IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內存產品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產，涵蓋 8/4Gb DDR4 內存和 16Gb DDR5 內存。南亞科技表示其首批 DDR5 內存將在下半年少量試產，明年進一步提升產量。此外南亞科技還在 1B nm 節點規劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內存、16
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南亞科技 內存 DRAM
IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內存中集成更多功能，從而將 HBM 產業推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網絡存儲器等多種功能的 HBM 類型，進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經著手設計相關 IP 朝著這個目標邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內存控制器，內存控制器置于其 HBM 結構的基礎芯片上，賦予第
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SK海力士 內存 HBM4E
近期，日媒報道美光科技計劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產DRAM芯片，美光計劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工，并安裝EUV設備，最快2027年投入運營。據悉，美光曾計劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當前市場環境的挑戰和不確定性，美光調整了原定的時間表。近年日本積極出臺補貼政策吸引半導體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補貼。2023年10月，日本經濟產業省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項目提供高達1920億日元的補貼，以支持在日研發下一代芯片。
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美光 存儲 內存
有報導稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應測試，強調將繼續合作，確保品質和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應，努力提高所有產品品質和可靠性，也嚴格測試HBM產品的品質和性能，以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開始量產第五代HBM產品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設備。外媒Tom′s Har
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當前低功耗問題仍是業界關心重點。根據國際能源署(IEA)最近報告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請求消耗2.9Wh，每天進行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(TWh)的電力。從預計銷售的AI服務器需求來看，到2026年，AI行業可能會呈指數級增長，消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服務還轉向移動和PC設備，這導致功耗激增，因此這是一個關鍵的討論話題。因應市場需求，目前業界正積極致力于
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內存 存儲技術
IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領域新品，涵蓋內存、固態硬盤品類。在消費級固態硬盤領域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認 PVC10 的具體讀寫性能，預計將強于此前推出的 BC901。而在企業級固態硬盤方面，SK 海力
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IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內存供應談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規模和價格。美光預計 HBM 內存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創造數億美元量級的營收，而在 25 財年相關業務的銷售額將增加到數十億美元。美光預測，未來數年其 HBM 內存位元產能的復合年增長率將達到 50%。為了應對 HBM 領域的強勁需求，美光調升了本財年資本支出的預計規模，從 75~80 億美
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IT之家 5 月 20 日消息，各位網友，你有發現現在組裝一臺電腦越來越貴了嗎？除了 CPU 和 GPU 兩個大件之外，內存和固態硬盤的價格也水漲船高，基本上所有零件都處于漲價狀態。固態硬盤的價格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點，甚至連 DDR5 內存的價格似乎也已觸底。然而，這一切都將在 2024 年下半年發生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點，簡要介紹如下：固態硬盤科技媒體 xda-developers 追蹤觀測過去 6-7 個月亞馬遜平臺固態硬盤價格，從 2023 年 10 月左右開
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IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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近兩年，DRAM市場已經開始從DDR4內存向DDR5內存過渡，此外在存儲器市場經歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存，很可能帶動DDR3內存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經通知客戶將在本季度末停產DDR3；而SK海力士則在去年
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聯電昨（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯電表示，此技術將應用于手機、物聯網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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近日，晶圓代工大廠聯電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯電共同總經理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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內存管理子系統可能是linux內核中最為復雜的一個子系統，其支持的功能需求眾多，如頁面映射、頁面分配、頁面回收、頁面交換、冷熱頁面、緊急頁面、頁面碎片管理、頁面緩存、頁面統計等，而且對性能也有很高的要求。本文從內存管理硬件架構、地址空間劃分和內存管理軟件架構三個方面入手，嘗試對內存管理的軟硬件架構做一些宏觀上的分析總結。內存管理硬件架構因為內存管理是內核最為核心的一個功能，針對內存管理性能優化，除了軟件優化，硬件架構也做了很多的優化設計。下圖是一個目前主流處理器上的存儲器層次結構設計方案。從圖中可以看出，
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Linux 內核 內存 架構
光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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