半導(dǎo)體文章最新資訊

2015年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“整并瘋”背后真相

公司沒(méi)了成長(zhǎng)性，就會(huì)萎縮，這時(shí)候就必須走向并購(gòu)，這也是過(guò)去一年多以來(lái)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的現(xiàn)實(shí)。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 Fairchild

三星急尋半導(dǎo)體事業(yè)新動(dòng)能　鎖定三大領(lǐng)域

　　三星電子(Samsung Electronics)為確保下一代系統(tǒng)半導(dǎo)體的技術(shù)實(shí)力，將以生物處理器S-Patch、物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things;IoT)專(zhuān)用的半導(dǎo)體模組Artik及車(chē)用零件為半導(dǎo)體事業(yè)尋求新出路。　　根據(jù)韓媒BusinessPost的報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界消息傳出，三星電子社長(zhǎng)金奇南正致力確保下一代系統(tǒng)半導(dǎo)體的技術(shù)力，1月上旬已展示首款商用化的生物處理器S-Patch，整合多種身體資訊感測(cè)器、控制器、數(shù)位訊號(hào)處理裝置與內(nèi)建存儲(chǔ)器，附著在使用者身上就可偵測(cè)心跳與體溫等數(shù)值
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體

SEMICON China 2016——全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

　　在“推進(jìn)綱要”和以“大基金”為代表的產(chǎn)業(yè)基金強(qiáng)力推動(dòng)下，中國(guó)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位得到迅速提升。在此背景下，SEMICON China將于2016年3月15-17日在上海舉行。全球業(yè)界精英通過(guò)參加這個(gè)全球最大規(guī)模的半導(dǎo)體年度盛會(huì)，將能了解、把握快速發(fā)展的中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)商機(jī)及面對(duì)的挑戰(zhàn)，在蓬勃發(fā)展的產(chǎn)業(yè)大潮中捕捉到商機(jī)。　　SEMICON China 2016開(kāi)幕主題演講匯集了中國(guó)及全球頂級(jí)行業(yè)領(lǐng)袖，以世界領(lǐng)先者之一、中國(guó)大陸規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)集成電路制造商中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體臺(tái)積電

清華控股計(jì)劃收購(gòu)兩家半導(dǎo)體制造公司

　　北京時(shí)間1月26日早間消息，清華控股董事長(zhǎng)徐井宏本周在達(dá)沃斯世界經(jīng)濟(jì)論壇上表示，清華控股計(jì)劃收購(gòu)兩家半導(dǎo)體制造公司。此舉表明，中國(guó)計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)半導(dǎo)體制造技術(shù)。　　投行Stifel Nicolaus分析師阿隆·雷克斯(Aaron Rakers)表示：“獲得政府支持的清華控股2016年將投資2000億元人民幣，用于并購(gòu)活動(dòng)。” 　　通過(guò)子公司同方國(guó)芯，清華控股已宣布將投資120億美元，發(fā)展NAND/NOR閃存制造能力。目前，中國(guó)似乎正成為半導(dǎo)體行業(yè)的一股重要力
關(guān)鍵字：清華半導(dǎo)體

中國(guó)準(zhǔn)備投入芯片行業(yè)千億美元望成為國(guó)際領(lǐng)導(dǎo)者

　　1月24日消息，據(jù)《經(jīng)濟(jì)學(xué)人》報(bào)道，中國(guó)想成為半導(dǎo)體的超級(jí)大國(guó)，并計(jì)劃投入大量資金實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)。從上世紀(jì)70年代起，中國(guó)政府一直在努力建立本土的半導(dǎo)體行業(yè)，雖然中間也有波折。　　但中國(guó)的雄心從未像現(xiàn)在這樣大，而且預(yù)算是如此之高。在上世紀(jì)90年代中期，中國(guó)進(jìn)行了早期的大力推動(dòng)，美國(guó)投行摩根士丹利稱(chēng)，中國(guó)政府投入了接近10億美元。但這次，按照2014年宣布的宏偉計(jì)劃，中國(guó)政府將通過(guò)公募和私募基金籌集1000-1500億美元。　　中國(guó)的目標(biāo)是到2030年從技術(shù)上趕超世界領(lǐng)先企業(yè)，具備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和封裝
關(guān)鍵字：紫光半導(dǎo)體

2016中國(guó)企業(yè)半導(dǎo)體市場(chǎng)存在感將會(huì)增強(qiáng)

國(guó)內(nèi)此前花費(fèi)了20年多年的時(shí)間，投入大量資金培育半導(dǎo)體制造業(yè)，但并未取得明顯成果，最大原因是半導(dǎo)體技術(shù)人員培養(yǎng)不起來(lái)，導(dǎo)致技術(shù)人員嚴(yán)重短缺。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體

為強(qiáng)化半導(dǎo)體產(chǎn)品性能東芝也是拼了

　　據(jù)日媒報(bào)道，東芝公司為強(qiáng)化半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能，將對(duì)日本四日市的工廠(chǎng)實(shí)施擴(kuò)建，預(yù)計(jì)花費(fèi)數(shù)千億日元，閃迪公司將與東芝各承擔(dān)一半擴(kuò)建費(fèi)用。　　據(jù)悉，東芝目前已就獲得相關(guān)用地展開(kāi)調(diào)整，最快將在2017年開(kāi)工投產(chǎn)，而工廠(chǎng)擴(kuò)建的最終投資額將根據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)情況作出判斷。　　半導(dǎo)體作為東芝的核心業(yè)務(wù)，其強(qiáng)化性能的產(chǎn)品主要是用于智能手機(jī)的“NAND閃存”，東芝將對(duì)存儲(chǔ)量大幅提升的產(chǎn)品實(shí)施增產(chǎn)。　　需要說(shuō)明的是，NAND型閃存是東芝的主力產(chǎn)品，市場(chǎng)占有率僅次于韓國(guó)三星電子，位居世界第二，
關(guān)鍵字：東芝半導(dǎo)體

2016年半導(dǎo)體市場(chǎng)觀(guān)察

2015年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，電腦系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)較大幅度衰退，智慧型手機(jī)成長(zhǎng)動(dòng)能趨緩，2016在整體3C產(chǎn)業(yè)日漸成熟，出貨量已不斷降低，在這些終端產(chǎn)品出貨量沒(méi)辦法明顯提升的情況下，半導(dǎo)體市場(chǎng)的成長(zhǎng)仍然有限。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶圓

ICInsights：預(yù)測(cè)2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)4%

　　對(duì)于2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收預(yù)測(cè)以及市場(chǎng)的長(zhǎng)期動(dòng)力，各家分析師有非常不同的看法;他們?cè)谝粓?chǎng)于美國(guó)舉行的芯片業(yè)高層年度聚會(huì)上表示，中國(guó)將會(huì)是一個(gè)關(guān)鍵因素，但是也幾乎不可能預(yù)測(cè)。　　ICInsights的分析師BillMcClean是目前最樂(lè)觀(guān)的一個(gè)，他預(yù)測(cè)2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將成長(zhǎng) 4%;InternationalBusinessStrategies(IBS)的HandelJones則最為悲觀(guān)，他原本預(yù)期產(chǎn)業(yè)營(yíng)收今年將衰退 1.5%，但表示最壞也有可能衰退3%。而Gartner則是預(yù)測(cè)成長(zhǎng)1.9
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體華為

第三代半導(dǎo)體崛起中國(guó)照明能否彎道超車(chē)？

　　近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點(diǎn)，中國(guó)也不例外地快馬加鞭進(jìn)行部署。有專(zhuān)家指出，第三代半導(dǎo)體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類(lèi)信息化社會(huì)發(fā)展的基石，是推動(dòng)節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式，提升新一代信息技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導(dǎo)體材料，能否讓中國(guó)掌控新一輪半導(dǎo)體照明發(fā)展的話(huà)語(yǔ)權(quán)? 　　　　第三代半導(dǎo)體材料雙雄：SiC和GaN 　　半
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 GaN

東芝將投資超5000億日元新建半導(dǎo)體工廠(chǎng) 并與閃迪合作

　　據(jù)《朝日新聞》報(bào)道，東芝近日宣布將在位于三重縣四日市市的半導(dǎo)體工廠(chǎng)新建廠(chǎng)房，并與美國(guó)半導(dǎo)體著名品牌閃迪(SanDisk)開(kāi)展合作，投資金額超過(guò)5000億日元。新廠(chǎng)房預(yù)計(jì)將于2017年開(kāi)始投入使用，主要生產(chǎn)用于智能手機(jī)的最新型NAND型閃存。　　受去年財(cái)務(wù)丑聞曝光影響，東芝業(yè)績(jī)不斷惡化，大幅縮小了電視、電腦的生產(chǎn)業(yè)務(wù)，并開(kāi)始進(jìn)行大規(guī)模裁員。同時(shí)，東芝還將繼續(xù)向其主要財(cái)源半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進(jìn)行2000億日元規(guī)模的設(shè)備投資，與韓國(guó)三星電子等對(duì)手進(jìn)行抗衡。　　新廠(chǎng)房將建在現(xiàn)有工廠(chǎng)旁，目前已開(kāi)始與土地?fù)碛姓吆偷?/li>
關(guān)鍵字：東芝半導(dǎo)體

半導(dǎo)體衰退臺(tái)積電逆勢(shì)拼兩位數(shù)增長(zhǎng)

　　去年半導(dǎo)體景氣罕見(jiàn)衰退，但晶圓代工龍頭臺(tái)積電仍逆風(fēng)飛行，全年?duì)I收年增10.6%，成長(zhǎng)幅度優(yōu)于勁敵英特爾，營(yíng)收年增率也是專(zhuān)業(yè)晶圓代工業(yè)者中最佳。臺(tái)積電內(nèi)部看好今年?duì)I收將維持二位數(shù)成長(zhǎng)。　　臺(tái)積電日前公布去年合并營(yíng)收為8，434.97億元，年增10.6%;但根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)統(tǒng)計(jì)，去年并非所有半導(dǎo)體廠(chǎng)能像臺(tái)積電一樣逆勢(shì)成長(zhǎng)。　　顧能指出，去年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收約3，337億美元(約新臺(tái)幣11兆元)，年減1.9%。衰退的原因，主要受強(qiáng)勢(shì)美元影響部分地區(qū)需求下滑，加上全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)不佳
關(guān)鍵字：臺(tái)積電半導(dǎo)體

新一年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走向何方？看看這些企業(yè)如何布局

2015年半導(dǎo)體市場(chǎng)并不樂(lè)觀(guān)，新的一年將有所轉(zhuǎn)變，還是繼續(xù)延續(xù)較低增長(zhǎng)？半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還將表現(xiàn)出哪些新的趨勢(shì)？看看大佬怎么說(shuō)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 Synopsys

2016年半導(dǎo)體并購(gòu)暫放緩裁員、重組或影響創(chuàng)新

　　2015年全球半導(dǎo)體公司掀起整并潮，不僅大幅縮減半導(dǎo)體業(yè)者數(shù)量，整并之后更將醞釀裁員、分拆、組織重整、資產(chǎn)整合與清算等重大變革，業(yè)界憂(yōu)心恐將影響全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力，進(jìn)而沖擊未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)動(dòng)能。　　受到債務(wù)成本偏低、制造成本攀升及產(chǎn)業(yè)趨于飽和等因素影響，2015年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)購(gòu)并活動(dòng)創(chuàng)下紀(jì)錄，交易金額逼近1，200億美元，目前全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的年復(fù)合成長(zhǎng)率約5%，面對(duì)市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)能趨緩，但購(gòu)買(mǎi)新設(shè)備或開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品成本卻大幅增加，半導(dǎo)體業(yè)者似乎必須借由整并才能維持競(jìng)爭(zhēng)力。　　SanDisk執(zhí)行
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 SanDisk

紫光赴臺(tái)掃貨遇阻半導(dǎo)體業(yè)上演“三國(guó)殺”

日月光半導(dǎo)體的殺出，使得趙偉國(guó)即使再有錢(qián)，也"砸"不進(jìn)矽品精密。
關(guān)鍵字：紫光半導(dǎo)體

共5658條 111/378 |‹ « 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 » ›|

半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]