coolsic mosfet 650v g2 文章
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- 準方波諧振轉換器也稱準諧振(QR)轉換器，廣泛用于電源適配器。準方波諧振的關鍵特征是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達到其最低值時導通，從而減小開關損耗及改善電磁干擾(EMI)信號。
準諧振轉換器采用不連續導電模式(DCM)工作時，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級電感(Lp)與節點電容(Clump，即環繞MOSFET漏極節點的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構成諧振網絡，Lp與C
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安森美 MOSFET 電源適配器 EMI
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出創新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對X電容自動進行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項安全標準。
X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長時間貯存高壓電能，因此會構成安全威脅。電阻通常用于對這些電容進行放電，以便滿足安全要求;但這些電阻會在AC接通后產生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機輸入功耗的重要因素。
CAPZero與放電電容串聯
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PI CAPZero MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業界領先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開
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IR MOSFET DirectFET 芯片組
- 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產品。
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉換器應用中的同步端而優化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
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安森美 MOSFET 肖特基二極管
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導通電阻的各種應用，包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控制、DC-DC 轉換、電池開關，以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺的其它重載應用。
新器件采用了 IR 經過驗證的 Gen 10.2 技術，可提供低至 1.0 mΩ 的導通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至
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IR MOSFET
- 下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非所有原創。包含 MOS管的推選 ，特征，驅動以及運用 電路?！?br /> 在運用 MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會思慮 M
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MOSFET 利用 原理 電路 驅動
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現更高的效率，同時避免出現導致MOSFET燒毀的內部體二極管恢復故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電
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Vishay MOSFET
- 美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優點，可提高電源電路的轉
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GaN MOSFET
- 在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中評定這些參數對其的影響，以及在哪些應用條件下需要考慮這些參數。本文將論述這些問題，同時探討功率MOSFET在非鉗位感性開關條件下的工作狀態。
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雪崩 能量 UIS MOSFET 功率 理解
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的液晶電視功率解決方案相比現今使用的傳統解決方案，可為設計人員提供顯著優勢，最近的創新技術能夠減少元件數目，簡化設計，并進一步提高可靠性——所有這些可以大幅降低成本。
通過技術進步，飛兆半導體的半橋解決方案Ultra FRFET系列進一步優化設計，具有35ns~65ns的同類最佳反向恢復時間(trr)和業界最小的反向恢復電流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶電視設計使用MOSFET和半橋電路中的兩個快速恢
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Fairchild 液晶電視 MOSFET
- 據iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實際上還幾乎一片空白。
GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術，最近已從大學實驗階段進入商業化階段。該技術對于供應商來說是一個有吸引力的市場機會，它可以向它們的客戶提供目前半導體工藝材料可能無法企及的性能。
iSuppli公司認為，在過去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導體領域中大有前途的新星。
首先，硅在
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iSuppli MOSFET 電源管理芯片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產品。這些系列器件具有業內領先的標準，如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示，是很多關鍵應用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產品線組合的典型代表產品。
2010年將要發布的Super 12產品是：
597D和T97多模鉭電容：對于+28V應
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Vishay 電容 導通電阻 MOSFET
- 全球高性能模擬半導體設計和制造領導廠商Intersil公司今天宣布，推出最新的雙通道同步降壓穩壓器 --- ISL8088。該器件采用超小封裝，具有非常高的功率轉換效率和低靜態電流。
ISL8088是每通道800mA的雙通道降壓穩壓器，內部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的輸入電壓和35mA的靜態電流，使ISL8088成為電池供電和其他“綠色電源”應用的理想之選。ISL8088可以選擇工作在強制的PWM模式和自動的PWM/PFM模式，以延長電池壽命。
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Intersil 穩壓器 ISL8088 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉換器解決方案，具有先進的控制器IC和柵極驅動器、兩個針對PWM控制優化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨立降壓穩壓器配置中的自啟動開關，采用節省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。
microBUCK系列的產品綜合了Vishay獨特的分立MOSFET設計、IC專長和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
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Vishay microBUCK MOSFET 封裝
- 在節能環保意識的鞭策及世界各地最新能效規范的推動下，提高能效已經成為業界共識。與反激、正激、雙開關反激、雙開關正激和全橋等硬開關技術相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開關技術能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應用中，軟開關技術越來越受設計人員青睞。
另一方面，半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應用。半橋配置涉及兩種基本類型的MOSFET驅動器，即高端(High-Side)驅動器和低端(Low-Side)驅動器。高端表示M
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安森美 MOSFET 變壓器 硅芯片
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