coolsic mosfet 650v g2 文章
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- 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數基本相等的脈沖響應以及
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MOSFET VP-P 120 電壓
- 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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MOSFET 高頻特性 放大器
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統解決方案尺寸。
全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內，貼裝業界標準TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼，滿足當今市場對時
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英飛凌 MOSFET SMD ThinPAK
- 在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中評
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解析 能量 雪崩 UIS MOSFET
- 用作功率開關的MOSFET
隨著數十年來器件設計的不斷優化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅動變為電壓驅動，加快了這些產品的市場滲透速度。上世紀80年代，平面柵極功率MOSFET
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考量 設計 MOSFET 功率 基于
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。
新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網本和工業/通用系統中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
- 引言
通信電路板常常采用負載點(PoL)DC-DC轉換器來為數字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供電。一般而言，一個48V的背板采用中間總線架構(IBA)作為電路板的輸入電源，為不同負載點(PoL)供電，而中間電壓通常選為12V(見圖1)。這種傳統方案包含一個分立式PoL，該PoL是以分立的方式使用控制器、驅動器和MOSFET。由于該方案需要額外的設計和制造時間，故半導體供應商目前開始轉而采用完全集成的調節器解決方案，以期縮短上市時間，減小PCB空間，并使終端應用達到更高的效率水平。本
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Fairchild 電源設計 MOSFET
- 據國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。
第二財季凈利潤好于分析師預期，營收與分析師預期相當。據彭博社調查的分析師此前曾預計，該公司第二季度經調整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續第三季度實現盈利，而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達39億歐元。
英飛凌上調了
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英飛凌 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業內P溝道MOSFET最低的導通電阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產品。這種最先進的技術能夠實現超精細、亞微米的節距工藝，將業內P溝道MOSFET所能實現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
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Vishay MOSFET TrenchFET
- 英飛凌科技股份公司與飛兆半導體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。
兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。
英飛凌低壓MOSFET產品總監兼產品線經理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
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英飛凌 MOSFET 飛兆半導體
- Maxim推出內置28V MOSFET的雙向過流保護器MAX14544/MAX14545，有效避免主機因過載故障和/或輸出過壓而損壞。器件本身的集成功能，結合開關斷開狀態下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設供電端口保護的理想選擇。目標應用包括：蜂窩電話、MID (移動互聯網設備)、電子書及其它外掛配件的便攜設備。
MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工廠預置門限之間選擇，反向限流值設置為150mA。器件采用2mm x 2mm、8引腳TDFN無鉛封裝，工作在-
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Maxim MOSFET 過流保護器
- 恩智浦半導體(NXP?Semiconductors)近日成為首個發布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應商。結合了恩智浦在封裝技術及TrenchMOS技術方面的優勢和經驗，新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車應用進行了優化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。
隨著對電子應用不斷增長的消費需求，汽車
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NXP MOSFET LFPAK
- 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。
兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
飛兆半
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英飛凌 MOSFET DC-DC
- 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。
兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
飛兆半
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Fairchild MOSFET
- 據來自IC分銷渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場效晶體管(MOSFET)和DRAM在內的大部分半導體元件供應比較緊張，但是由于代工廠已經在滿負荷運行，預計短期內這種情況不會得到緩解。
據臺灣媒體報道，消息人士指出，預計在今年第二季度，半導體元件的價格漲幅將超過10%。在第一季度中，其價格已經平均提高了5-10%。
另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價格漲幅最大，在今年余下幾個月中，
- 關鍵字：
PWM MOSFET DRAM
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