眾所周知，美光在韓國雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業務發展都不如預期，于是從早幾年開始，這個美國存儲的僅存碩果之一就和Intel一起開發3D Xpoint技術。這種新型的存儲技術將會在未來給Intel和美光帶來新的成長激勵。尤其是對美光來說，在現狀和未來的表現都不夠好的環境下，這似乎是美光的最后救命稻草。

　　回顧存儲的發展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來，最具突破性的一項存儲技術。由于具備以下四點優勢，3D Xpoint被看做是存儲產業的一個顛覆者：

　　(1)比NAND Flash快1000倍;

　　(2)成本只有DRAM的一半;

　　(3)使用壽命是NAND的1000倍;

　　(4)密度是傳統存儲的10倍;

　　而得益于這些優勢，3D Xpoint能被廣泛應用在游戲、媒體制作、基因組測序、金融服務交易和個體化治療等領域。以上只是3D Xpoint的一些應用示例。但從以上介紹，我們可以看出，3D Xpoint未來的應用非常有潛力。

　　Source：techreport

　　從美光的公告我們可以看出，2017年，他們將會從3D Xpoint上獲得收益。但美光并沒有詳細說明會從3D Xpoint上獲得多少收益，美光同樣沒有介紹未來將會有哪些客戶使用這個新技術。

　　就我所看，2017年，美光從3D Xpoint上獲取的收益并不會太多，但可預期的是，未來數年，美光能從其身上獲得更大的成長驅動力。

　　英特爾與美光雙方宣稱，3D XPoint能夠提供千倍于當前NAND產品的使用壽命水平。假設這里的參考對象為現代(15納米至20納米)MLC NAND，那么其使用壽命將達到數百萬次全盤寫入; 不過在市場營銷材料當中，我們看到相關產品的寫入次數可以達到數千萬次。

　　如果我們假定其全盤寫入次數為300萬次(即1000倍于現代MLC閃存)，那么一塊基于3D XPoint技術的256 GB驅動器將能夠提供總計高達768 PB的數據寫入能力。這相當于五年內每天寫入420 TB數據，或者每秒寫入4.9 GB數據。

　　對于目前依賴于NAND技術的存儲設備而言，3D XPoint將消除任何可能出現的使用壽命問題——不過相對于耐久性幾乎無限的DRAM來說，3D XPoint仍然要略遜一籌。企業最終是否會利用3D XPoint取代DRAM還是要取決于實際應用情況，特別是對于那些要求使用DRAM的企業級工作負載來說更是如此。

　　3D XPoint的延遲水平在10納秒級別，但英特爾與美光雙方并沒有明確指出這一數字到底來自讀取延遲還是寫入延遲。從英特爾方面提供的圖表來看，10納秒級別應該是指讀取延遲，因此NAND寫入延遲的計量單位應該是毫秒(一般來講，全頁寫入的延遲為1到2毫秒)，而圖表中列出的NAND延遲為數十微秒的說法與NAND的讀取延遲相符。

　　寫入延遲往往遠高于此，再結合英特爾與美光雙方作出的“速度可達NAND上千倍”的說明，那么我們猜測3D XPoint的寫入延遲應該在100納秒級別甚至是毫秒級別。不過更復雜的是，3D XPoint以bit為訪問層級，而NAND以頁為訪問層級，因此在不考慮外界因素的前提下比較二者的延遲水平相當困難。

　　無論如何，3D XPoint的性能表現應該更接近于DRAM而且優于NAND，不過考慮到英特爾與美光都沒有就延遲給出明確參數，因此我們作出斷言恐怕還為時尚早。