臺積電擬擴大在美國投資,亞利桑那州芯片廠擴建提速
在美國商務部舉辦的選擇美國投資峰會上,臺積電方面表示,在先進半導體制造與人工智能基礎設施需求持續攀升的背景下,公司可能進一步擴大在美投資布局。
在峰會期間被問及臺積電(2330.TW)是否會繼續在美投資時,侯永清博士回應稱 “存在多種可能性”,并補充道公司已做好準備,把握新的商業機遇與未來增長空間。
美國商務部長霍華德?盧特尼克在峰會上表示,企業正大幅增加在美投資,尤其集中在人工智能基礎設施與半導體領域。他指出,僅臺積電和美光科技就已承諾投入數千億美元用于制造項目,而來自中國臺灣、日本、韓國的合作伙伴也紛紛表態將在美國設廠生產。
盧特尼克稱,美國政府不再只著眼于引回零散的制造項目,而是希望通過基礎設施重建、能源投資與大規模半導體生產,推動更廣泛的產業復興。他預計美國將吸引數萬億美元投資承諾,其中包括數千億美元的能源基礎設施投資,以及超 1 萬億美元的半導體相關基礎設施投資(數據中心投資未計入)。
美國商務部主管國際貿易的副部長威廉?基米特也在峰會上稱贊臺企,稱它們 “不僅擅長制造,更懂得落地執行、兌現成果”。
臺積電全球擴產速度翻倍
侯永清在近期一場美國科技論壇上,介紹了臺積電最新的美國擴產路線圖:
2025 年將推進9 期建設項目,2026 年保持同等節奏持續擴產。
相較往年年均約 4 期的平均進度,臺積電目前在臺灣地區與海外的擴產速度均提升至歷史水平的約兩倍。
亞利桑那廠區進展
第一座晶圓廠:已采用 N4(4 納米)工藝量產,服務本地客戶,良率已達到臺灣廠區生產同款產品的水平。2026 年 N4 產能預計提升1.8 倍。
第二座晶圓廠:土建已完工,2026 年下半年開始裝機,瞄準 3 納米工藝,預計 2027 年下半年量產。
第三座晶圓廠:已動工,規劃 2 納米工藝。
第四座晶圓廠 + 首座先進封裝廠:2026 年啟動建設。
為支撐未來增長,臺積電已在亞利桑那現有廠區對面額外拿下一塊用地,以滿足美國客戶的擴產需求。
行業消息稱,臺積電內部已確認,在當前規劃的 6 座晶圓廠、2 座先進封裝廠之外,還計劃至少再增建5–6 座生產設施。
首座先進封裝廠預計今年下半年動工、2028 年投產,暫定采用 SoIC 與 CoW 封裝技術;第二座先進封裝廠(AP2)將根據客戶需求啟動。
加速在美擴產的原因
供應鏈消息指出,多重因素推動臺積電加快美國布局:
美國客戶需求強勁;
英特爾、三星在先進芯片訂單上的競爭持續加劇;
蘋果、谷歌、AMD 等企業尋求供應鏈多元化,減少對臺積電單一依賴;
馬斯克的 “超級工廠(Terafab)” 計劃;
美方對電力供應的擔憂。
市場普遍預期,臺積電將進一步上調在美投資規模。





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