據報道，隨著AI芯片需求的持續增長，全球晶圓代工兩大巨頭臺積電與三星電子在先進制程領域的競爭愈發激烈。雙方圍繞1納米、2納米制程展開的戰略布局，展現出截然不同的發展節奏。

據臺積電近期發布的發展藍圖顯示，公司計劃在2027年實現1納米等級制程的量產，首發為A16（即1.6納米）制程，隨后在2028年推出A14制程，并于2029年進一步升級至A13和A12制程。其中，A13制程相較于A14能夠縮減6%的芯片面積，同時通過設計技術協同優化（DTCO）提升能源效率與性能表現。而A12制程作為A14的強化版，將專為AI與高效能運算（HPC）領域設計，并導入背面供電網絡技術（BSPDN）“超級電軌”，將供電區域移至晶圓背面，進一步強化技術優勢。

相比之下，三星電子的策略顯得更為保守。據三星在2025年“SAFE論壇”上透露，其1.4納米（SF1.4）制程的量產目標已從原定的2027年推遲至2029年。目前，三星正集中資源優化2納米制程的良率與性能，計劃在2026年5月的美國SAFE論壇上發布以2納米制程為核心的戰略規劃。業界分析認為，三星希望通過夯實2納米技術基礎，逐步邁向1納米制程，避免因過快推進而影響產品穩定性與盈利能力。

兩大巨頭的戰略差異，反映了對先進制程發展節奏的不同判斷。臺積電憑借穩定的良率與龐大的客戶資源，選擇加速沖刺1納米制程，以鞏固其在晶圓代工領域的領先地位。而三星在經歷3納米制程的良率挑戰后，則采取更為穩健的策略，優先確保2納米制程的成熟度，再逐步向更先進制程邁進。