艾邁斯(ams)半導體 文章 最新資訊
08大陸半導體分立器件應用規模達170億美元
- 據信息產業部統計，中國大陸今年1～10月份，已生產半導體分立器件1,995億只，同比增長12.0%，產品銷售收入同比增長20.0%，達720億元。預計到今年年底，產量可達2,500億只左右，產品銷售收入可達865億元人民幣，從2004～2007年，中國大陸本地半導體分立器件產品銷售收入年復合增長率達27.8%。預計2008年，在中國電子制造業前景看好的形勢下，將以18.0%的速度增長，產品銷售收入將達到134.3億美元(見圖1)。 ? 2007年中國大陸半導體分立器件仍呈
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2007年中國半導體創新產品和技術項目公布
- 由中國半導體行業協會、中國電子材料行業協會、中國電子專用設備工業協會、中國電子報聯合主辦的“中國半導體創新產品和技術評選(2007年度)”活動的評選結果正式公布，AK36xx系列移動多媒體應用處理器、大功率MOS場效應晶體管模塊工藝、鍍鈀框架綠色塑封技術、8-12英寸先進封裝技術專用勻膠設備等35項產品和技術被評為2007年中國半導體創新產品和技術。(詳見下表) 2007年12月1日至2008年月1月25日，中國半導體行業協會、中國電子材料行業協會、中國電子專用設備工業協
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低成本與差異化：本土功率半導體企業競爭策略
- 功率半導體器件是能承受較高電壓和較大電流的半導體產品，現代功率半導體器件與大規模集成電路是半導體技術中相互獨立平行發展而又時有交叉的兩個不同專業技術領域，分別解決不同的專業技術問題，制造不同性能的產品，滿足不同用途的需要。功率半導體器件從功能上講是進行電能處理的半導體產品，主要用于電源和功率執行(控制)電路。 產品與技術暴露本土企業差距 隨著電子產品體積越來越小，功率半導體器件將向著復合型、模塊化方向發展。從性能上看，大電流、高速、高反壓功率半導體器件擁有非常穩定的市場需求，由于其不易集成
- 關鍵字： 半導體
半導體不景氣 硅片廠產能轉向太陽能多晶硅
- 據有關媒體報道，2008開春以來，整體景氣仍維持在觀望且偏悲觀的氣氛中，而半導體產業的景氣動態則是太陽能業者積極觀察的焦點，許多太陽能業者認為，一旦半導體產業受到大環境的影響使其產能利用率下滑，則閑置的料源就有機會流向仍在缺貨的太陽能產業，有機會為2008年太陽能料源干旱期來點甘露。 2008年仍是太陽能的缺料高峰期，雖然老字號的多晶硅廠包括美國Hemlock、德國Wacker、挪威REC及美國MEMC等都將開出新產能，但這些新產能的成長速度仍不及后端電池、模組廠等的擴產速度，再加上新加入者產出
- 關鍵字： 半導體
利用半導體技術實現醫生與病人間的信息化管理
- 沒有其它任何一個領域比醫療保健行業更加強烈地感受到變革的壓力。醫療機構和服務部門迫切需要降低成本，但難題在于不能影響病人的生活質量。減少員工、設備成本和能源消耗，限制病人住院時間，都有助于降低醫療成本，但這對病人來說，代價又有多高呢?這是一個嚴峻的挑戰，醫療服務提供商正在依賴技術，以合理的成本，成功地應對提供更好的醫療服務的挑戰。 半導體技術對醫療系統產生了深遠的影響。病人監控、藥物調劑以及其它很多應用都可以采集病人的信息，快速處理這些數據，然后通過醫院內的網絡，將關鍵信息傳輸到需要信息的人，從
- 關鍵字： 半導體
2008半導體市場：幾家歡喜幾家愁
- 對2008年IC產業的展望，許多市場研究者發布了他們各種各樣的預言。IC市場在經歷了相對乏味的2007年后，2008年將會上升，但是今年的投資額預計將降低10%甚至更多。 各大市場調研公司對于2008年的IC市場增長率的預測從6.2%到12%不等。以下即為來自不同研究機構的預言： ●SemicoResearch：12% ●ICInsights：10% ●SIA：7.7% ●iSuppli：7.5% ●VLSIResearch：7.5% ●Gartner：6.2
- 關鍵字： 半導體 2008
風險投資在半導體產業“遇到麻煩”
- 有專家警告，風險投資對半導體產業的興趣正在減少，這可能會引發工程師及其他有才華的人到產業之外尋找工作機會。 ShahinFarshchi是位于紐約的風險投資公司LuxCapitalManagement的合伙人，他把現在風險投資對半導體產業的整體趨勢描述為“遇到麻煩”。 事實上，在過去的幾年間，風險投資對于半導體產業的整體投資一直很平穩，每年徘徊在20億美元左右，但2007年比2006年降低了10%。Farshchi是在ISSCC(InternationalSolid
- 關鍵字： 風險投資 半導體
安森美半導體發布2007年第4季度及全年業績
- 2007年第4季度摘要: · 總收入為4.079億美元 · 扣除利息、稅項、折舊及攤銷前盈利(EBITDA)為9,550萬美元 · 每股全面攤薄凈收入0.20美元 · 非公認會計原則每股全面攤薄凈收入0.23美元 · 現金及現金等值2.746億美元 · 2007年12月31日向Analog Devices, Inc. 收購中央處理器電壓及PC熱監控產品部 · 宣布
- 關鍵字： 安森美 半導體 2007 200802
半導體二極管之快恢復整流二極管
- 一、快恢復整流二極管的結構特點及特性 ? 快恢復整流二極管是近期問世的新型半導體器件，它的內部結構與普通二極管不同，它在P型、N型硅材料中間增加了基區I，構成P—I—N硅片。由于基區很薄，反向恢復電荷很小，使反向恢復時間大大減少。除此之外，還降低了瞬態正向壓降，使二極管能承受很高的反向電壓。 ? ? 反向恢復時間t1是快恢復二極管的重要參數，它是指電流通過零點由正向轉換成反向，再從反向轉換到規定低值的時間間隔，如圖14-20所示。 ?
- 關鍵字： 半導體 快恢復 整流二極管
半導體二極管之開關二極管
- 一、開關二極管的特性 ? 由于半導體二極管具有單向導電的特性，在正偏壓下PN結導通，在導通狀態下的電阻很小，約為幾十至幾百歐；在反向偏壓下，則呈截止狀態，其電阻很大，一般硅二極管在10MΩ以上，鍺管也有幾十千歐至幾百千歐。利用這一特性，二極管將在電路中起到控制電流接通或關斷的作用，成為一個理想的電子開關。開關二極管就是為在電路上進行“開”、“關"而特殊設計制造的一類二極管。開關二極管從截止(高阻狀態)到導通(低阻狀態)的時間叫開通時間
- 關鍵字： 半導體 開關二極管
半導體二極管之雙向觸發二極管
- 一、雙向觸發二極管的結構與特性 ? 雙向觸發二極管由硅NPN三層結構組成，它是一個具有對稱性的半導體二極管器件，可等效為基極開路、集電極與發射極對稱的NPN半導體三極管，如圖14-38所示。 ? 雙向觸發二極管的伏安特性曲線如圖14-39所示，其正向和反向具有相同負阻特性。當雙向觸發二極管兩端所加電壓V，低于正向轉折電壓VBO時，器件呈高阻狀態。當外加電壓升高到VBO時，器件擊穿導通，由高阻轉為低阻進入負阻區。同樣，當所加電壓大于反向轉折電壓-UBO時，器件也會擊穿導通進入負阻
- 關鍵字： 半導體 雙向 觸發 二極管
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