coolsic mosfet 650v g2 文章
最新資訊
- 1. 引言
本文設計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進行設計。APT公司在其生產的射頻功率MOSFET的內部結構和封裝形式上都進行了優化設計，使之更適用于射頻功率放大器
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MOSFET 射頻功率 功率放大器
- 隨綠色經濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。
據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。
在這種情況下，性能遠優于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環境
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豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
- 全球節能環保意識高漲使得高效、節能產品成為市場發展的主流趨勢。相應地，電源|穩壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應用到整機電子產品中。在功率器件產品中，MOSFET的市場需求增長最快。據分析機構數據顯示，盡管受全球金融危機影響， 2008年，中國MOSFET市場需求量為198.2億個，仍比2007年增長了11.9%。
在應用方面，目前消費電子已成為MOSFET最大的應用市場，這主要得益于MOSFET在便攜式產品、LCD TV等消費電子產品中的廣泛應用。其次，是計算機、工業控制
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Fairchild MOSFET 穩壓器
- 引言歐盟部長理事會已經執行RoHS指令(在電子電氣設備中限制使用某些有毒有害物質指令)以及WEEE指...
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MOSFET 綠色 塑料封裝
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅動應用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應用，以及螺線管驅動器。
AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側驅動器，具有內部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關溝道能夠在高側配置中驅動一個N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達150V的條
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IR MOSFET 驅動器 AUIRS2016S
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET，為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
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Fairchild MOSFET FDMS7650
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業應用的設計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結MOSFET系列產品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導體的600V SuperFET&trade
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Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET
- 在美國，工業應用領域AC電機所用的電能占全國的2/3以上。在許多應用中，AC電機或被關斷或以全速運作，而通過為電機添加變速控制功能，就能夠在標準開啟/關斷控制下實現顯著節能。用混合信號FPGA來實現高效率AC電機控制系統，可大幅降低電機的功耗。
電機無處不在
今天，電機用于各類應用中，然而，很少有人意識到電機在使用中對環境帶來怎樣的影響。專家估計，在美國，電機所消耗的電能約占總發電量的50%。從全球范圍看，AC電機功耗占工業應用的70%，占商業應用電能的45%，占住宅應用電能的42%。
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FPGA PWM MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應用和網絡通信及和服務器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。
這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術，并且通過非常低的導通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。
IR亞洲區銷售副總裁
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IR MOSFET UPS 溝道
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench® 工藝 技術，為手機、醫療、便攜和消費應用設計人員帶來業界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。通過降低損耗，FDZ371PZ能夠提高便攜設計的效率，并延長電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩健ESD保護功能，以保護器件免受ESD事件
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Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ
- D類放大器的應用范圍非常廣泛，隨著技術的成熟，目前已進入大規模普及階段。針對其在器件成本、EMI等方面的問題，業內企業也提出了多種解決方案。
D類放大器技術是三四年前被業內熱議的新技術，目前它已進入大規模普及階段。業界正在積極解決應用普及過程中的問題，如EMI(電磁干擾)、成本和效率等。與此同時，集成技術也是一個不容忽視的趨勢。
轉入大規模普及階段
三四年前，D類放大器在業界掀起了一個新技術的小高潮。D類放大器采用脈沖調制方式將輸入信號轉換為數字脈沖，由MOSFET進行放大，再通過低
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ADI D類放大器 MOSFET EMI
- 上網本是筆記本電腦的派生產品，目前上網本的功率需求與筆記本電腦相似。由于需要使用多單元鋰離子電池，因而需要具有寬輸入電壓范圍的降壓轉換器來驅動內核、存儲器、外設或通用系統組件。另外也可選擇使用低壓降(LDO)調節器。
大多數MID和智能手機使用各種功率管理單元(PMU)來實現功率管理，而這源于它們的低功耗需求。過去一年來，上網本市場經歷了前所未有的增長，供應商正在積極開發用于上網本的集成式電源解決方案，2008年大多數上網本電腦電源采用了分立式解決方案，然而今年我們預計將轉向包含有控制器+MOS
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上網本 PMU MOSFET
- 上網本的電源管理分為以下幾部分：電源適配器、電池充電和管理、CPU供電、系統供電、I/O和顯卡供電、顯示背光供電、DDR存儲器供電。MPS針對上網本對電源小型化和輕載高效的要求，發展了擁有自主知識產權的一系列電路控制策略、半導體集成工藝以及封裝技術。
MPS的DC/DC變換器，將電源控制器、驅動和MOSFET完全集成在一個芯片中。和大多數競爭對手所采用的多芯片封裝不同，MPS是將這些部分完全集成在一個硅片上，這極大地降低了傳統分立元件所帶來的寄生參數影響，從而提高變換器的效率和開關頻率，減小電容
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MPS 電源管理 MOSFET 上網本
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續第六年穩居全球第一的寶座。據IMS Research公司2009年發布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%。現在，英飛凌在該市場上占據了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區以及美洲，英飛凌也繼續獨占鰲頭，分別占據了22.8%和11.2%的市場份額。
隨著汽車、消費和工
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英飛凌 IGBT MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關模式電源 (SMPS) 、不斷電系統 (UPS)、反相器和DC馬達驅動器等工業應用提供極低的閘電荷 (Qg)。
與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達33%。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉換應用技術的日
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IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC馬達驅動器
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