采用 12nm 工藝，初始速率最高10.7Gbps，能效較 LPDDR5 提升 21%

• 后續(xù)版本速率有望突破14.4Gbps

• 已向高通送樣 LPDDR6X，用于下一代 “AI250” AI 加速器

SK 海力士

• 2026 年 3 月宣布采用1c 工藝成功開發(fā) LPDDR6，速率達(dá)10.7Gbps

• 目標(biāo)2026 年上半年具備量產(chǎn)條件，下半年出貨

• 較 LPDDR5X 數(shù)據(jù)處理性能提升約33%，功耗降低20% 以上，得益于子通道架構(gòu)與 DVFS 技術(shù)