●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規性及數據完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數字化工業軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰。西門
關鍵字：
西門子EDA 3D IC
來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統的系統級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現 BBCube，研究人員開發了涉及精確和高速粘合
關鍵字：
2.5D/3D 芯片技術 半導體封裝
存儲設備研發公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發布。Neo 表示，它已經開發了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
關鍵字：
Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
中國的研究人員開發了一種開創性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現了深溝槽，同時還實現了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質因數 （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
關鍵字：
3D 射頻傳感器
NAND閃存將單元串聯排列以實現高密度存儲，優先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
關鍵字：
閃存 NAND
Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創新，該公司聲稱該創新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
關鍵字：
Sandisk 3D-NAND
近日，復旦大學團隊研發出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級閃存器件，其擦寫速度達到亞納秒級別，比現有技術快1萬倍，數據保存年限據實驗外推可達十年以上。相關研究成果已登上國際頂級期刊《Nature》。該項目由復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室、芯片與系統前沿技術研究院的周鵬-劉春森團隊完成。周鵬教授現任復旦大學微電子學院副院長，長期致力于集成電路新材料與新器件的研究。劉春森博士為青年研究員，與周鵬教授共同擔任論文通訊作者。傳統閃存器件中，硅材料的性能受限于電子有效質量和聲子散射等因素，導致熱載流子注入效率
關鍵字：
復旦大學 閃存
SK海力士將于2025年3月（協議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業級固態硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭。· 2020年10月，SK海力士與英特爾達成協議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
關鍵字：
SK海力士 英特爾 NAND 閃存
3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。
關鍵字：
3D DRAM
近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
關鍵字：
三星 長江存儲 NAND 混合鍵合 晶棧 Xtacking 閃存
當地時間2月24日，NAND Flash廠商西部數據（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業務的分拆計劃。圖片來源：西部數據據悉，分拆后的閃存業務將重新以獨立的閃迪（Sandisk）公司名義運營，由原西部數據CEO David Goeckeler轉任閃迪CEO，而西部數據則將再次專注于機械硬盤HDD業務，由現任全球運營執行副總裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部數據以190億美元的高價收購了閃迪，并在2020年將閃存與HDD整合成兩大獨立業務部門。不過在2022年，存
關鍵字：
存儲大廠 閃存 西部數據
DeepSeek等AI模型驅動之下，存儲器市場備受青睞。長遠來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術升級與產品迭代。值得一提的是，為了提升存儲技術的創新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進行技術共享和聯合研發的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
關鍵字：
閃存 美光 鎧俠
在技術飛速發展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數據完整性、系統耐用性和運行效率等方面更進一步。現代應用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統和先進的互連航空電子技術等應用
關鍵字：
閃存 MRAM FPGA 萊迪思
據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產措施，將NAND閃存產量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
關鍵字：
NAND 閃存 三星 SK海力士
日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產線通線，現正在推動量產產品的上量和更多新產品的導入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據產線運行情況擇機啟動。據了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領域的重要產業鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產線，對保障高可靠芯片的產業鏈穩定和安全具有重要作用。
關鍵字：
紫光國微 2D/3D 芯片封裝
3d 閃存介紹
您好，目前還沒有人創建詞條3d 閃存!
歡迎您創建該詞條，闡述對3d 閃存的理解，并與今后在此搜索3d 閃存的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473