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三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風(fēng)險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士......
據(jù) TechNews 報道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存儲技術(shù)“UltraRAM”，結(jié)合了 D......
隨著下一代 HBM 的競爭加劇，內(nèi)存巨頭正在為 NVIDIA 的 Rubin 的需求激增做準(zhǔn)備。根據(jù) ZDNet 的報道，NVIDIA 計劃在 2026 年第一季度完成 HBM4 最終資格測試。然而，......
據(jù)報道，英偉達(dá)正在為其 2027 年的生產(chǎn)開發(fā)自己的 HBM 基板，內(nèi)存巨頭的基板制造從 DRAM 轉(zhuǎn)移到晶圓廠工藝的焦點。據(jù)韓國的 Digital Daily 報道，美光可能采取了最謹(jǐn)慎的做法，由于......
云端AI應(yīng)用的大規(guī)模普及對數(shù)據(jù)存儲提出了更多需求。特別是面對海量數(shù)據(jù)吞吐和高速處理的數(shù)據(jù)湖等應(yīng)用，如果可以在單一服務(wù)器機(jī)架內(nèi)實現(xiàn)高密度的海量存儲，即兼顧HDD便宜、大容量，又能展現(xiàn)SSD高性能、快吞吐的表現(xiàn)，對于企業(yè)以更......
在AI需求爆發(fā)與高價值產(chǎn)品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現(xiàn)量價齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑......
根據(jù)韓國媒體韓聯(lián)社援引消息人士的話，英偉達(dá)計劃從 2027 年下半年開始承擔(dān) HBM 價值鏈中“邏輯芯片”的設(shè)計工作，這是一個核心組件，同時計劃多樣化其來源。報道指出，行業(yè)消息人士認(rèn)為英偉達(dá)的策略是為了重新平衡其與關(guān)鍵合......
終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調(diào)漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業(yè)界預(yù)期，......
SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術(shù)......
據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進(jìn)NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對NAND......
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