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coolsic mosfet 650v g2 文章 最新資訊

功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

  • 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環節，布局完成后將形成：外延設備+外
  • 關鍵字： 功率半導體  IGBT  MOSFET  SIC  

優化SiC MOSFET的柵極驅動

  • 在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
  • 關鍵字： SiC MOSFET  柵極驅動  安森美  

ROHM開發出超低導通電阻的Nch MOSFET

  • 新推出40V～150V耐壓的共13款產品，非常適用于工業設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業和消費電子設備用的電機等。近年來，全球電力需求量持續增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業設備的工作
  • 關鍵字： ROHM  超低導通電阻  Nch MOSFET  

Diodes 公司推出功率密度更高的工業級碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
  • 關鍵字： Diodes  碳化硅 MOSFET  

基于Infineon S7 MOSFET 主動式電源整流方案

  • 因應日趨嚴苛的能源效率規范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態切換的應用場合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統效率，與傳統bridge diode相比，在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
  • 關鍵字： Infineon  S7 MOSFET  電源整流  

同時實現業內出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。近年來，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節能。據了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時所產生的噪聲，主要通過添加部件和改變
  • 關鍵字： 超快反向恢復時間  Super Junction MOSFET  MOSFET  

SiC MOSFET的短溝道效應

  • Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家帶來更多有價值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

正確選擇MOSFET以優化電源效率

  • 優化電源設計以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節省能源，減少熱量產生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數量比，以提高電源設計的效率。圖 1 顯示了一個具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時，如何恰當分配 HS-FET 和 LS-FET 的內阻以獲得最佳效率，這對電源工程師來說是一項挑戰。 MOSFET的結構和損耗組成MOSFE
  • 關鍵字： MPS  MOSFET  

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
  • 關鍵字： ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業設備功率模塊   

Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優化，可在175°C下工作，適用于先進的電信和計算設備。 憑借數十年開發先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產品組合中的首選，
  • 關鍵字： Nexperia  SMD  銅夾片  LFPAK88  MOSFET  

[向寬禁帶演進]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

  • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發不良的導電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實現方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用，而且在汽車
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  

碳化硅MOSFET加速應用于光伏領域 增量市場需求望爆發

  • 據報道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發了采
  • 關鍵字： SiC MOSFET  

使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

  • 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個特定值。大多數功率轉換器都有過流限制器，以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉換器中，甚至可以調整閾值。圖1. 每個端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內置甚至可調節限流器的DC-DC升壓轉換器。在這種情況下，無需額外的限流器模塊。不過，也有許多應
  • 關鍵字： ADI  MOSFET  

Ameya360：平面MOSFET與超級結MOSFET區別

  • 今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談超級結MOSFET相關的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據其特征和特性對使用區分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
  • 關鍵字： MOSFET  超級結MOSFET  

FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現象下半年將持續

  • 2023 年，半導體和電子元件價格正在穩定，但仍有部分產品短缺。
  • 關鍵字： FPGA  MOSFET  
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