- 臺積電、英特爾等大廠近年來不斷加大對異構集成制造及相關研發的投入。隨著 AIGC、8K、AR/MR 等應用的不斷發展，3D IC 堆疊和 chiplet 異構集成已成為滿足未來高性能計算需求、延續摩爾定律的主要解決方案。不久前，華為公布了一項芯片堆疊技術的新專利，顯示了該公司在芯片技術領域的創新實力。這項專利提供了一種簡化芯片堆疊結構制備工藝的方法，有望解決芯片堆疊過程中的各種技術難題。堆疊技術可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空間，進一步推動芯片技術的進步。盡管目前該專利與將兩個 14nm 芯片堆疊成
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CPU EDA 內存
- 三星電子宣布已開發出其首款
7.5Gbps（千兆字節每秒）低功耗壓縮附加內存模組（LPCAMM）形態規格，這有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM（動態隨機存取存儲器）
市場，甚至改變數據中心的DRAM市場。三星的突破性研發成果已在英特爾平臺上完成了系統驗證。三星LPCAMM內存模組結構示意圖截至目前，個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的
So-DIMM（小型雙重內嵌式內存模組）。然而受結構限制，LPDDR需要被直接安裝在設備的主板上，導致其在維修
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三星 LPCAMM 內存 內存模組
- IT之家 9 月 12 日消息，根據韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內存量產。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數越多，處理數據的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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三星 海力士 內存
- 這兩年，DRAM內存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導致價格持續處于地位，內存、SSD硬盤產品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結束了。根據集邦咨詢最新研究報告，預計在2024年，內存、閃存原廠仍然會延續減產策略，尤其是虧損嚴重的閃存，但與此同時，至少在2024年上半年，消費電子市場需求仍不明朗，服務器需求相對疲弱。由于內存、閃存市場在2023年已經處于低谷，價格也來到相對低點，因此 預計在2024年，內存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個、5.0
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內存 閃存
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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V-NAND 閃存 3D NAND
- 動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業的發展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- 由于各大企業對布局AI領域的興趣激增，同時，SK海力士在用于生成式AI領域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領先地位，其二季度用于AI領域的高性能DRAM銷售增長強勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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- MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU，主頻達到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。 該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機，支持 5 軸電機控制，支
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3D 打印機 NXP LPC5528
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Teledyne Vision China 3D AI成像
- 2022年9月底，Intel宣布徹底終結Optane傲騰業務，包括SSD固態硬盤、PMem持久內存兩大產品線，但是現在，傲騰內存還要再掙扎一下。Intel原計劃在今年9月30日之后停止出貨傲騰持久內存100系列，但是現在，Intel將截止期限延長到了12月29日，多供貨3個月。同時，Intel建議客戶，按照0.44％的年故障率備足存貨，以備不時之需。不過，Intel并未解釋延長出貨期限的原因，不知道是客戶仍有需求，還是庫存太多清不完？傲騰持久內存的地位介于傳統DIMM內存、傲騰SSD之間，將數據比特保存在
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英特爾 Intel 傲騰 SSD PMem 內存
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側向
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