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3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。......
2月28日消息，SK海力士正致力于開發新一代低功耗內存LPDDR5M，其數據傳輸速率與現有的LPDDR5T相同，均為9.6Gbps，但在能效方面實現了顯著提升。LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V......
美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態系統合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設計的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級）DRAM?節點?DDR5?內存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?......
從AI服務器到AI PC，如何快速的用上DeepSeek成為熱門問題。無論DeepSeek Janus-Pro把多模態提升到了一個新層次，還是媲美主流的DeepSeek-V3，或者應用于本地的DeepSeek-V3，對存......
NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經理茍嘉章預期，NAND Flash市況將于6月好轉，下半年表現將優于上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開始......
該存算一體宏芯片在 28nm CMOS 工藝下流片, 可支持 BF16、FP8 浮點精度運算以及 INT8、INT4 定點精度運算。......
當地時間2月24日，NAND Flash廠商西部數據（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業務的分拆計劃。圖片來源：西部數據據悉，分拆后的閃存業務將重新以獨立的閃迪（Sandisk）公司名義運營，......
據韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協議，以便......
據韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術，特別是在新的先進封裝技術“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協議，達成合作。據悉，V10是三星電子計劃最早在今......
半導體周要聞（2025-2-17 to 2025-2-21）1 ) 長鑫存儲DRAM份額將達10%，重塑內存格局根據半導體行業報道，長鑫存儲的DRAM市場份額從2024年僅為5%到今年將飆升至10%，預計可與三星電子、S......
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