內存是現代電子產品不可或缺的組件，隨著科技的進步，內存的容量、速度、功耗等特性也不斷提升，為各種應用帶來了新的機遇和挑戰。本文將從應用端出發，探討各類內存的機會與挑戰。動態隨機存取內存（DRAM）DRAM是當前計算器系統中最常見的主存儲器技術，具備高速讀寫和相對較低的成本。它廣泛應用于PC、服務器、移動設備和游戲機中。隨著人工智能和大數據應用的興起，DRAM的需求持續增長，尤其是在需要高速數據處理和低延遲的應用場景。DRAM的主要挑戰在于其揮發性和功耗問題。DRAM需要持續供電以維持數據，這限制了其在移動
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應用端 內存
韓國三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內存芯片的售價因此也水漲船高，上季營業利益可望飆升約15倍，比路透社4日報導的預估值13倍還要多。這家全球最大內存芯片制造商預估，集團整體第2季營利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時，營收也大增23.3%，達74兆韓元。不過，三星這次并沒有揭露凈利數字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創下營業利益高達10.8兆韓元以后，全集團營利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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三星 內存
什么是 GDDR7 內存？它是用于 GPU 的下一代圖形內存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內用于各種產品，為現有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內存（用于“圖形雙倍數據速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當前一代
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GDDR7 內存 圖形VRAM 美光 三星
近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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鎧俠 3D NAND堆疊
IT之家 6 月 28 日消息，美光在業績演示文稿中表示，其位于美國愛達荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內存晶圓廠將分別于 2027、2028 財年正式投運：譯文：愛達荷州晶圓廠要到 2027 財年才會帶來有意義的位元供應，而紐約（州）的建設資本支出預計要到 2028 財年或更晚才會帶來位元供應的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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美光 內存 晶圓廠
據韓媒報導，隨著AI應用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務器用的DRAM和企業級NAND閃存的價格15～20％。 臺系內存模塊大廠聞訊分析，三星此舉主要趁著第三季電子產業旺季來臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現貨價行情，但合約價實際成交價格，仍需視市場供需而定。以位產出市占率來看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據外電報導指出，三星電子第二季已將供應給企業的NAND閃存價格，調
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三星 內存
6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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SK海力士 3D DRAM
●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數據西門子數字化工業軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
HBM 商機稍縱即逝，需要抓緊時間。
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內存
IT之家 6 月 18 日消息，據韓媒《韓國經濟日報》報道，三星電子將于年內推出可將 HBM 內存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。報道同時指出，在今年發布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內存中正式應用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內存裸片。報道
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HBM 內存 三星
就人工智能（AI）裝置的硬件來看，關鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運算、內存、PCB板、以及散熱組件。他們扮演著建構穩定運算處理的要角，更是使用者體驗能否優化的重要輔助。而隨著AI大勢的來臨，中國臺灣業者也已做好準備，準備在這些領域上大展拳腳。邏輯組件扮樞紐 中國臺灣IC設計有商機對整個AI運算來說，最關鍵就屬于核心處理組件的部分。盡管中國臺灣沒有強大的CPU與GPU技術供貨商，但在AI ASIC芯片設計服務與IP供應方面，則是擁有不少的業者，而且其中不乏領頭羊的先進業者。在AI ASIC芯片設計方面，
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IC設計 PCB 散熱 處理器 內存 AI
6月5日，美光科技宣布出樣業界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術和創新架構，速率高達32Gb/s。性能上，GDDR7的系統帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達60%，并配備四個獨立通道以優化工作負載，從而實現更快的響應時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實現了更優的散熱和續航；全新的睡眠模式可將待機功耗降低高達70%。美光GDDR7還具備領先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
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美光 GDDR7 內存
據JEDEC（固態技術協會）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明確會以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內存標準。DDR6內存最低頻率8800MHz，可提高至17.6GHz，理論最高可以推進至21GHz，遠超DDR4和DDR5內存。CAMM2是一種全新內存標準，同樣支持DDR6標準內存，也就是適用于臺式PC等大型PC設備。JEDEC預計，將在今年內完成DDR6內存標準的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具體產品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看，該內存產
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DDR6 內存 存儲
6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持數據中心規模、一年節奏、技術限制、一個架構的路線，也就是使用統一架構覆蓋整個數據中心GPU產品線，并最新最強的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現有的高性能GPU架構代號"Blackwell"，已經投產，相關產品今年陸續上市，包括用于HPC/AI領域的B200/GB200、用于游
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