美國半導體企業美光科技(Micron Technology)將增產用于智慧手機等產品的半導體記憶體。將向去年收購的原爾必達記憶體位于日本廣島的工廠投資1千億日元，力爭2015財年(截 至15年8月)內將產能提高20%。今年美光科技在該工廠時隔3年重啟大規模投資，計劃通過積極投資來追趕在相關領域位居全球首位的韓國三星電子。

　　美光科技將在廣島增產使用最尖端微細加工技術(線寬為20奈米)的DRAM。和上一代25奈米線寬相比，從1枚晶圓上可以獲得的半導體晶片數量將增加約 20%，生產效率將大幅提高。美光科技還將在旗下的臺灣工廠實施增產投資，爭取將美光整體的DRAM供給能力提高20%。

　　美光本財年計劃在全球實施38億美元的設備投資，將把一半左右用于DRAM。該公司的首席執行官(CEO)馬克·杜爾坎(Mark Durcan)在接受日本經濟新聞(中文版：日經中文網)采訪時表示“移動終端和伺服器等產品的DRAM需求旺盛，今后也將根據市場動態，積極實施投 資”。

　　關于長期保存數據的NAND型記憶卡，杜爾坎表示將在2015年推出使用最尖端三維技術的產品。三星占據領先優勢的產品方面，計劃在原爾必達的秋田工廠完成部分生產工序。