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人工智能與機(jī)器人技術(shù)推動(dòng)氮化鎵功率器件市場(chǎng)爆發(fā)

氮化鎵（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、可再生能源等多個(gè)行業(yè)，同時(shí)還切入數(shù)字醫(yī)療、量子計(jì)算等新興領(lǐng)域，這一趨勢(shì)推動(dòng)氮化鎵市場(chǎng)從今年到 2030 年實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。尤其在數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，采用新型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的氮化鎵電源相比硅基電源，能實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度，功耗損耗最多可降低 30%，助力打造更高效、更緊湊的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)。應(yīng)用于人形機(jī)器人的氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，體積可縮小 40%，還能提升精細(xì)動(dòng)作的控制精度。英飛凌氮化鎵業(yè)務(wù)線高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理約翰內(nèi)斯?朔伊斯沃爾博士在接受《歐洲電子工
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小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直 GaN 創(chuàng)新：vGaN 支持高電壓和高頻率運(yùn)行，效率優(yōu)于硅芯片先進(jìn)制造工廠：GaN 研發(fā)工作在占地 66,000 平方英尺、配備 GaN 生產(chǎn)專用工具的潔凈室設(shè)施中進(jìn)行專有 GaN 生長(zhǎng)工藝：工程師借助安森
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NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領(lǐng)域洞察

進(jìn)入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價(jià)保持穩(wěn)定，基本不受存儲(chǔ)周期性波動(dòng)影響。同時(shí)，市場(chǎng)需求正日益轉(zhuǎn)向適用于汽車、工業(yè)及真無(wú)線耳機(jī)（TWS）等領(lǐng)域的更高密度SPI NOR產(chǎn)品。更大的固件容量、無(wú)線升級(jí)（OTA）需求以及邊緣AI的集成，共同推動(dòng)了高密度NOR Flash設(shè)備的采用，尤其是從128Mb向256Mb及以上容量的升級(jí)。盡管出貨量趨于平穩(wěn)，但產(chǎn)品密度的提升、漫長(zhǎng)的認(rèn)證周期以及向55-40納米工藝穩(wěn)定遷移，將持續(xù)驅(qū)動(dòng)其價(jià)值增長(zhǎng)。得益于供需結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定，NOR F
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過(guò)電應(yīng)力導(dǎo)致的器件失效

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，元器件的可靠性是系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的基石。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，我們常常會(huì)遇到各種各樣的器件失效問(wèn)題。其中，過(guò)電應(yīng)力（Electrical Over Stress, EOS）導(dǎo)致的失效占比超過(guò)80%以上，而器件本身質(zhì)量原因?qū)е碌氖О咐蚊采贤ǔＥc“EOS”形貌類似，故因器件本身質(zhì)量原因?qū)е碌氖Ш芏鄷r(shí)候常常被誤判或忽視。本文將簡(jiǎn)單學(xué)習(xí)EOS的失效機(jī)理、典型特征、與靜電放電（ESD）的異同，然后結(jié)合兩個(gè)功率器件失效實(shí)際案例，簡(jiǎn)述如何通過(guò)“EOS”的現(xiàn)象找到失效根因。一、何為過(guò)電應(yīng)力（EOS）？E
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iDEAL半導(dǎo)體與Mouser電子簽署全球分銷協(xié)議

?iDEAL半導(dǎo)體，一家專注于提供突破性效率的無(wú)晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，宣布與Mouser電子簽署全球分銷協(xié)議。該協(xié)議涉及iDEAL基于其新穎、專利、最先進(jìn)的SuperQ技術(shù)的功率器件。SuperQ與傳統(tǒng)超級(jí)結(jié)架構(gòu)相比，在效率和性能方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升，使功率工程師能夠滿足現(xiàn)代功率系統(tǒng)的需求，同時(shí)保持硅的可靠性、成本效益和供應(yīng)鏈穩(wěn)健性。在首批基于SuperQ的產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)后，150V MOSFET現(xiàn)已立即可用。這些產(chǎn)品提供領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和優(yōu)異的身形因子（FOM），包括業(yè)界最低的開(kāi)關(guān)
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英飛凌OptiMOS? 80V、100V以及MOTIX?功率器件為Reflex Drive無(wú)人機(jī)提供高性能電機(jī)控制解決方案

來(lái)自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導(dǎo)體功率器件，用于其下一代無(wú)人機(jī)（UAV）電機(jī)控制解決方案。通過(guò)集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的電子調(diào)速器（ESC）實(shí)現(xiàn)了更好的熱管理和更高的效率，從而在緊湊的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高功率密度。此外，通過(guò)采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM?6EDL7141?三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC結(jié)合的英飛凌MOTIX? IMD7
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柵極驅(qū)動(dòng)器 — 功率器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：第 3 部分

其他柵極驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器考慮因素柵極驅(qū)動(dòng)器 DC-DC 轉(zhuǎn)換器還有其他獨(dú)特的問(wèn)題。其中包括：1）調(diào)節(jié)：當(dāng)器件不切換時(shí)，DC-DC 轉(zhuǎn)換器上的負(fù)載接近于零。然而，大多數(shù)傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換器始終要求最小負(fù)載;否則，它們的輸出電壓會(huì)急劇增加，可能達(dá)到柵極擊穿水平。發(fā)生的情況是，這個(gè)高電壓存儲(chǔ)在大容量電容器上，因此當(dāng)器件開(kāi)始切換時(shí)，它可能會(huì)出現(xiàn)柵極過(guò)壓，直到轉(zhuǎn)換器電平下降到正常負(fù)載下。因此，應(yīng)使用具有箝位輸出電壓或極低最小負(fù)載要求的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。2）啟動(dòng)和關(guān)斷：重要的是，在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌達(dá)到指定值之前，I
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據(jù)報(bào)道，Wolfspeed 將被 Apollo 領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人接管，同時(shí)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將迎來(lái)機(jī)遇

據(jù)路透社援引彭博社報(bào)道，在關(guān)于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個(gè)月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動(dòng)蕩。由 Apollo 全球管理公司領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人正準(zhǔn)備根據(jù)破產(chǎn)計(jì)劃接管公司。報(bào)道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預(yù)計(jì)將在幾天內(nèi)公布一項(xiàng)預(yù)包裝破產(chǎn)計(jì)劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務(wù)。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權(quán)人就計(jì)劃進(jìn)行投票，然后正式申請(qǐng)第 11 章保護(hù)，報(bào)道補(bǔ)充道。由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的對(duì)頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
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柵極驅(qū)動(dòng)器 — 功率器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：第 1 部分

有效的 MOSFET/IGBT 器件開(kāi)關(guān)取決于柵極驅(qū)動(dòng)器及其電源。從電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器到充電站和無(wú)數(shù)其他應(yīng)用，硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN） MOSFET等開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體以及絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是高效電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。但是，為了實(shí)現(xiàn)功率器件的最大性能，需要合適的柵極驅(qū)動(dòng)器。顧名思義，該元件的作用是驅(qū)動(dòng)功率器件柵極，快速、清晰地將其置于導(dǎo)通模式或?qū)⑵淅鰧?dǎo)通模式。這樣做要求驅(qū)動(dòng)器能夠拉出或吸收足夠的電流，盡管負(fù)載（柵極）存在內(nèi)部器件和雜散（寄生）電容、電感和其他
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新型功率器件的老化特性：HTOL高溫工況老化測(cè)試

_____隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。目前，針對(duì)功率器件的老化測(cè)試主要包括多種不同的測(cè)試方式。其中，JEDEC制定的老化測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循環(huán)測(cè)試）主要針對(duì)傳統(tǒng)的硅基功率器件。對(duì)于新型的SiC等功率器件，AQG-324標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)一步要求增加動(dòng)態(tài)老化測(cè)試，如動(dòng)態(tài)柵偏和動(dòng)態(tài)反偏測(cè)試。
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新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達(dá)到業(yè)界頂級(jí)水平」，這使得安裝面積顯著減少。
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電感的失效分析

1、電感本質(zhì)我們通常所說(shuō)的電感指的是電感器件，它是用絕緣導(dǎo)線(例如漆包線,沙包線等)繞制而成的電磁感應(yīng)元件。在電路中，當(dāng)電流流過(guò)導(dǎo)體時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)，電磁場(chǎng)的大小除以電流的大小就是電感。電感是衡量線圈產(chǎn)生電磁感應(yīng)能力的物理量。給一個(gè)線圈通入電流，線圈周圍就會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，線圈就有磁通量通過(guò)。通入線圈的電源越大，磁場(chǎng)就越強(qiáng)，通過(guò)線圈的磁通量就越大。實(shí)驗(yàn)證明，通過(guò)線圈的磁通量和通入的電流是成正比的，它們的比值叫做自感系數(shù)，也叫做電感。1.2 電感分類按電感形式分類：固定電感、可變電感。按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈
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功率電感器的額定電流為什么有兩種？

在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，電感器是僅次于IC的核心元件。通過(guò)選擇恰當(dāng)?shù)碾姼衅鳎軌颢@得較高的轉(zhuǎn)換效率。在選擇電感器時(shí)所使用的主要參數(shù)有電感值、額定電流、交流電阻、直流電阻等，在這些參數(shù)中還包括功率電感器特有的概念。例如，功率電感器的額定電流有兩種，它們之間的差異是什么呢？為了回答這樣的疑問(wèn)，我們?cè)谶@里對(duì)功率電感器的額定電流進(jìn)行說(shuō)明。存在兩種額定電流的原因功率電感器的額定電流有"基于自我溫度上升的額定電流"和"基于電感值的變化率的額定電流"兩種決定方法，分別具有重要的意義
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功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）---功率半導(dǎo)體的熱阻

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中和導(dǎo)通電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會(huì)造成器件各點(diǎn)溫度的升高。半導(dǎo)體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風(fēng)冷散熱
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功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。第一講《功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）----功率半導(dǎo)體的熱阻》，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來(lái)了，那自然會(huì)想到熱阻也可以通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)概念來(lái)做數(shù)值計(jì)算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來(lái)看熱阻的串聯(lián)。當(dāng)兩個(gè)或多個(gè)導(dǎo)熱層依次排列，熱量依次通過(guò)
關(guān)鍵字：英飛凌功率器件熱設(shè)計(jì) 串聯(lián) 并聯(lián)