電動(dòng)汽車超快充、數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施，將成為碳化硅（Si）的下一輪增長引擎。

安森美（onsemi）高級技術(shù)營銷總監(jiān) Mrinal Das 在今年 “化合物半導(dǎo)體國際大會(huì)” 上，用一句話概括了 SiC 的下一波重大機(jī)遇：可持續(xù)地攻克兆瓦級應(yīng)用。

Das 表示：“技術(shù)進(jìn)步的核心價(jià)值，在于提升生產(chǎn)效率、改善生活品質(zhì)。SiC 功率電子器件，能顯著縮短電動(dòng)車充電時(shí)間、助力 AI 數(shù)據(jù)中心升級供電系統(tǒng)。”

電動(dòng)車邁向兆瓦級快充

Das 指出，電動(dòng)車行業(yè)正轉(zhuǎn)向兆瓦級快充：

• 1 兆瓦快充已商用，目標(biāo)體驗(yàn)媲美燃油車加油；

• SiC 可提升能效3%，屬于顛覆性提升；

• 到 2030 年，SiC 能效提升可支撐美國4000 萬戶家庭用電。

AI 驅(qū)動(dòng)超高功率需求

AI 已從簡單任務(wù)走向智能體（Agentic）時(shí)代，需要兆瓦級算力支持推理決策：

• 數(shù)據(jù)中心電壓從 400V 升至 800V，2030 年前有望達(dá) 1500V；

• 低壓端仍用硅 MOSFET，高壓端由 SiC 主導(dǎo)；

• 智能電網(wǎng)升級也將大量采用 SiC 器件。

英飛凌：SiC 已歷經(jīng)三次爆發(fā)，第四次正在到來

英飛凌 SiC 首席專家 Peter Friedrichs：

• 2000 年代初：電源應(yīng)用首次爆發(fā)；

• 2010 年代：可再生能源推動(dòng)第二次增長；

• 近年：電動(dòng)車帶動(dòng)第三次爆發(fā)；

• 當(dāng)下：電力基礎(chǔ)設(shè)施將驅(qū)動(dòng)第四次浪潮。

新應(yīng)用：兆瓦級充電與數(shù)據(jù)中心

• 重卡充電：單站最高30 兆瓦，傳統(tǒng)變電站無法承載，需高壓直流母線 + 固態(tài)變壓器，SiC 完美適配高壓高頻場景；

• AI 數(shù)據(jù)中心：供電架構(gòu)同步升級，逐步淘汰工頻變壓器，轉(zhuǎn)向高壓直流 + 固態(tài)變壓器；

• 固態(tài)斷路器：市場規(guī)模超60 億美元，年增速 3%，2023 年銷售額有望破8 億美元，具備故障微秒級隔離、無電弧、支持故障恢復(fù)優(yōu)勢。

器件選型：SiC JFET 更適合高壓場景

Friedrichs 推薦SiC JFET用于固態(tài)斷路器：

• 功率密度高于 SiC MOSFET；

• 高壓大電流下穩(wěn)定性更強(qiáng)，支持線性工作模式；

• 高壓 AC/DC 轉(zhuǎn)換（10–35kV→800V+）中，2.3kV/3.3kV MOSFET可將子系統(tǒng)數(shù)量從 40 個(gè)降至 15 個(gè)，顯著簡化架構(gòu)。

意法半導(dǎo)體：全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合是核心競爭力

意法半導(dǎo)體寬禁帶與電氣化總監(jiān) Manuel G?rtner：

• 1996 年：與卡塔尼亞大學(xué)合作開啟 SiC 研發(fā)；

• 2004/2009 年：分別推出 SiC 肖特基二極管、功率 MOSFET；

• 2019 年：收購 SiC 襯底廠商 Nortsel；

• 2024 年：建成全球首個(gè)全集成 SiC 制造基地。

產(chǎn)能布局：兼顧歐美與中國市場

• 重慶工廠：2026 年投產(chǎn)，2028 年全面達(dá)產(chǎn)；

• 卡塔尼亞工廠：2026 年投產(chǎn)，2033 年全面達(dá)產(chǎn)（含封裝）；

• 優(yōu)勢：垂直整合降低供應(yīng)鏈依賴、提升良率、降低成本，支撐電動(dòng)車、兆瓦級充電、數(shù)據(jù)中心等大規(guī)模應(yīng)用。