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集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續(xù)2016下半年的價(jià)格漲勢(shì)，2017年第一季DRAM平均銷售單價(jià)呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約......
在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器平均銷售價(jià)格(ASP)正穩(wěn)健走揚(yáng)，研究機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，此將有助推升2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)銷售規(guī)模，預(yù)估整體產(chǎn)值可達(dá)853億美元新高......
眾所周知，美光在韓國(guó)雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業(yè)務(wù)發(fā)展都不如預(yù)期，于是從早幾年開(kāi)始，這個(gè)美國(guó)存儲(chǔ)的僅存碩果之一就和Intel一起開(kāi)發(fā)3D Xpoint技術(shù)。這種新型的存儲(chǔ)技術(shù)將會(huì)在未來(lái)給Int......
引起全球集成電路產(chǎn)業(yè)重大關(guān)注的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目，2016年12月30日正式開(kāi)工。立志打造中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)航母的紫光集團(tuán)入股長(zhǎng)江存儲(chǔ)，執(zhí)掌項(xiàng)目建設(shè)，亦引人注目。 2016年12月30日，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)......
傾大陸國(guó)家之力的中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)器基地正式于2016年12月30日開(kāi)工，而此項(xiàng)目前身為武漢新芯存儲(chǔ)器基地，在歷經(jīng)中國(guó)紫光與武漢新芯合體后，重新找地建新廠，強(qiáng)調(diào)要打造全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash新廠。......
中國(guó)紫光集團(tuán)宣布，投入快閃記憶體戰(zhàn)場(chǎng)，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過(guò)240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。 紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)：“我們?cè)谖錆h投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經(jīng)正式動(dòng)工，昨天我剛......
垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜態(tài)的內(nèi)存單......
今日，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目正式動(dòng)工，預(yù)計(jì) 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，初期計(jì)劃以先進(jìn)的3D NAND為策略產(chǎn)品。 ......
現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的存儲(chǔ)玩家都不想看到三星持續(xù)一家獨(dú)大的現(xiàn)狀，中國(guó)這波掀起對(duì)存儲(chǔ)格局的改變，或許會(huì)吸引其他相對(duì)弱勢(shì)的廠商給中國(guó)提供支持。......
三星半導(dǎo)體業(yè)啟步 韓國(guó)半導(dǎo)體在1974年才開(kāi)始啟步,那時(shí)韓國(guó)正在推行一種叫”新社會(huì)運(yùn)動(dòng)”。韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)的第一個(gè)fab,叫韓國(guó)半導(dǎo)體Puchon廠,建于1974年10月。由于開(kāi)張就面臨財(cái)......
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