全球首次HBM4大規(guī)模出貨的消息，不僅讓英偉達(dá)股價(jià)上漲，更堅(jiān)定了AI和存儲(chǔ)芯片的高景氣預(yù)期。昨夜美股，截至收盤，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)漲1.42%，英偉達(dá)漲2.50%，恩智浦半導(dǎo)體漲2.05%，美光科技跌2.84%。

　　作為芯片制造的地基半導(dǎo)體設(shè)備板塊在經(jīng)歷昨日反彈后，今日盤中震蕩走勢(shì)，但高“設(shè)備”含量的科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）已站穩(wěn)30日均線，截至到2月9日，近一月已經(jīng)獲得近40億資金凈流入。截至10:01，成分股華峰測(cè)控上漲9.34%，艾森股份上漲5.03%，興福電子上漲4.90%，華興源創(chuàng)上漲3.18%，芯源微上漲1.65%，中芯國(guó)際漲0.95%。

　　【HBM4芯片首次實(shí)現(xiàn)大規(guī)模出貨，英偉達(dá)昨夜大漲】

　　繼單日漲幅近8%后，英偉達(dá)昨夜收漲超2%。作為全球AI行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，英偉達(dá)Vera Rubin平臺(tái)全面進(jìn)入量產(chǎn)階段，無疑是給投資者注入一劑強(qiáng)心針。而這離不開三星電子HBM4的順利交付。

　　三星電子將于本月下旬，即農(nóng)歷新年假期結(jié)束后，開始向英偉達(dá)批量供應(yīng)HBM4高帶寬存儲(chǔ)芯片。此舉標(biāo)志著全球范圍內(nèi)HBM4芯片首次實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)與交付。據(jù)行業(yè)確認(rèn)，三星已完成全部HBM4芯片的認(rèn)證流程，交付節(jié)奏與英偉達(dá)新一代人工智能加速器的研發(fā)及發(fā)布周期高度協(xié)同，其中重點(diǎn)支持的平臺(tái)為Vera Rubin。

　　該公司首席執(zhí)行官黃仁勛此前在CES 2026展會(huì)期間已表示，Vera Rubin平臺(tái)已全面進(jìn)入量產(chǎn)階段，市場(chǎng)普遍預(yù)期該平臺(tái)將于2026年下半年正式推出。三星HBM4芯片的如期交付，為這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)提供了堅(jiān)實(shí)保障。

　　高盛分析師預(yù)計(jì)，英偉達(dá)2025財(cái)年第四季度營(yíng)收將達(dá)到673億美元，同時(shí)在盈利端也將超出市場(chǎng)預(yù)期。多項(xiàng)催化因素有望推動(dòng)英偉達(dá)股價(jià)走高，并據(jù)此給出250美元的目標(biāo)價(jià)。

　　這一輪AI硬件升級(jí)浪潮不僅推高了先進(jìn)芯片的需求，也正深刻重塑整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈的供需格局。

　　【存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮持續(xù)，關(guān)注存儲(chǔ)+設(shè)備+產(chǎn)業(yè)鏈機(jī)會(huì)】

　　從價(jià)格端來看，據(jù)Counterpoint《2月內(nèi)存價(jià)格追蹤報(bào)告》顯示，截至2026年第一季度，內(nèi)存價(jià)格環(huán)比上漲80%–90%，迎來前所未有的創(chuàng)紀(jì)錄暴漲。本輪上漲的主要推手是通用服務(wù)器DRAM價(jià)格大幅攀升。

　　此外，第四季度表現(xiàn)相對(duì)平穩(wěn)的NAND閃存，在第一季度也同步上漲80%–90%。疊加部分HBM3e產(chǎn)品價(jià)格走高，市場(chǎng)正呈現(xiàn)全品類、全板塊全面加速上漲態(tài)勢(shì)。以服務(wù)器級(jí)內(nèi)存為例，64GB RDIMM合約價(jià)已從第四季度的450美元，飆升至第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元關(guān)口。

　　從資本開支端來看，當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月7日，英偉達(dá)CEO黃仁勛在接受媒體采訪時(shí)表示，科技行業(yè)在AI基礎(chǔ)設(shè)施方面不斷增長(zhǎng)的資本支出是合理、適當(dāng)且可持續(xù)的，因?yàn)檫@些公司的現(xiàn)金流都將開始增長(zhǎng)。微軟、亞馬遜、Meta、甲骨文公司和Alphabet等科技巨頭正計(jì)劃在2026年總計(jì)投入超過6000億美元的資本支出。

　　銀河證券指出，1月存儲(chǔ)市場(chǎng)延續(xù)2025年四季度以來的強(qiáng)勢(shì)上漲態(tài)勢(shì)，DRAM和NAND閃存價(jià)格漲幅持續(xù)超預(yù)期。三星電子、SK海力士等頭部廠商一季度合約價(jià)大幅上調(diào)，其中NAND閃存供應(yīng)價(jià)格上調(diào)超100%，DRAM價(jià)格漲幅達(dá)60%-70%。漲價(jià)核心驅(qū)動(dòng)因素包括：AI服務(wù)器對(duì)HBM需求爆發(fā)、數(shù)據(jù)中心資本開支加碼、產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性調(diào)整等，供需缺口持續(xù)擴(kuò)大，預(yù)計(jì)本輪漲價(jià)周期將延續(xù)至2026年中。

　　招商證券認(rèn)為，2026年一季度以來各類存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格環(huán)比急劇上漲，目前在能見度范圍內(nèi)今年存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上漲可期，同時(shí)2026年全球新增供給有限，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)緊缺趨勢(shì)將延續(xù)至2027年。在價(jià)格與需求共振情況下，今年海內(nèi)外存儲(chǔ)將迎來業(yè)績(jī)釋放大年，后續(xù)市場(chǎng)價(jià)格趨勢(shì)和各環(huán)節(jié)公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)持續(xù)性是核心關(guān)注點(diǎn)，建議關(guān)注存儲(chǔ)+設(shè)備+產(chǎn)業(yè)鏈三大核心環(huán)節(jié)相關(guān)公司。

　　【半導(dǎo)體指數(shù)怎么選？】

　　當(dāng)然，投資上要更精細(xì)化——不再是一窩蜂炒概念，而是聚焦真正能打“深水區(qū)硬仗”的公司：比如在高端GPU架構(gòu)、HBM集成、先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體設(shè)備零部件等領(lǐng)域有實(shí)質(zhì)進(jìn)展的企業(yè)。

　　目前市場(chǎng)上有幾只頗具代表性的產(chǎn)品：

　　芯片ETF（159995）：它跟蹤的是國(guó)證芯片指數(shù)，覆蓋了從材料、設(shè)備、設(shè)計(jì)到制造、封裝測(cè)試的全產(chǎn)業(yè)鏈約30家龍頭企業(yè)，是一個(gè)布局芯片全產(chǎn)業(yè)鏈的便捷工具。

　　半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）：它跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場(chǎng)指數(shù)中最高（約63%）。這直接受益于全球芯片漲價(jià)潮對(duì)“賣鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。

　　科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）：跟蹤指數(shù)為科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進(jìn)封裝含量在全市場(chǎng)中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

　　投資時(shí)需要注意，這類產(chǎn)品波動(dòng)較大，更適合作為長(zhǎng)期資產(chǎn)配置的一部分，并采用定投、網(wǎng)格等方式平滑成本。核心是把握“AI驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體長(zhǎng)期成長(zhǎng)”這條主線，而不是進(jìn)行短期的價(jià)格博弈。