Zivid最新SDK2.12正式發布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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Zivid 3D 機器人
在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業
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3D DRAM
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨詢
TrendForce集邦咨詢針對403震后各半導體廠動態更新，由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級的區域，加上臺灣地區的半導體工廠多以高規格興建，內部的減震措施都是世界頂尖水平，多半可以減震1至2級。以本次的震度來看，幾乎都是停機檢查后，迅速復工進行，縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管，導致在線晶圓破片或是毀損報廢，但由于目前成熟制程廠區產能利用率平均皆在50~80%，故損失大多可以在復工后迅速將產能補齊，產能損耗算是影響輕微。DRAM方面，以位于新北的南亞科（Nanya）Fab3A，以及美光（Mic
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TrendForce 集邦咨詢 晶圓代工 內存
3 月 20 日消息，本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風會上，英偉達首席執行官黃仁勛表示：“HBM 內存不僅生產難度高，而且成本非常高，我們在 HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術奇跡”（technological miracle），相比較傳統 DRAM，不僅可以提高數據中心的性能，功耗方面明顯更低。在本次吹風會之前，網絡上有不少消息稱英偉達會從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內存，而在本次吹風會上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優秀的公司”（Samsung is a v
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黃仁勛 三星 英偉達 HBM 內存
3 月 20 日消息，三星電子 DS（設備解決方案）部門負責人慶桂顯（Kye Hyun Kyung）在今日的三星電子股東大會上宣布，三星電子計劃今年底明年初推出采用 LPDDR 內存的 AI 芯片 Mach-1。慶桂顯表示，Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技術驗證，正處于 SoC 設計階段。該 AI 芯片將于今年底完成制造過程，明年初推出基于其的 AI 系統。韓媒 Sedaily 報道指，Mach-1 芯片基于非傳統結構，可將片外內存與計算芯片間的瓶頸降低至現有 AI 芯片的 1/8。此外，該芯
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三星 AI 芯片 LPDDR 內存
服務器作為網絡的節點，存儲、處理網絡上80％的數據、信息，被稱為互聯網的靈魂。它不僅是一個簡單的機器，更像是一個精密的工程，由多個關鍵組件相互配合，以實現高效的數據處理和存儲。01?什么是服務器服務器是在網絡中為其他客戶機提供服務的高性能計算機：具有高速的CPU運算能力，能夠長時間的可靠運行，有強大的I/O外部數據吞吐能力以及更好的擴展性。服務器的內部結構與普通計算機內部結構類似（CPU、硬盤、內存、系統總線等）。服務器Server：間接服務于多人；個人計算機PC：直接服務于個人。02 服務器的
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服務器 CPU 內存 硬盤
大家好，我是蝸牛兄。本文主要介紹DDR常用的三種頻率，以及梳理內存頻率是怎樣提升的。可能這篇文章對于電路設計用處不大，但多了解一點總是沒壞處的。圖1 文章框圖通過下面這張表，我們一起來了解一下內存DDR的頻率。圖2 內存頻率表格從表中可以看出內存有三種頻率，分別是核心頻率，工作頻率和等效頻率。而我們平時所說的頻率就是等效頻率。從表格中我們可以得出以下信息：1、核心頻率，指真正讀寫內存顆粒的頻率，它是固定不變的，一般是133，166，和200MHz三類，這個頻率提升很難。2、工作頻率，DDR工作頻率是顆粒核
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內存 DDR頻率
全球內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬內存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續保持行業領先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。HBM3E：推動人工智能革命隨著人工智能需求的持續激增，內存解決方案對于滿足工作負載需求
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美光 存儲 內存
2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側人工智能體驗。該手機支持 70 億參數的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創了端側生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內存和存儲的加持下，實現了升級版預測性和
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美光 內存 存儲 榮耀 Magic6 Pro 智能手機 LPDDR5X UFS 4.0
從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
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馮·諾依曼架構將繼續存在，但人工智能需要新的架構，3D 結構需要新的測試工具。
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三星稱其已經在美國硅谷開設了一個新的內存研發（R&D）機構，專注于下一代3D DRAM芯片的開發。該機構將在設備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設備解決方案部門首席技術官、半導體研發機構的主管Song Jae-hyeok領導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發新的技術、新的產品，以保持他們在這一領域的優勢。三星去年9月推出了業界首款且容量最高的32 Gb
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1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設計時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調性等。電源電壓的要求一般在±5%以內。電流需要根據使用的不同芯片，及芯片個數等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設計時，如果有一個完整的電源平
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